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借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作,成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长,相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异,能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求,对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底,GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点,Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底,其表面原子结构为三重排列,可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而,Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底,获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称,外延生长时无法有效匹配;同时Si(100)表面存在二聚重构体,导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层,在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长,并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础,而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学 2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS(互补金属氧化物半导体)技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制,需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质,有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料,进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求,二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而,现有二维半导体材料体系(过渡金属硫族化合物、黑磷等)薄膜制备仍未满足现实要求,因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备,率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统,在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3,LaAlO3,或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上,利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用,促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性,可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率(>150 cm2/V s)、大的电流开关比(>105)和较高的开态电流(45μA/μm)。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学 2021-04-11
单壁、少壁碳纳米管的水分辅助CVD可控生长
CNT纯度>99%(无须后处理),CNT阵列高度10m-1mm,CNT直径2nm-15nm。技术创新点: 采用水分辅助CVD技术,催化剂效率大大提高,可获得极高的碳纳米管纯度。
上海理工大学 2021-04-13
张东教授团队解析了转录因子MdWOX11抑制苹果不定芽形成的机制
近日,园艺学院果树发育生物学团队在《HorticultureResearch》在线发表了题为“TranscriptomeanalysisrevealstheregulatorymechanismbywhichMdWOX11suppressesadventitiousshootformationinapple”的研究论文。该论文报道了MdWOX11通过结合并诱导细胞分裂素(CTK)合成基因MdCKX5表达促进离体叶片受伤部位CTK的积累,进而促进不定芽形成。
西北农林科技大学 2022-07-11
200 种重要危害因子单克隆抗体的制备及食品安全快速检测 技术
本项目获 2017 年国家科技进步奖二等奖。 本技术围绕食品危害物低成本、快速发现为核心,将生物识别与结合新型纳 米标记材料相结合,针对目前生物快速检测中存在的稳定性和可靠性问题,利用 自组装技术将多种光、电、磁学信号集于一体,构建具有良好体系相容性和稳定 性的纳米-生物传感界面,提出了基于等离子手性信号的高灵敏检测新技术,发 展了集快速富集与多信号同时测定于一体的多功能传感检测新方法和新器件。 (1)综合运用了化学和生物体系的多尺度模拟和计算,提出了基于粗粒化 模型的抗原抗体亲和性定量分析新方法,设计并研制了 200 余种高亲和性和高特 异性抗原和抗体。 (2)研究了抗体与载体成分(纤维素、磁性纳米材料、硅球等)的表界面 性质,创制了基于相分离的新型分离富集介质,并研制了相关快速富集和分离产 品,大大提高了复杂基质中痕量成分的提取效率。 (3)研制了新型标记材料,解决了“高标记效率”和“生物分子高活性” 无法兼顾的难题,研制了系列高特异性检测探针,为复杂体系中痕量物质的快速 甄别提供了有力手段。 本项目共获得国家发明专利 87 项,实用新型专利 5 项,获美国授权发明专 利 1 项,制订国家食品安全标准 2 项。
江南大学 2021-04-11
一种人类多能干细胞向造血干细胞分化的方法及培养添加剂
本发明涉及一种人类多能干细胞向造血干细胞分化的方法及培养添加剂。人类多能干细胞包括人类胚胎干细胞和人类诱导多能干细胞,能分化为人体内各种组织,可以用来制作疾病模型、进行药物毒性检验,并可通过细胞移植,取代损伤病变的细胞,促进机体创伤修复和治疗疾病。造血干细胞终身存在于人体,能够分化为血液系统的各类细胞,包括红细胞、粒细胞、巨噬细胞、单核细胞、小胶质细胞、树突细胞、B-淋巴细胞、T-淋巴细胞、NK-淋巴细胞等,在临床治疗血液类疾病、癌症等方面有重要价值。目前诱导人类多能干细胞向造血干细胞分化的途径主要有:拟胚体分化法和基质细胞共培养法。这些方法也存在一些缺陷:拟胚体法一般需要消耗大量多能干细胞,其分化阶段的不一致导致其分化效率普遍较低且耗时较长;基质细胞共培养法效率不稳定,会引入动物源成分。例如与小鼠骨髓基质细胞OP9细胞共培养,会引入鼠源性成分,为诱导分化的造血干细胞的临床应用带来安全隐患。发明内容本发明的目的是提供一种人类多能干细胞向造血干细胞分化的方法及培养添加剂。本发明提供了用于制备造血干细胞的试剂盒,包括培养液II、培养液III、培养液IV和培养液V;
清华大学 2021-04-10
一种多能干细胞形成必需蛋白CREPT的在诱导多能干细胞中的应用
本发明涉及分子细胞生物学技术领域中,一种多能干细胞形成必需蛋白CREPT的在诱导多能干细胞中的应用。本发明所要解决的技术问题是如何制备多能干细胞及不能诱导为多能干细胞的细胞模型。为解决上述技术问题,本发明首先提供了下述X1)或X2)的方法:X1)多能干细胞的制备方法,包括:增加名称为动物细胞1的出发动物细胞中CREPT蛋白质的含量和/或活性,得到重组动物细胞,利用所述重组动物细胞制备多能干细胞;所述动物细胞1非干细胞;X2)不能诱导为多能干细胞的细胞模型的制备方法,包括:降低名称为动物细胞2的出发动物细胞中所述CREPT蛋白质的含量和/或活性,得到不能诱导为多能干细胞的细胞模型;所述动物细胞2非干细胞且表达所述CREPT蛋白质。所述动物细胞1和所述动物细胞2均为离体的动物细胞。利用所述重组动物细胞制备多能干细胞可利用Yamanaka因子进行。Yamanaka因子为Oct4、Sox2、Klf4和c-Myc。
南开大学 2021-04-10
国科大毕业生合作在体外人8细胞期胚胎样细胞方面取得研究新进展
该研究是中国科学院广州生物医药与健康研究院联合国内外多个研究团队,开发了一种非转基因、快速且可控的重编程方法,首次真正将人多能干细胞(PSC)诱导为全能性的8细胞期胚胎样细胞(8CLC)。
中国科学院大学 2022-06-01
软骨细胞仿生培养模型及其制备方法
关节软骨损伤及其退行性病变-骨关节炎给社会带来越来越大的劳动力损失以及患者生活质量的下降。骨软骨生物医学研究日益深入,但另一方面,减少动物的使用又是一个巨大挑战,也是人类文明进步的趋势。因应这一挑战,体外模型,包括多种类器官,被开发出来并用于体外生物医学研究,有效减少了实验动物使用数量,并提升了研究的准确性。本项目通过制备仿生模型,为骨软骨的缺损和再生研究提供了体外、准确的研究手段。
北京大学 2021-02-01
鉴定和定量低频体细胞突变的方法
本发明提供了鉴定和定量低频体细胞突变的方法,特别涉及鉴定转座子基因组定位、方向和拷贝数的方法。本发明利用不同转座子家族的特异位点,通过构建文库灵敏、特异地富集转座子插入序列;利用高通量测序和生物信息学分析,准确地鉴定样本中转座子的基因组定位、方向、拷贝数和类型。使用本发明的方法能够经济地、精准地鉴定生殖系和体细胞转座子插入事件。此外,本方法可应用于检测任何序列已知区域内的低频遗传变异。在临床诊断应用方面,本方法在检测由转座子插入导致的遗传疾病上有重大潜力,并在理解体细胞嵌合突变的产生及其潜在致病性有重要意义。
北京大学 2021-02-01
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