产品详细介绍HXZZ-I型纸张手印快速显现仪价格：160,000.00/台一、产品结构1. 纸张指纹加热仪可以按设定时间、设定温度对纸张进行强光辐照加热。2. 观察箱内安装蓝色和绿色两种光源，光源输出口都安装带通式干涉滤光片。观察箱顶端安装有长方形观察孔，可以分别安放蓝光观察滤光眼镜、绿光观察滤光眼镜。透过观察滤光眼镜可以观察指纹荧光。3. 翻拍架上安装照相机，可以透过观察滤光眼镜拍照指纹荧光。二、设备操作及工作原理1. 将承载汗液指纹的纸张放置在指纹加热仪的载物台上，开机进行加热处理，加热过程使指纹物质中的氨基酸变性，变成为荧光物质。2. 加热处理后的纸张放入荧光观察箱。3. 开启蓝色光源，将蓝光观察滤光眼镜（干涉型）安放在观察孔上，透过滤光眼镜可以看到黄绿色指纹荧光。4. 如果蓝色光源下，纸张背景产生显著荧光，背景荧光会削弱指纹荧光的效果。遇到此种情况，应关闭蓝色光源，开启绿色光源。将绿光观察滤光眼镜（干涉型）安放在观察孔上，透过滤光眼镜可以看到黄绿色指纹荧光。绿色光源下，指纹的荧光强度会轻度下降，背景荧光会大幅下降，指纹反差会明显提高。5. 将相机安装在翻拍架上，透过滤光眼镜拍照指纹的荧光图像。三、产品优点1. 大量的比较实验证明，对于纸张上的新鲜汗液指纹，此方法的显现效率高于茚三酮，等同于DFO和茚二酮；对于纸张上的陈旧汗液指纹，此方法的显现效率高于茚三酮、DFO和茚二酮。2. 经过该设备显现后，可用茚三酮、DFO、茚二酮或物理显影液进行再显现。3. 无需复杂的化学处理，显现过程快捷无损，30-60秒钟可完成显现过程，特别适合大量检材的快速处理四、技术参数：1. 最大支持纸张尺寸：240 x 320 毫米2. 显现设备工作电压：220V / 50Hz3. 加热源功率：500～1500W可调4. 加热时间：20～300秒可调5. 蓝光功率：50w6. 绿光功率：50w7. 加热仪尺寸：长700，宽620，高410mm8. 观察箱尺寸：长315，宽200，高185mm配置内容：1 纸张指纹加热仪 1台2 蓝、绿双光源荧光观察箱 1个3 蓝光观察滤光眼镜（干涉滤光片） 1付4 绿光观察滤光眼镜（干涉滤光片） 1付5 佳能EOS700D相机 1个6 腾龙90mm微距镜头 1个7 翻拍架 1个

产品详细介绍快速分离色谱柱：快速分离色谱柱是为了实现快速分析和高分离的高耐压微粒子色谱柱。传统的粒径5µm的色谱柱在提高流速时柱效会下降，而快速分离色谱柱其粒径为2µm，即使在5µm的色谱柱的2-3倍的流速下，理论塔板数也不下降，可实现快速分离。同时，在合适的线速度区域，使用压力也没有超出通用HPLC仪器的的使用压力范围，快速分离色谱柱具有与粒径3-5µm的Inertsil系列色谱柱相同的性能，因此无需变更洗脱液条件就可缩短分析时间、提高灵敏度，并减少了溶剂消耗量。 --------------------------------------------------------------------------------色谱柱参数： 化学键合基团 Inertsil ODS-3 Inertsil C8-3 Inertsil Ph-3 含碳量 15% 9% 9.5% 端基封尾 有 有 有 基体 3系列高纯度硅胶 粒径 2µm 其他规格 微孔径100Å，耐压50MPa --------------------------------------------------------------------------------订货信息： 2µm 填料名 长度/内径(mm) 2.1 3.0 Inertsil ODS-3 30 5020-84650 5020-84660 Inertsil C8-3 5020-84930 5020-84935 Inertsil Ph-3 5020-85130 5020-85135 Inertsil ODS-3 50 5020-84652 5020-84662 Inertsil C8-3 5020-84931 5020-84936 Inertsil Ph-3 5020-85131 5020-85136 

产品详细介绍产品概述：    用PCB雕刻机对敷铜板进行雕刻，雕刻出所需的线路,是创新实验的重要工具。 主要功能： 1.  平面检测功能（可选）：先检测出覆铜板平整度，软件根据检测结果自动调整进刀量。 2. 自动对刀功能（可选）：先检测出覆铜板表面高度， 更换刀具后，仪器自动调整进刀深度。 3.．自动原点定位:可以从任意位置自动回到设定的零点。 4. 定位销与不对称定位技术：保证了定位的精确性与正确性。 5. 断点续雕：从任意百分比开始雕刻，或雕刻到某一百分比结束。 6. 虚拟加工：根据设定的参数，虚拟显示实际加工过程。 7. 实时显示加工路径： 加工前首先显示所有加工路径，在加工过程中实时显示当前位置。 8. 任意区域选择雕刻：选择任意区域，进行雕刻。 9．组合雕刻/自动选择刀具：选择两把雕刻刀，自动分配雕刻区域。在不影响雕刻精度的情况下选择一把大雕刻刀，快速铣掉大块的空白区域。 10．万能钻孔：使用固定铣刀挖出任意孔，减少了换钻头的次数。   参数： 加工面板        双面板        加工面积        30CM×30CM        最小加工线径    6mil        最小加工线距    6mil        分辨率          0.04mil(1um)        工作速度        3.6m/min        主轴转速        0～60000r/min，无级可调        主轴功率        95W        直线导轨        进口直线导轨        传动方式        进口滚珠丝杆        钻孔孔径        0.4～3.175        钻孔速度        100(孔/min)        控制方式        ARM        通信方式        RS-232/USB        操作系统        Windons 98/2000/XP/Vista        最小内存配置    256MB        体积             630mm（L）×610mm（W）×505mm（H）        重量             70 kg        消耗功率        200 VA  

产品详细介绍功能特点： 1、设定炉温以及修正硫含量可通过键盘输入，无需打开机器。 2、自动判断滴定起点，缩短了实验时间。 3、自动调整炉流大小，和传统控制器相比能延长硅碳管的使用寿命。 4、送样机构采用电子开关，可靠性高，不会产生过电解现象。 5、自动控制电解速度，无需电解开关。 技术参数 1、测硫范围：0-40% 2、升温时间：≤25分钟 3、分析时间：约3-5分钟 4、分辨率：0.001% 5、电源:AC220V±10% 50

本成果以水溶性丙烯酸酯树脂为基体制备特种胶黏剂，胶黏剂可与水任意比例混合，VOC含量低，无刺激性气味。胶黏剂在基材表面干燥后，室温状态下为无色透明薄膜，在一定温度下软化并具有一定粘结性，继续升温并保持一段时间后可以形成热固性树脂，具有较高的粘结强度。本成果已经通过中试试验，产品质量稳定，具有进行大规模生产的前景和能力。

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。  利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：  在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。   利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：   在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。

（专利号：ZL 201410111072.3） 简介：本发明公开了一种银基导电胶的制备方法，属于复合材料制备技术领域。该制备方法具体步骤是：将γ-环糊精、硝酸银、聚丙烯酸钠、浓硝酸、蒸馏水混合，搅拌加热至50～80℃，缓慢滴加抗坏血酸、3,4-乙烯二氧噻吩、吡咯赖氨酸、蒸馏水的混合溶液，反应1小时，过滤，经大量蒸馏水、乙醇洗涤，干燥后得到银含量为88～96%的银基复合导电粒子；将环氧树脂、固化剂以及银基复合导电粒子充分混合,100℃下固化

已有样品/n以辐射加工技术为代表的非动力核技术应用对传统的加工方式产生了颠覆性创新，比如航天航空特种电线、污水处理、材料改性等，产生了很好的经济效益和社会效益。汽车雨刮胶条主要成分是天然橡胶或合成橡胶，实验研究表明电子束辐射能改变橡胶传统的硫化方式，有效提升交联度，通过辐射处理的胶条具有更好的耐候性、耐磨性、拔水性。比如，经过辐照处理后，胶条刮擦循环稳定性可达50 万次，抗拉强度（100%）从4.92MPa 增加到8