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生物法定向制备 GAMG 和甘草次酸技术（技术）
成果简介：单葡糖醛酸基甘草次酸（GAMG）和甘草次酸（GA）是甘草酸的两 种改性衍生物，具有比甘草酸更优良的抗炎症、抗过敏、抗病毒、抗肿瘤等功效，在医药、化妆品行业具有广泛应用。此外，GAMG 还是一种高甜度（其 甜度是蔗糖的 1000 多倍）、低热量的天然功能性甜味剂。由于化学改性法键 选择性低，很难将甘草酸定向转化为 GAMG 或 GA，且化学法对生产设备要
北京理工大学
2021-04-14
难加工材料的高效特种切削加工技术（技术）
成果简介：具有对新型高硬超高强度钢、不锈钢、新型复合材料、钨合金、硅铝合金和灰铸铁的精密高效切削工艺和刀具成套技术。开发了能对FMS的刀具管理和可靠性寿命进行预报，对金刚石涂层刀具薄膜与基体结合强度、新型刀具材料切削性能进行分析的系统软件以及高速孔加工刀具CAD软件系统。切削高硬超高强钢的速度可达150m/min，切削不锈钢的速度可达200m/min，提高生产效率30%。 项目来源：自行开发 技术领域：先进制造 应用范围：以难加工材料为对象的机械加工或刀具
北京理工大学
2021-04-14
电控气动同步换档的行星变速箱技术（技术）
成果简介：单一速比的减速器无法同时满足各种工况下车辆对动力性和经济性的要求。采用多档变速箱的传统车辆需要离合器和换档机构等装置，系统复杂。上述的新型电机及其控制系统具有大转矩起动和高效工作区宽广的优点，为取消换档离合器，简化换档操作提供了前提，也为采用线控行星变速器提供了理论依据。因此，自主设计了大功率无离合器线控变速器，可实现线控自动换档，既操作简便，又满足了电动车辆爬坡和起步加速时对大转矩的需求。 项目来源：自行开发 技术领域：先进制造 应用范围：电动
北京理工大学
2021-04-14
光机热一体化设计技术（技术）
成果简介：在航空航天领域，光电仪器受温度影响会产生像移，成像质量会 变差，影响探测。本技术将光学设计、结构设计、有限元分析、光学表面自由曲面面型拟合结合起来，可以分析在恒温和瞬态温度变化的情况下，成像 质量的变化，进而给温控提供准确的技术方案和技术途径。 项目来源：横向项目 技术领域：信息技术 应用范围：航空航天光电探测领域 现状特点：国内领先 技术创新： 本技术将光学设计、结构设计、有限元分析、光
北京理工大学
2021-04-14
技术需求:寻求抗电磁干扰无线通讯技术
由于测量精度、响应速度和稳定可靠度是设备的重要指标，所以抵抗外界环境能力是直接影响产品性能的一个重要因素。公司监测设备及监控系统通过短距离无线通信进行相互联系，物联网中应用广泛的近距离无线通信技术例如ZigBee、NFC、超宽频、DECT等在传输信号过程中都会受到电磁波的干扰，公司需要通信模块及结构设计进行改进优化，提高抵抗不同频率、不同强度、不同极化方向的电磁干扰的能力。
三合云（江西）科技有限公司
2021-11-02
等离子体处理危险废物技术、废气技术
利用大功率等离子体处理危险有害的废弃物和一般的焚烧方式大不一样，等离子体火炬的中心温度可高达摄氏2～3万度，火炬边缘温度也可达到3千度左右。当高温高压的等离子体去冲击被处理的对象时，被处理物的分子、原子将会重新组合而生成新的物质，从而使有害物质变为无害物质，甚至能变为可再利用的资源。
科利尔（青岛）环境技术有限公司
2023-03-03
煤矿井下 煤矿井下 静态 破碎 开挖技术 技术
静态破碎开挖技术是利用装在炮眼中的静态破碎剂的水化反应，使晶体变形，产生体积膨胀，从而缓慢地和静静地将此膨胀压力施加给炮眼壁，由于受到炮眼壁的约束，这种膨胀压力转化为拉伸应力，产生拉应变。当炮眼壁的拉应变超过材料的极限拉应变时，炮眼壁开裂、破碎。
静态破碎剂性能可靠，破裂速度较快，破碎效果好，施工简单方便，安全性好，不影响周边其他工作，在环境复杂不宜采用爆破方法的特殊部位，比如靠近煤层的地点，或是附近有管道、设备等，采用静态破碎技术可以提高施工速度，减低工人劳动强度，做到安全施工，具有显著的社会效益和经济效益。
安徽理工大学
2021-04-13
南京大学余林蔚、徐骏教授课题组在柔性衬底上“激光-液滴”自加热驱动纳米线超高速生长集成新突破
在大面积柔性衬底上直接生长集成高品质晶硅纳米线沟道是突破高性能柔性电子逻辑、可穿戴传感和显示等应用的关键技术难点。然而，高品质晶体沟道的获得往往依赖高温生长过程（>800 ℃）-- 这恰恰是柔性聚合物衬底（熔点<150 ℃）所无法承受的！为此，南京大学电子科学与工程学院余林蔚教授、徐骏教授课题组基于自主创新的平面固-液-固（IPSLS）纳米线生长模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一种全新的“激光-液滴”自聚焦局域加热生长策略，突破了传统环境加热技术的限制，利用柔性聚合物衬底（聚酰亚胺，PI）和金属铟催化剂颗粒对特定激光（808 nm）辐照的高选择性吸收差异，实现仅在液滴/纳米线生长界面附近范围的高效局部加热，以驱动晶硅纳米线在柔性衬底上的超高速度生长：在不需要环境加热的室温“冷”环境下，其生长速度可以高达3.5 μm/s，比传统加热方式纳米线生长速度提高了3个数量级。值得一提的是，即便在此高速生长过程中，IPSLS纳米线的生长路径依然可以被精确引导定位，并成功展示了丰富的线形调控能力。此外，由于纳米金属液滴具有极小的热熔，通过调控激光照射时序，可以对纳米线生长动态过程进行前所未有的精确调控（例如，对生长液滴实现瞬间“激活和冷却”等操作），从而实现对超长纳米线的精准形貌/直径编码。基于此技术，成功在柔性PI衬底上生长高品质纳米线沟道，并制备了纳米线场效应晶体管（FET）器件，其电流开关比和亚阈值摆幅分别为>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”选择性加热生长策略有望推广应用于：在各类大面积、低成本柔性衬底上的“冷”环境中，直接定位生长和集成高品质晶硅纳米线阵列，为推动各种高性能柔性电子器件的规模化应用提供关键的材料支撑和全新的技术路线。
南京大学
2021-02-01
系列高压集成技术
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术，可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制，满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。具体包括： 硅基：（1）超低比导通电阻700V单晶型BCD工艺；（2）600V外延型BCD工艺；（3）1200V外延型BCD工艺；（4）48V高功率BCD工艺；（5）40V高压双极型工艺。 SOI基：（1）600V 厚层SOI BCD工艺；（2）650V薄层SOI高压CDMOS工艺；（3）300V薄层SOI高压CDMOS工艺；（4）200V薄层SOI高压CDMOS工艺；（5）100V薄层SOI高压CDMOS工艺；（6）40V薄层SOI高压CDMOS工艺；（7）-200V SOI高压CDMOS工艺；（8）-100V SOI高压CDMOS工艺。
电子科技大学
2021-04-10
指纹识别技术
包括基于流量分析的移动应用指纹识别技术以及基于应用程序和浏览器的设备指纹识别技术等。移动应用指纹识别技术通过综合应用动态流量采集和静态特征抽取技术，在保证应用规模和流量覆盖率的前提下，实现流量数据的大规模自动化采集。设备指纹识别技术针对Android系统终端，在零权限的前提下分别基于应用程序和浏览器提取层次化标识符组合形成指纹实现设备识别。
东南大学
2021-04-11