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新型纳米晶荧光材料及其应用技术
北京理工大学材料学院纳米光子学材料与技术实验室在致力于开发性能优异、绿色、实用的纳米晶发光材料研究。在国家“973”计划项目和自然基金项目的支持下，研制出一种基于铜铟硫（CuInS2）和铜铟硒（CuInSe2）的新型、绿色、低毒荧光纳米晶材料，已在白光照明、发光二极管、生物标记、太阳能电池等领域获得重要的应用，相关的材料制备和应用技术已申请了专利。本项目所制备的新型纳米晶荧光材料性能优异，波长可在500-900 nm之间调控，荧光量子产率超过50%，可作为荧光材料
北京理工大学
2021-01-12
优良瘦肉型猪种质创制技术及其应用
上海交通大学
2021-04-13
一种光吸收复合结构及其应用
本发明属于太阳能电池表面减反系统领域，并公开了一种光吸收复合结构，该复合结构包括硅基底及设置在硅基底上的多个光栅纳米柱结构，并且这些光栅纳米柱结构呈行列分布，每个所述光栅纳米柱结构均包括二维光栅和纳米柱，其中，所述二维光栅呈长方体形状并且所述纳米柱均呈圆柱形，所述纳米柱的中心线经过所述二维光栅的中心点，所述二维光栅的底面与所述硅基底的顶面接触并且这两个面固定连接在一起，所述二维光栅的顶面与所述纳米柱的底面接触并且这两个面固定连接在一起。本复合结构是由二维光栅和纳米柱两种结构组成，可以形成多种效应，增强了其对太阳光的吸收性能。
华中科技大学
2021-04-13
一种陶瓷墨水及其制备方法与应用
本发明公开了一种陶瓷墨水，包括质量分数为 57％～70％的陶 瓷粉，1％～5％的分散剂，8％～30％的甘油，8％～35％的水以及 5％～ 20％的有机溶剂；所述陶瓷墨水的 pH 值为 8～12，所述分散剂由质量 比为 1:5～5:1 的聚丙烯酸铵和聚乙烯吡咯烷酮组成。本发明还公开了 该陶瓷墨水的制备方法以及在义齿的喷墨打印中的应用。本发明通过 二元分散剂提高了陶瓷墨水的分散性及墨水稳定性，
华中科技大学
2021-04-14
一种增减材复合加工设备及其应用
本发明公开了一种增减材复合加工设备，包括在线金属弧焊增 材制造装置和数控多轴联动加工装置，所述在线金属弧焊增材制造装 置包括焊接机器人和焊机系统，所述焊机系统安装在所述焊接机器人； 所述多轴联动加工系统包括三维测量装置和多轴联动精密加工系统， 所述三维测量装置用于测量零件的轮廓信息并发送给计算机，计算机 通过接收的轮廓信息获得零件的实际轮廓，再与理论三维模型进行比 较得到误差，所述多轴联动精密加工系统用于对零件实施减
华中科技大学
2021-04-14
司法知识图谱构建及其应用研究项目
法律知识体系是多种逻辑的结合,并且法律的知识体系非常复杂。可以从法律法规自上下构建体系,也可以从法学概念的相关性去构建体系。然而专业领域的知识图谱的构建和百类知识的融合和构建不同,需要专家的指导和监督。近来,伴随着“智慧法院”的建设,司法知识图谱的构建时机也日臻成熟。本项目计划文书进行摘要,进而把涉案事实结构化,找到知识图谱中对应的实体概念,触发知识图谱里些推送知识,判断法律事件发生概率
南京大学
2021-04-14
一种压电凝胶及其制备方法与应用
本发明公开了一种压电凝胶，所述压电凝胶为多孔结构，包括 质量比为 10:1～100:1 的式 I 化合物以及导电聚合物；其中，所述导电 聚合物用于提高所述压电凝胶的物理导电性能，所述式 I 化合物的结 构 式 为 其中，R1 为氢、甲基或乙基，R2 为羟基、胺基、甲酯、 乙酯、乙酯、丁酯、异辛酯、羟乙酯、环氧丙酯、二甲氨乙酯、十六 酯或十八酯，所述式 I 化合物作为弹性凝胶基底，用于在受压时形变 从而使得所述导电聚合物中产生离子流动，令所述压电凝胶呈现压电 特性。本发明还公开了该压电凝胶的制备方法。
华中科技大学
2021-04-14
镁基金属玻璃薄膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种镁基金属玻璃薄膜及其制备方法，它的化学 通式为 MgaCubYc，其中，a，b，c 为原子百分比，46.30≤a≤58.01， 24.61≤b≤28.96，13.18≤c≤24.74，且 a+b+c=100。本发明还公开了 一种镁基金属玻璃薄膜的制备方法，其采用磁控溅射制备得到，包括： 将 Mg、Cu 和 Y 按一定配比制备成合金靶；使用单晶硅片及普通玻璃 片作为薄膜的基底；将合金靶及薄膜基底放入溅射腔中，进行磁控
华中科技大学
2021-04-14
水稻粒形调控基因 GS9 及其应用
从水稻中克隆了一个新的粒形调控基因 GS9，该基因突变可以改良稻米外观品质。结合常规回交选育或基因靶向敲除等方法，将 GS9 突变基因用于改良目标品种的粒形和稻米品质。
扬州大学
2021-04-14
InN材料及其太阳能电池应用
南京大学通过承担国家“863”计划项目的研究，已经掌握InN材料以及高In组分InGaN材料的生长技术，研制的InN材料电子迁移率达到935cm2/v*s，达到国际先进水平。并且已经取得了InGaN太阳能电池的制备技术。申请了多项国家发明专利。该太阳能电池采用In0.3Ga0.7N的薄膜材料，电极采用MSM结构。从图中可以看出，随着外加偏压的增大，电流响应率也随之逐渐增大。该电池的光电响应率达到2100A/W（450nm，3V）。
南京大学
2021-04-14