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XM-116头颅骨模型带三颗牙
XM-116头颅骨模型
XM-116头颅骨模型可以拆分为颅盖、颅底和下颌骨3部分，并有3颗可拆下牙：切牙、尖牙、磨齿，显示颅骨形态毗邻和颅底的内、外、前和侧面的结构和形态及骨性标志。
尺寸：自然大，19×15×21cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-106人体骨骼带神经与血管模型
XM-106人体骨骼带神经与血管模型
XM-106人体骨骼带神经与血管模型（人体骨骼带心脏血管模型）显示男性全身骨骼的组成和形态外观，由男性全身散骨串制而成一整体骨架，成直立姿势，并显示人体全身主要血管和神经的行程及其分布概况，四肢大的关节部分均可活动，头颅含可活动的下巴、可移动的头颅盖，其中四肢骨和头颅骨可以灵活拆卸组装，整体固定在支架上，带底座，可灵活移动。
尺寸：高85cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
腰椎带尾椎骨模型（腰骶椎与脊神经模型
XM-134腰椎带尾椎骨模型
XM-134腰椎带尾椎骨模型（ 腰骶椎与脊神经模型
）由5节带椎间盘的腰椎、骶骨、尾骨、脊神经和脊椎组成。
尺寸：自然大
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-631A带数字标识头面及颈部血管神经分布
XM-631A头面及颈部血管神经分布模型（带数字标识）
XM-631A带数字标识头面及颈部血管神经分布模型由3部分组成，显示头部主要神经，筛板、视神经、动眼神经、滑车神经、展神经、三叉神经、三叉神经节、眼神经、额神经、眶上神经、滑车上神经、泪腺神经、鼻睫神经、睫状神经节、上颌神经、眶下神经、翼腭神经、上牙槽神经、上牙神经丛、下颌神经、颊神经、下牙槽神经、下牙神经丛、颏神经、舌神经、耳颞神经、颞深神经、鼓索、耳大神经、翼腭神经节、岩大神经、岩深神经、腭大小神经等，并且展示了颈部的肌肉和主要动静脉的解剖，共有多个部位数字指示标志和对应的文字说明。
尺寸：自然大
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-705B-1带数字标识肾与肾上腺模型
XM-705B-1肾与肾上腺模型（1.5倍，带数字标识）
XM-705B-1带数字标识肾与肾上腺模型可拆分为2部件，显示了肾剖面的肾皮质、肾髓质、肾小盏、肾大盏、肾盂、输尿管以及肾动脉、肾静脉等结构，共有11个部位数字指示标志及对应文字说明。
尺寸：放大1.5倍，11×11×23cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-705B-1带数字标识肾与肾上腺模型
XM-705B-1肾与肾上腺模型（1.5倍，带数字标识）
XM-705B-1带数字标识肾与肾上腺模型可拆分为2部件，显示了肾剖面的肾皮质、肾髓质、肾小盏、肾大盏、肾盂、输尿管以及肾动脉、肾静脉等结构，共有11个部位数字指示标志及对应文字说明。
尺寸：放大1.5倍，11×11×23cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法 发明专利/实用新型/：发明授权 简介：本发明公开了一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制 备方法，其将纯度为 99.99％以上的金属镓原料溶解于酸中，配制澄清 的镓盐溶液，加入沉淀剂产生沉淀物，将获得的沉淀经洗涤、过滤、 干燥、煅烧制成单分散超细氧化镓粉体；用合成的单分散氧化镓粉体 作为原料，经模压成型和冷等静压强化获得氧化镓生坯，将生坯放在 高温炉
华中科技大学
2021-04-14
一种具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法与设备
本发明公开了一种具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及设备。方法根据待成形金属构件切片轮廓形状确定成型缸的内部 结构，使各铺粉层的金属粉末尽量只处于待成形金属构件切片轮廓形 状对应的区域，以大幅度减少金属粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。设备包括一个或多个成型缸，该成型缸的内部结构与待成 形金属构件切片轮廓形状相匹配。本发明通过使用镶块以及与金属构 件切片轮廓形状相适应的异形基板，实现了针对不同金属构件
华中科技大学
2021-04-14
一种用于高能束增材制造的温度场主动调控系统及其控制方法
本发明公开了一种梯度温度场主动调控系统及其控制方法，系 统由温度场监控系统、加热系统和控制系统；温度场监控系统用于测 量成形区域 XOY 平面及四周的温度场信息，将获得的温度场信息进行 量化处理后反馈给控制系统，加热系统根据控制系统指令对成型缸的 底部和四周进行温度场的分区独立实时调节，以实现在加工过程中整 个加工区域的温度场恒定，保证已加工区域与未加工区域处于合理的 温度梯度，避免热应力导致构件翘曲、变形、开裂。本
华中科技大学
2021-04-14
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途：
Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻温度系数（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。电阻温度系数(TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的 TCR 在温度变化时会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。
技术原理与工艺流程简介： 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。技术指标如下：温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。
应用领域：
集成电路、电子元器件
合作方式及条件：具体面议
天津大学
2021-04-11