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XM-855A带数字标识螺旋器及膜性蜗管模型
XM-855A螺旋器及膜性蜗管模型（带数字标识）
XM-855A带数字标识螺旋器及膜性蜗管模型放大350倍，可拆分为5部件，显示螺旋器及膜性蜗管三壁的立体微细结构，模型的内侧端为骨性螺旋板，相当于螺旋缘处的断面，可见其中的骨质，表面肥厚的骨膜及穿通骨质的听神经纤维束，模型的另一端为螺旋韧带，内含多数血管，由侧面看可见前庭膜起于螺旋缘上面的骨膜，止于螺旋韧带的上方。将前庭膜取下观察，可见它由上面的间皮，中间的结缔组织及下面的上皮所成，膜性蜗管的外壁为螺旋韧带，内面附有单层立方上皮。
尺寸：放大350倍，47.5×18×32.5cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
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美国阿波罗
2025-09-15
一种移动式可调节式钢构厂房
本实用新型公开了移动式可调节式钢构厂房，包括左侧基座套、中间基座套和右侧基座套，所述升降支柱正面和背面的对称位置固定连接有直齿板，所述直齿板正面靠近左侧基座套、中间基座套和右侧基座套的内腔底部的一侧通过主动轴杆均啮合传动有主动齿轮，所述左侧基座套、中间基座套和右侧基座套均固定连接有脚轮，本实用新型通过动齿轮转动带动直齿板向上或者向下移动，从而可以改变升降支柱与地面的高度，然后使用铆钉嵌入限位孔和契合孔固定其高度，可以根据需求增加升降支柱与地面的高度或者减小，可以提高钢构厂房的适应性，可以在不同高低环
安徽建筑大学
2021-01-12
马铃薯漏播补种装置和马铃薯播种装置
本实用新型提出一种马铃薯漏播补种装置和马铃薯播种装置，该实用新型的漏播补种装置包括补种箱，以及导薯单元，其中，补种箱的底部开设有可安装导薯单元的开口，导薯单元包括卡设补种箱底部开口设置的护薯板，护薯板内部形成导薯空间，护薯板与补种箱底部开口相接处形成种薯从补种箱进入至导薯空间内部的通道；护薯板的底部设置有可落下种薯的落薯通道；护薯板内部的导薯空间中设置有转盘，转盘的圆周均布有多个可从补种箱中导入单个种薯的补种座，转盘的中部设置有可驱动转盘转动的转轴，转轴穿设护薯板外连电机。本实用新型可在马铃薯漏播时自动补种，其不仅结构简单、占用空间小，且补种效率高、工作可靠。
青岛农业大学
2021-04-13
亥姆霍兹线圈磁场发生装置产生均匀磁场三维赫姆霍兹线圈工厂
亥姆霍兹线圈，均匀区体积大，使用空间开阔，操作简便。可实现一维、二维、三维组合磁场，可提供交、直流磁场，电流与磁场有很好的线性关系。适用于各研究所，高等院校及企业做物质磁性或检测实验，应用于材料、电子、生物、医疗、航空航天、化学、应用物理等各个学科，其主要用途：产生标准磁场;地球磁场的抵消与补偿、地磁环境模拟、磁屏蔽效果的判定、电磁干扰模拟实验、霍尔探头和各种磁强计的定标、生物磁场的研究及物质磁特性的研究。
亥姆霍兹线圈的作用是什么？
亥姆霍兹线圈通常用于产生静态直流或交流均匀磁场。
亥姆霍兹线圈通常由两个半径和匝数完全相同的平行圆形线圈组成，这两个线圈固定在一个公共轴线上，其半径等于它们之间的距离。
亥姆霍兹线圈的工作原理
当两个线圈通入方向相同的电流时，它们会产生磁场。该磁场可以用麦克斯韦方程组描述。由于亥姆霍兹线圈是对称的，因此它产生的磁场沿其轴线均匀分布。
当两个线圈通入反向电流时，磁场叠加会削弱磁场，从而出现磁场为零的区域。
亥姆霍兹线圈的应用
1. 产生标准磁场；
2. 地磁场偏移与补偿；
3. 地磁环境模拟；
4. 磁屏蔽效果判断；
5. 电磁干扰模拟实验；
6. 霍尔探头及各种磁力计的校准；
7. 生物磁场研究；
8. 物质磁性研究。
厦门盈德兴磁电科技有限公司
2026-01-05
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
匹配层前端带金属保护膜结构的气体超声波换能器
本发明公开了一种匹配层前端带金属保护膜结构的气体超声波换能器。金属壳内从下至上依次装有塑料壳、金属压板和硬质密封胶层，导线中的两根线芯分别焊接在压电片的正极面和负极面的边缘。压电片的上端面与塑料壳中心的凸台连接，下端面嵌入匹配层上端面中心的定位槽内，压电片、匹配层和塑料壳之间填充软胶填充层，帽状金属保护膜套在塑料壳的下端面，帽状金属保护膜与匹配层下端面连接，帽状金属保护膜的帽沿与金属壳间装有密封圈。本发明具有极好的耐高压、抗腐蚀能力，适宜安装在可对含有微量固体微粒和微量液体杂质的高压气体介质的体积流量进行计量、使用低电压电源供电的气体超声波流量计中。
浙江大学
2021-04-13
关于丰中子核16C的链状分子转动带的研究
不稳定原子核占有核素版图的绝大部分区域，近20多年来在实验室中逐步产生出来，表现出一系列新奇的结构和动力学性质，也带来新的应用前景。其中，丰中子原子核的特别奇异的线性链状分子结构已有多年理论预言，但实验发现十分困难，需用多种证据相互印证。此前多个实验组在14C中观察到链状分子态的个别证据（如北大组的前期工作[Phys. Rev. C 95, 021303R(2017) ]）。 此次北大组在更加丰中子的16C中，通过反应Q值、能级、自旋、特征衰变纲图等多个观测量，完整确认了π2σ2构型的正宇称线性链状分子转动带的四个成员，成为这种结构研究的一项重要跨越。 此项研究的实验探测在我国的大科学装置兰州重离子加速器(HIRFL)上的RIBLL1放射性束流线上完成。实验采用每核子23.5 MeV的16C次级束流，通过非弹散射将16C激发到集团破裂阈值之上的高激发态。采用精密的零度粒子望远镜和多套大角度的探测器组合，精确测量末态全部三个粒子。通过全粒子能动量守恒关系逐事件推知入射粒子能量，避开了放射性次级束流能量扩散的缺陷，首次在弹核碎裂型次级束实验中得到分辨率很高的Q值谱，从而清晰的识别出16C的选择性衰变路径。分析过程并采用特殊方法区分了相邻硅微条信号的真假来源，大大提高了最终获得的多重关联真实事件数，从而在足够的统计下通过模型独立的角关联分析获得了分子转动带头号成员的自旋。实验最终确认了价中子处于π2σ2构型的正宇称线性链状分子转动带的四个成员：16.5 MeV(0+)、17.3 MeV(2+)、19.4 MeV(4+) 和21.6 MeV(6+)。图1概略显示了观察到的分子带成员及其衰变特性。实验还观察到一个可能的纯σ4构型的分子态（27.2 MeV），为后续实验提供了指引。
北京大学
2021-04-11
一种高精度高电源抑制比的带隙基准源
本发明公开了一种高精度高电源抑制比的带隙基准源，包括启 动电路和基准电压产生模块；基准电压产生模块包括电源抑制比增强 电路、基准电压产生电路和温度补偿电路；电源抑制比增强电路的第 一输入端连接至启动电路的第一输出端，基准电压产生电路的第一输 入端连接至启动电路的第二输出端，基准电压产生电路的第二输入端 连接至电源抑制比增强电路的第一输出端；温度补偿电路的第一输入 端连接至启动电路的第二输出端，温度补偿电路的第二输入端
华中科技大学
2021-04-14
高效率大扭矩离散带轮无级变速器（DW-CVT）
为了解决大扭矩无极变速的难题，首次提出并实现离散带轮传动无级变速器（DW-CVT），其原理是将一体的带轮离散为若干个带轮块，再有序组合实现一种可变径带轮，通过一对可变径带轮实现无级变速传动。该无级变速器突破传统结构限制，从根本上解决现有CVT存在的传递扭矩小，传动效率低等问题。 该无级变速器传动效率在93[[%]]以上、传递扭矩可以超过500N.m；其可以用于大、中、小型车辆的无级变速，也可以用于机械传动系统软启动装置，替代大功率变频调速电机的软启动
扬州大学
2021-04-14