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轧机主传动大功率交直交中压变频驱动技术与装备
轧机是生产成品金属材料的关键设备之一，轧机用交直交中压变频驱动系统是涉及到冶金企业核心制造能力的关键装备，在对功率半导体器件、大功率变流、高性能传动控制、轧机主传动系统集成等关键技术研究基础上，实现国产化的大功率交直交中压变频轧机驱动装备（5~40MVA，3300V）的工程化与产业化技术研究，主要关键核心技术包括：(1)系统集成技术与工程应用推广；(2)大功率变流装置研制；(3)高性能传动控制；(4)驱动系统与工艺控制功能融合等。系统电网侧功率因数保持为 1.0；静态调速误差≤0.01%，动态速降 0.25%s（100%转矩阶跃）。
北京科技大学
2021-04-13
一种压入硬度预测材料单轴本构关系的方法
本发明公开了一种压入硬度预测材料单轴本构关系的方法，在具有压头加载单元、变形检出单元和数据处理单元构成的压入硬度检测系统中，压头加载单元采用不同外形压头压入被测材料，变形检出单元检测出被测材料相应的变形并输入到数据处理单元以获得预测材料的本构参数E、σy、n，通过简单的压入硬度预测材料单轴本构关系，以实现材料和在役结构件的单轴本构关系的便携测量。
西南交通大学
2016-10-20
一种高压直流 MMC 在基频调制下的均压方法
本发明公开了一种高压直流 MMC 在基频调制下的均压方法； 包括步骤 S1 在第 i 个基波周期的起始时刻，采集 N 个子模块的电容电 压；并在 N 个子模块中选出 x 个电容电压较大的第一子模块以及 y 个 电容电压较小的第二子模块，剩余的子模块为第三子模块；步骤 S2 通过第一驱动信号控制第一子模块在当前基波周期的终止时刻的电容电 压小于起始时刻的电容电压；通过第二驱动信号控制第二子模块在当 前基波周期的终止时刻的电容电压大于起始时刻的电容电压；通过第 三驱动信号控制第三子模块在当前基波周期的终
华中科技大学
2021-04-14
一种电容分压器的误差测量方法、系统及应用
本发明提供一种电容分压器的误差校验方法，通过测量其比差 和角差实现对该电容分压器的误差校验，其特征在于，该方法具体步 骤为：将被测高电压由标准电压互感器变为适于数据采集的第一低电 压（U1）；将被测的电容分压器（4）所分出的电压转换为适合于数据 采集的第二低电压（U2）；将所述第一低电压（U1）和第二低电压（U2） 同时送入信号处理电路进行模拟和数字信号处理，获得比差和角差， 即可完成误差校验。本发明还公开一种误差校验系统以及其在电子式 互感器中的应用。本发明的方法和系统可以对电容分压器的比差和角
华中科技大学
2021-04-14
矩形双岛硅膜结构过压保护型压力传感器
本实用新型属半导体压力传感器领域。其芯片结构特征为，在硅膜背面有由各向异性腐蚀形成的两个对称矩形硅岛，硅岛端面与器件衬底之间有一层间隙，硅膜正面相应于双岛之间的沟槽部位和岛与边框之间的沟槽部位设置力敏电阻，该组电阻联结成惠斯顿电桥。这种结构的压力传感器特点为灵敏度高，线性度好，并有过压保护功能，可广泛用于各种工业和医用测压系统，尤其是低压测量系统。
复旦大学
2021-01-12
基于神经网络模型BP算法的嵌入式矿压检测方法
本发明公开了一种基于神经网络模型 BP 算法的嵌入式矿压检测方法法，首先根据根据待检测区域的地域情况，采用多个振弦式压力传感器进行测量；然后 ARM7 处理器根据系统任务个数建立相应的进程；最后在建立的任务中打开定时器，输出一个固定在某一频率范围内的脉冲，经过驱动激振电路，产生一个能对振弦式压力传感器内部振弦起振的信号，同时使用 ARM7处理器对振弦式压力传感器返回的脉冲信号进行频率测量，计算得到压力值，最后，利用温度传感器采集振弦周围区域的温度，采用 BP 算法建立神经网络模型，利用神经网络模型对得到的各组压力数据及采集的温度数据进行学习，并根据神经网络模型找出压力随温度的变化规律，对振弦式传感器进行温度补偿。
安徽理工大学
2021-04-13
合成丙二醇、碳酸二甲酯及碳酸丙烯酯的绿色催化
Ø 丙二醇、碳酸二甲酯以及碳酸丙烯酯是重要的有机化学品。丙二醇在食品和医药工业有多种用途，可制聚醚多元醇等。碳酸二甲酯可以用作汽油添加剂、甲基化反应试剂，以及用作合成医药、农药和香料的原料等。碳酸丙烯酯是无毒高效的有机溶剂，也可用于酯交换反应制碳酸二甲酯。现在的市场售价是: 丙二醇11000 - 13000元/吨，碳酸二甲酯（医药级）9000 -10000元/吨，碳酸丙烯酯6000元/吨。我们开展相关课题研究已有3年多，在国内外发表研究论文3篇，并申请获得了日本发明专利一项。使用我们筛选出
北京理工大学
2021-01-12
二月二龍抬头|创美实业集团天津分公司正式开业！
天津分公司正式开业
深圳市创美实业有限公司
2023-02-24
《自然·通讯》报道西安电子科技大学郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
近期，西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展，研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。
西安电子科技大学
2022-08-30
第二届建设教育强国·高等教育改革发展论坛参会报名缴费流程
缴费与发票问题解答
云上高博会
2026-03-01