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东莞市乐升电子有限公司
LeveTop由中国深圳的一群天才工程师和设计师创立。 他们的使命是创造使用简单且每个人都可以轻松负担的无人机。 通过完善便携性和功能的结合,他们很自豪地将LeveTop带入您的生活。
东莞市乐升电子有限公司 2021-11-01
XM-HG电子踝关节穿刺注射模型
XM-HG踝关节穿刺注射模型   一、功能特点: ■ XM-HG电子踝关节穿刺注射模型采用高分子材料制成,仿真度高。 ■ 模拟一成年人足踝部外形和内部结构,解剖结构准确,具有胫骨、腓骨、矩骨、跟骨、跖骨、指骨及足踝部各关节结构。 ■ 可进行踝关节穿刺、注射、封闭训练和考核,设有电子监测控制器,穿刺错误时有语音和灯光提示,穿刺正确时绿灯亮起,同时语音提示:穿刺正确;穿刺了胫神经或跖间神经瘤(2、3跖间和3、4跖间神经瘤)时红灯亮起,同时语音提示:穿刺了神经。 ■ 穿刺注射部位包括:胫矩关节、距下关节、第1跖趾关节、第5跖趾关节、跗骨窦、足底筋膜、第2、3跖骨间神经瘤、第3、4跖骨间神经瘤、胫神经,胫矩关节可抽出关节腔积液。 ■ 可反复进行练习。   二、标准配置: ■ 电子踝关节腔内注射操作模型:1台 ■ 电子控制器:1个 ■ 说明书:1册 ■ 保修卡合格证:1张
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
无张力深部打结操作模型(带电子监测)
XM-DJB-1无张力深部打结操作模型(带电子监测)   功能特点: ■ XM-DJB-1无张力深部打结操作模型(带电子监测)由透明材质制成,模拟人体深部血管场景。 ■ 可设定不同血管距离,设置考核难易程度。 ■ 牵拉力过大时有警报提示。 ■ 可反复进行练习。
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
XM-DTB高级电子臀部注射训练模型
XM-DTB高级电子臀部注射训练模型   XM-DTB高级电子臀部注射训练模型(着装式臀部肌肉注射外套)可进行臀大肌、臀中肌、臀小肌肌肉注射训练,采用佩戴式实现学生之间相互练习,注射训练过程中有自行判断正误的装置。 一、功能特点: ■ 模型采用高分子材料制成,肤质仿真度高。 ■ 模拟了一成年人臀部结构,模型可穿戴,体表标志明显,包括髂嵴、臀裂顶点等骨性标志,便于操作定位。 ■ 可进行臀部肌肉注射训练,进针痕迹不明显。 ■ 模型有电子报警显示功能: · 注射位置和深度正确,绿灯显示。 · 注射位置错误或深度错误,红色指示灯闪烁,并有电子报警。 ■ 肌内注射可注入真实液体。 ■ 可以使用不同规格的注射器穿刺,设有安全防护设置,防止练习时被扎伤。 ■ 可反复进行练习。   二、标准配置: ■ 穿戴式臀部肌内注射操作模型:1个 ■ 练习用注射器:1支 ■ 说明书:1册 ■ 保修卡合格证:1张
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
Aigtek西安安泰电子 ATA-3000系列
西安安泰电子科技有限公司 2022-06-01
一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻辑操作方法
本发明公开了一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻 辑操作方法,非易失性逻辑器件包括磁头以及依次附着于衬底上的底 电极、绝缘层,相变磁性薄膜和顶电极;其中相变磁性材料由一种相 变材料基质中掺杂铁磁性元素构成,材料的磁性能够通过非晶态-晶态 相变来可逆调控。本发明基于材料的相变控磁特性实现“实质蕴涵” 逻辑运算以及“与”、“或”、“与非”和“或非”四种布尔逻辑运 算,其运算结果以材料的剩余磁化存储在器件中,从而实现
华中科技大学 2021-04-14
MXY5008光纤耦合及光无源器件参数测试与 光纤端面处理熔接实训系统
一、产品简介        光纤通信作为一门新兴技术,它具有容量大、中继距离长、保密性好、不受电磁干扰和节省铜材等优点。近年来发展速度快,已被广泛应用到军事通信、民用通信等各种领域,是世界新技术革命的重要标志和未来信息社会中各种信息的主要传送工具。在光纤的使用过程中,光纤线路的耦合对于其中光功率的传输至关重要。其中存在着两种主要的系统问题:1、如何从多种类型的发光光源将光功率耦合进一根特定的光纤;2、如何将光功率从一个光纤发射出来后经过特定的装置耦合进另外一根光纤。光无源器件是光纤通信设备的重要组成部分。它是一种光学元器件,也是其它光纤应用领域不可缺少的元器件。该实验仪重点介绍了常用的光无源器件的相关参数及测试方法。为此公司研制出本实验系统,让学生了解和认识光纤耦合的相关参数和特性、光无源器件的相关参数及测试方法等,通过实验平台的搭建,可以让学生更深刻的了解,也能锻炼学生校准光路等方面的动手能力,是学校金工实习(工程实习)与工程检测的不二之选。 二、实验内容 650nm激光器与光纤耦合实验 1550nm光纤激光器与光纤耦合实验 相同模式光纤之间耦合实验 不同模式光纤之间耦合实验 光源与显微物镜及准直器耦合特性对比实验 光纤转换器测试实验 光纤变换器测试实验 光纤耦合器测试实验 光纤隔离器特性测试实验 波分复用器和解复用器测试实验 可调光纤衰减器测试实验 光纤机械光开关特性测试实验 光纤偏振控制器特性测试实验 光纤偏振分束器(PBS)性能能参数测试实验 不同种类光纤、光缆及光器件认知和操作实验 熔接机原理及使用实训操作实验 剥纤、清洁、切纤及光纤接续实训操作实验 手动模式下,光纤熔接实训实验 自定义模式下,光纤熔接实训实验 光纤端面处理基本操作实验 光纤耦合技术基本操作实验 光纤耦合技术基本操作实验 光功率耗损法对光纤熔接质量测试 三、实验配置参数 1、光源:波长1310±20nm,1550±20nm;输出功率:1-2.5mw,连续可调;输出端口:FC/PC;稳定性<0.5db(5h);光源类型:LD光源; 2、光功率计:波长范围800-1700nm;输入接口:FC 校准波长:1550nm,1310nm; 3、偏振控制器:插入损耗<0.05dB;消光比>40dB;回波损耗>65dB; 4、光纤机械光开关:插入损耗:1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ,P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波损耗>50dB ;开关速度:≦8ms ; 5、高隔离度光纤隔离器:最大插入损耗:0.35dB ;回波损耗:≧50dB ;隔离度:≧30dB ; 6、光纤耦合器:分光比:50% : 50% ;最大插入损耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纤波分复用器:隔离度:1310nm :31.8% ;1550nm :34%;插入损耗:1310nm :0.30%;1550nm :0.34% ; 8、光纤可调衰减器:0-30db可调; 9、软件:配套仪器使用,数据采集处理; 10、光纤熔接机:适用光纤:SM (单模), MM (多模), DS (色散位移)光纤, NZDS (非零色散位移,即G.655光纤),BIF/UBIF(G.657); 光纤切割长度:8-16mm, 被覆光纤直径250µm,16mm,被覆光纤直径250µm-1000µm;平均接续损耗:0.02dB(SM)、0.01dB(MM)、0.04dB(DS)、0.04dB(NZDS);显示:高性能5.6英寸彩色LCD显示屏,提供清晰的数字图像显示;电极寿命:2500次;锂电池容量:典型熔接250次,充电时间3小时,可在充电时使用;电源:交流适配器输入电压100-240V  50/60Hz,输出电压:DC13.5V /5A,直流输入电压11.1v ( 内置锂电池8800mAh ); 四、实验目的  1、了解光纤连接器及其原理、种类,实验操作进行连接器参数测量; 2、掌握光纤头平端面的处理技术。 3、掌握光纤之间的耦合、调试技术,了解光纤横向和纵向偏差对光纤耦合损耗的影响。 4、掌握光纤熔接的基本技术。 5、熟悉光纤型号及结构,掌握其装配方法、使用环境及保护措施等;
天津梦祥原科技有限公司 2021-12-17
一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法,包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列; 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构;半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极; 源极与漏极串联连接;沟道为方柱形结构;四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极;阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度,
华中科技大学 2021-04-14
一种电子信息处理器
成果描述:本实用新型公开了一种电子信息处理器,包括支架、主机和声卡,所述支架的一端设有液晶显示屏,且支架的另一端设有底盘,所述主机的上方设有键盘和鼠标,所述主机的一侧固定安装有散热孔,且主机的另一侧固定安装有开关,所述主机的底部设有主板,所述主板的上方固定安装有CPU处理器,所述声卡的一侧设有硬盘,且声卡的底部固定连接主板,所述硬盘的一侧设有内存条,所述硬盘的一端设有消音板,所述主机的下方固定安装有底座。本实用新型所述的一种电子信息处理器,设有消音板,声卡和硬盘,能够有效减少主机工作时发出的噪音,且能高效的处理和储存各种电子信息,适用不同工作状况,带来更好的使用前景。市场前景分析:本实用新型所述的一种电子信息处理器,设有消音板,声卡和硬盘,能够有效减少主机工作时发出的噪音,且能高效的处理和储存各种电子信息,适用不同工作状况,带来更好的使用前景。与同类成果相比的优势分析:国内领先
成都大学 2021-04-10
一种钼酸锂纳米棒电子封装材料
简介:本发明公开了一种钼酸锂纳米棒电子封装材料,属于电子封装材料技术领域。本发明钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下:钼酸锂纳米棒65‑80%、聚乙烯醇8‑12%、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5%、异丙醇铝4‑8%、微晶石蜡4‑8%、水3‑7%,钼酸锂纳米棒的直径为50‑100nm、长度为1‑3μm。本发明提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点,在电子封装材料领域具有良好的应用前景。  
安徽工业大学 2021-04-11
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