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砷化镓基超快激光器与高效率轻质砷化镓薄膜三结太阳电池
激光雷达等传感器以及高效率砷化镓太阳能电池是国务院国家制造强国建设战略咨询委员会列出的核心基础元器件,本项目在国务院国资委以及国家级人才计划科研项目支持下,联合国内知名企业进行关键技术攻关,研制出基于砷化镓的超快半导体激光芯片与激光器可适用于激光加工、5G通信、生物医疗等领域,同时研制出的高效率砷化镓薄膜三结电池曾获得世界最高效率,相关产品已处于中试和量产阶段,本项目相关技术和产品曾获得过2018年度上海市科技进步二等奖,2020年中国发明协会发明创新二等奖,2020年中国光学学会光学科技奖一等奖等奖励。本次将展示本项目研制的相关砷化镓基半导体激光器以及高效率柔性轻质砷化镓薄膜三结太阳能电池。
复旦大学 2021-09-18
海南省科学技术厅 海南省财政厅 海南省发展和改革委员会 海南省农业农村厅 海南省工业和信息化厅 海南省海洋厅 海南省国有资产监督管理委员会关于印发《进一步强化企业科技创新主体地位改革若干措施》的通知
为全面贯彻党的二十届三中全会和省委八届五次全会关于强化企业科技创新主体地位精神,落实《海南自由贸易港科技体制改革三年攻坚方案(2024—2026年)》部署,进一步完善以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系,强化企业科技创新主体地位,大力发展新质生产力,现提出以下改革措施。
海南省科学技术厅 2024-12-27
一种核壳中空结构WO3@mSiO2微球及其制备方法和应用
(专利号:ZL 201310428729.4) 简介:本发明公开了一种制备WO3@mSiO2微球及其制备方法和应用,属于纳米材料制备技术领域。该制备方法利用十六烷基三甲基磷钨酸铵为核,采用溶胶凝胶法包覆一层SiO2,然后煅烧得到核壳中空结构的WO3@mSiO2微球。该WO3@mSiO2微球分散性好,粒径500~600nm,具有核壳中空结构,核是WO3,壳是多孔SiO2。该微球对以油酸和甲醇为原料合成油酸甲酯(生物柴油)的酯化反应具有很好的
安徽工业大学 2021-01-12
天津大学提出肠病治疗新思路,新型给药系统让肠道微环境更健康
日前,天津大学李楠课题组与捷克共和国孟德尔大学沃伊特·亚当教授开展国际合作,成功设计出一种新型口服给药系统,为纳米药物治疗炎症性肠病提供了全新思路。该研究得到了国家自然科学基金、天津市重大专项基金等资助支持,成果已发表在业内权威期刊《先进材料》。
天津大学 2023-03-09
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心,与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位,目前,由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进,对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求,过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前,铜合金框架已成为主体,形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前,由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距,我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前,本课题组通过一系列研究,开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金,并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb:650~750MPa; 2.延伸率>8%; 3.导电率:45~60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb:450~600MPa; 2.延伸率>7%; 3.导电率:60~80%IACS。
上海理工大学 2021-04-11
西南交通大学康国政团队《Nature》子刊发表最新成果:高强铝合金焊接强韧性获突破
高强度铝合金结构强韧性差一直是困扰航空航天、高速列车等重大装备的世纪难题。自从焊接技术发明以来,铝合金熔焊结构频繁发生疲劳破坏,根源在于损伤演化机理不明。
西南交通大学 2022-10-14
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心,与国防和国民经济现代化,乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成,其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路,是芯片的散热通道,又是连结电路板的桥梁,因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位,目前,由于集成电路向高密度,高集成化方向发展,芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进,对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求,过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料,利用铜合金优良的传热性能,加入少量强化元素,通过固溶强化和弥散强化提高其强度,同时仅稍微损失导热性能。目前,铜合金框架已成为主体,形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前,由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距,我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前,本课题组通过一系列研究,开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金,并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学 2021-04-13
爱备护实验室急救药箱 ABH-G002A 手提基础款铝合金急救箱套装
杭州爱贝护医疗科技有限公司 2021-12-13
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