目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。  利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：  在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。   利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：   在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

（专利号：ZL 201410111072.3） 简介：本发明公开了一种银基导电胶的制备方法，属于复合材料制备技术领域。该制备方法具体步骤是：将γ-环糊精、硝酸银、聚丙烯酸钠、浓硝酸、蒸馏水混合，搅拌加热至50～80℃，缓慢滴加抗坏血酸、3,4-乙烯二氧噻吩、吡咯赖氨酸、蒸馏水的混合溶液，反应1小时，过滤，经大量蒸馏水、乙醇洗涤，干燥后得到银含量为88～96%的银基复合导电粒子；将环氧树脂、固化剂以及银基复合导电粒子充分混合,100℃下固化

已有样品/n以辐射加工技术为代表的非动力核技术应用对传统的加工方式产生了颠覆性创新，比如航天航空特种电线、污水处理、材料改性等，产生了很好的经济效益和社会效益。汽车雨刮胶条主要成分是天然橡胶或合成橡胶，实验研究表明电子束辐射能改变橡胶传统的硫化方式，有效提升交联度，通过辐射处理的胶条具有更好的耐候性、耐磨性、拔水性。比如，经过辐照处理后，胶条刮擦循环稳定性可达50 万次，抗拉强度（100%）从4.92MPa 增加到8

本发明公开了一种荧光粉胶的涂覆方法，属于 LED 封装领域，其采用压印方式对 LED 芯片进行荧光粉胶涂覆，包括 S1 将 LED 芯片固定在封装基板上；S2 将荧光粉胶涂覆在所述 LED 芯片上或者所述压印块的端面上，将所述压印块与所述 LED 芯片通过压印方式贴合一起；S3 待荧光粉胶在所述压印块和所述 LED 芯片之间稳定成形后，对所述荧光粉胶进行固化处理获得荧光粉层，实现荧光粉胶的涂覆。本发明方法操作简单，成本低，可灵活控制荧光粉胶形貌，从而提升LED封装光色一致性，其封装成本低，可大规模应用在工业中进行LED封装。

AKD中性施胶剂是现代造纸工业中应用最为广泛的一类施胶剂。传统的AKD 合成方法需加入苯类有机溶剂，残留于产品AKD中，损害人体健康，影响AKD产品的下游应用不能用于食品包装用纸领域。本技术通过采用新型绿色高效工艺合成AKD。解决了目前AKD生产中的问题。得到的AKD可用于高端造纸领域。

该项目在多年花生栽培和育种过程逐渐积累了一系列有效的技术方法，技术内容涵盖了花生鲜样保存、果针标记、洗根、断根追肥、土壤样品处理等方面，可为花生栽培、生理生态和育种等方面的研究提供便捷有效的辅助工具，应用前景广泛。 一种花生鲜样保存装置：可以避免传统保存方法对花生植株样品的破坏，装置操作简单、使用方便，可实现封存样品的精确拿取；一种花生果针标记装置：标记装置主体可以连续循环使用，做到了节能环保，使用过程便捷高效；一种节水便捷式花生洗根装置：可以实现水的循环利用，又解决了较小的根系无法被筛选，容易随水流冲走的问题，提高了花生根系的清洗效率；一种花生断根追肥培土一体机：通过断根作业，可以减少花生营养体生长冗余，通过同步追肥、培土，改善了花生生长土壤条件与营养需求，可以实现追肥、培土、断根等措施的机械化一体作业；一种清洁无污染的土壤研磨装置：设计便于研磨发力，实时观察研磨过程，又可避免研磨过程土壤细粉的溢出，实现了操作过程的清洁化；一种便捷省力的土壤筛：可实现便捷省力的筛分土壤，极大的节省了人力，使用更加方便。

完成人简介：耿国华教授，全国优秀科技工作者，享受国家政府特殊津贴，现任全国高等院校计算机基础教育研究会副会长，教育部大学计算机教委委员，中国计算机学会理事且杰出会员。长期从事智能信息处理与模式识别等领域创新性研究，近年主持完成973前期预研、中奥合作项目、国科金面上项目5项等多个项目，合作完成国科金重点及863目标导向项目，在文化遗产数字化保护、智能信息处理方面取得多项成果，获国家科技奖1项，省部级科技奖16项。 成果内容： 针对文物形状的特殊性，结合计算机图形学技术，进行破碎文物的计算机辅助复原。本系统采用形状匹配技术，通过三维输入设备实现文物碎片的数字化，研究其空间曲面轮廓线的提取，并根据轮廓线的匹配结果实现破碎文物的拼接复原。实现了曲面模型的匹配拼接、三维曲面模型的融合和复原后曲面的三维编辑，构造了自动拼接与手工调整相结合的文物复原过程模型，为文物研究及文物保护提供了准确的科学的数据。系统主要功能包括：文物的三维数字化；破碎物体的自动拼接；友好的人机交互环境；破碎物体拼接方案的输出；修复后三维模型的三维展示。 成果用途：本项目研究为考古文物及古生物学遗物的复原、修复、仿制提供依据，填补国内空白，开辟计算机辅助复原的新领域，另外还可应用于工业检测过程中的工业件识别及医学领域的外科手术导航。 成果成熟度：市场化产品阶段（技术完全成熟，缺乏资金进行产业化） 投资方式：企业出资采购，学校为主体和企业共同实施转化；学校以该科技成果作价投资，与其他单位共同实施转化。 预期成果收益： 平台进一步优化推广后，预计每年新增产值5亿元以上。 成果知识产权情况： 专利号 专利名称 专利状态 知识产权权属 ZL201510072633.8 一种压缩感知矢量几何模型的压缩及恢复方法 授权 自有 2013SR090796 兵马俑文物数字化管理系统 获批 自有

主要利用行车记录仪视频数据，进行道路检测，包括：车道偏离、障碍物检测、限速标志识别等。 技术指标： ？ 视频分辨率1080P； ？ 处理速度：15fps； ？ 告警：虚警率<10%

该项目在多年花生栽培和育种过程逐渐积累了一系列有效的技术方法，技术内容涵 盖了花生鲜样保存、果针标记、洗根、断根追肥、土壤样品处理等方面，可为花生栽培、 生理生态和育种等方面的研究提供便捷有效的辅助工具，应用前景广泛。 一种花生鲜样保存装置：可以避免传统保存方法对花生植株样品的破坏，装置操作 简单、使用方便，可实现封存样品的精确拿取；一种花生果针标记装置：标记装置主体 可以连续循环使用，做到了节能环保，使用过程便捷高效；一种节水便捷式花生洗根装 置：可以实现水的循环利用，又解决了较小的根系无法被筛选，容易随水流冲走的问题， 提高了花生根系的清洗效率；一种花生断根追肥培土一体机：通过断根作业，可以减少 花生营养体生长冗余，通过同步追肥、培土，改善了花生生长土壤条件与营养需求，可 以实现追肥、培土、断根等措施的机械化一体作业；一种清洁无污染的土壤研磨装置： 设计便于研磨发力，实时观察研磨过程，又可避免研磨过程土壤细粉的溢出，实现了操 作过程的清洁化；一种便捷省力的土壤筛：可实现便捷省力的筛分土壤，极大的节省了 人力，使用更加方便。