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LED 芯片高速自动分选机
1.本外观设计产品的名称：LED 芯片高速自动分选机。2.本外观设计产品的用途：用于对 LED 芯片执行自动分选的装置。3.本外观设计的设计要点：分选机的整体形状和图案，及其操控键的形状和分布。4.最能表明设计要点的图片或者照片：立体图。5.该装置的顶面和底面未涉及产品设计要点且不常见，故省略俯视图和仰视图。
华中科技大学
2021-04-11
穿透浑浊介质清晰成像技术
针对国防、遥感、智能交通、水下勘探等领域穿透云雨雾霾等浑浊介质清晰成像难题，提供一种基于光场成像的计算成像技术。在50 m成像距离处，标准靶标常规成像最高对比度不超过0.1的情况下，实现分辨率高于512×512，对比度不低于0.6的成像效果。为国防、遥感、智能交通、水下勘探等领域环境监测、目标识别等奠定理论和技术基础。 本项目研究团队长期从事精密光电测试及成像理论和技术科研工作。在国防基础科研等项目支持下，深入研究了微光成像、红外可见光融合成像、相位成像、光场成像理论和方法，并基于上述理论研发了微小型成像系统样机，在地面、空中蹬不同微小型平台得到应用；与美国加州大学伯克利分校研究团队合作，解决强散射介质条件下无法清晰成像相关的技术难题。先后获得国防技术发明奖三等奖2项，授权国家发明专利20余项，发表学术论文30余篇。
北京理工大学
2021-02-01
超高频RFID标签芯片
自主设计开发出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C标准的四款超高频RFID标签芯片，通过了赛宝实验室（工信部五所）的测试认证，超高频RFID标签芯片测试性能达到Impinj等国际主流公司同期同类产品技术指标。在此基础上，自主设计开发出具有温度感知功能的超高频RFID标签芯片、具有开关状态数监测的超高频RFID标签芯片、具有多传感器接口的超高频物联网标签芯片等样品。
电子科技大学
2021-04-10
超高速模数转换芯片
超高速模数转换器是数据采集系统的核心,广泛应用于宽带通信、数据捕获系统、软件无线电、射频消费类电子等领域,是国外长期禁运的核心电子元器件。
电子科技大学
2021-04-10
多功能线粒体荧光成像剂
项目简介 一种新型线粒体靶向性荧光成像剂可用于细胞内铜离子的检测。该成像剂微溶于水， 具有良好的脂溶性和细胞渗透性， 较低的细胞毒性的特点，它在溶液中显示浅黄色，在 590 nm 有较强的荧光发射，能进入 HepG-2 细胞显示绿色荧光成像（如图）。此外，该化 合物在溶液中能与铜离子形成 1:1 的络合物， 而导致荧光显著变化，可用于活体细胞中 在其它金属离子存在的情况下检测 Cu2+， 铜离子检测限度达到 0.01µM。 金属铜离子在 体内聚集，是产生神经退行行疾病的重
江苏大学
2021-04-14
光谱成像分析仪
已有样品/n光谱成像分析仪是一种可以同时获取目标图像信息及光谱信息的新型光学仪器， 而光谱信息则可以直接反映物质的基本属性， 该仪器可以广泛的应用于物质成分分析、 资源调查、 水质分析、 药品安全、 食品安全等方面。 光谱成像分析仪在刑事案件侦破中具有重要的应用， 如对案发现场的血迹、 毛发、 皮屑、 衣物纤维等都可以进行分析取证， 获得犯罪分子的主要特征信息。
中国科学院大学
2021-01-12
多排光声成像技术
成果创新点 成果图片： 主要技术创新路径：高速三维容积成像，有重要原始 创新性； 关键技术指标：成像光谱范围 690 – 950 nm，1200 – 2400 nm； 传感器阵元数目 1024； 单波长成像时间分辨率 1 帧每秒；空间分辨率 300 µm； 成像深度至 3-4 cm； 技术成熟度 关键技术研发阶段 市场前景 研发的多排光声断层成像仪
中国科学技术大学
2021-04-14
多排光声成像技术
主要技术创新路径：高速三维容积成像，有重要原始创新性；
关键技术指标：成像光谱范围 690 – 950 nm，1200 –2400 nm； 传感器阵元数目 1024；单波长成像时间分辨率 1 帧每秒；空间分辨率 300 µm；成像深度至 3-4 cm；
中国科学技术大学
2023-05-17
多功能存储微系统芯片
在后摩尔时代，发挥多功能、异质集成技术的优势和特点，面向存储系统应用，集成DDR3/DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等，构成具有多功能的存储微系统芯片。
西安电子科技大学
2022-06-10
大功率高端LED芯片
LED具有长寿命、节能环保、微型化等优点，是目前最具竞争力的新一代绿色照明光源。突破高发光效率的功率型高端LED芯片技术，将加快实现LED在通用照明、可见光通信、高端显示等领域的应用。在国家863计划、广东省战略性新兴产业LED专项等重大项目的支持下，项目团队成功开发出效率超过130lm/W的高压LED芯片、大尺寸垂直LED芯片和新型倒装薄膜LED芯片，相关技术指标处于国内领先水平。相关成果发表在Nanoscale Research Letters等国际权威期刊上，申请了22 项国家专利，其中已授
华南理工大学
2021-04-14