一种在 SOI 硅片上制备微机械悬空结构的方法
本发明公开了一种在 SOI 硅片上制备微机械悬空结构的方法。对悬空结构及其固定结构采用不同的槽宽设计,其中,固定结构的槽宽明显大于悬空结构,宽槽底部经刻蚀首先到达或更加接近 SiO2 层,再通过各向同性干法刻蚀使窄槽底部相互连通并与窄槽下方的 Si 层分离,将窄槽间的梁释放,形成具有平整底面的悬空结构,同时去除固定结构与悬空结构连接区底部的 Si 以及固定结构与其它结构之间的区域底部的 Si,使得固定结构与窄槽下方的 Si 层及其它结构隔离,从而使不同的固定结构间相互绝缘。本发明的方法简单有效,能广
华中科技大学
2021-04-14