一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制备方法

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本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制

备方法，包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列；

每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包

裹结构；半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极；

源极与漏极串联连接；沟道为方柱形结构；四层包裹结构从里到外依

次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极；阻

隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度，

未应用