本发明公开了一种金属表面等离子体与脉冲放电复合抛光加工 方法，该方法首先采用射频振荡产生等离子体磁流体通道，对待抛光 加工的金属表面凸起部位进行脉冲放电，产生的等离子弧经过磁流体 通道后，得到强度和密度增强的等离子弧，该增强等离子弧对金属表 面凸起部位进行轰击，使该部位形成阳极斑点后蒸发去除，并通过放 电极性的调节实现去除凸起的光亮化，实现该位置的抛光加工。本发 明方法解决了常规金属表面抛光方法的加工效率低、易产生加工应力 和表层损伤等问题。能够在大气压下进行，可实现粗抛、细抛和精抛， 不需要在金属抛光表面涂上任何研磨液和化学反应物，精密化抛光后 形成的表面粗糙度小，可达到 Ra0.2μm。

抛光垫由一种特殊的微孔发泡材料制成，分为聚氨酯类、阻尼布和无纺布类，用于加工高平坦度要求及光洁度要求。抛光垫软硬适中同时保持多孔，这种坚硬可使抛光垫终身保持平坦一致性，产品已经开发用于各种各样需求及基板材料的平面加工和磨削加工。主要服务市场：半导体基板平板玻璃/LCD/FPD精密光学存储磁盘加工材料/应用包括：半导体基板/硅片LCD/平板显示器精密光学元件磁盘存储器基板磁盘驱动头

稀土抛光粉是以铈为主的铈镧氧化物和氟化物的固体抛光粉，目前全世界稀土抛光粉的消费量为12000吨，日本是最大的消费者，每年从我国进口稀土资源生产3550～4000吨抛光粉，产值35~40亿日元。其中最大的抛光粉消费市场是彩电阴极射线管。中国是稀土的主要资源国，占世界稀土资源的70％，也是主要的稀土抛光粉生产国。每年出口抛光粉约2000吨。    90年代中期，世界对平面显示产品需求迅速增加，对铈基抛光粉的需求量也迅速增加，估计日本在液晶显示用平面显示器生产上消费的抛光粉约占其市场的50%。日本清美化学从1989年开始在海外生产阴极射线管用铈基抛光粉，1989年在台湾建立了一家独资企业，1990年投入生产，目前的生产能力为每年1000吨。1997年又与我国也建立了一家专门生产彩电阴极射线管、电子管和平板玻璃抛光粉的企业，设计能力为每年1200吨，所用原料为高品位氟碳铈矿和富铈碳酸稀土，用于PC的液晶显示屏和硬盘的玻璃基体抛光，可望使其月产量达200吨，成为日本同行中的大户，其销售目标是2002年达20亿日元，昭和电工还将长野县投资2.5亿日元建一新厂，生产用于半导体的化学机械抛光粉，产品牌号为GPL，预计月产能力为200吨，2002年的销售额将达30亿日元。 

本发明提供一种食品热加工设备及加工方法。设备包括安装架、半导体加热模块、气缸组件、多个模具和自动供料设备；气缸组件包括第一子气缸、第二子气缸、第三子气缸和第四子气缸；半导体加热模块包括外罩、隔热罩和半导体制冷片，隔热罩与安装架之间形成U型通道，U型通道具有进口和出口，外罩固定在隔热罩的外部，外罩与隔热罩之间形成风道，风道具有进风口和出风口，半导体制冷片的热端面位于U型通道中，半导体制冷片的冷端面位于风道中；模具包括铰接在一起的上模板和下模板。自动供料设备包括安装框架、出料嘴、喷气嘴、主料筒和升降气缸。实现降低食品热加工设备的制造成本并实现自动加工食品。

性能指标   外观 乳白 固含量（%） 40±1 粒径（nm） 80-120 密度（25℃,g/cm³） 1.28-1.30 分散介质  水 pH   9-11 保质期（月） ≥12  

El系列玻璃抛光液是一种优质稳定的抛光耗材，磨料主要采用优质的进口抛光粉为原料，采用严格的湿法微滤膜设备控制粒径，配以自主开发的化学增强抛光助剂，统筹抛光液流变性能，显示出高速的抛光效率、优质的抛光表面(表面精度高，微划伤低)。　　特点：　　1、抛光后的表面质量好。　　2、能适用于各种加工方式。　　3、可用于众多零件材料的抛光。　　4、高效率，低粘度、易清洗。　　5、悬浮性好。　　6、使用寿命长。　　技术参数：　　色泽：浅棕红色　　平均粒度： 0.4—0.5μm　　PH 值： 8.5-9.5　　用途：　　1、军事领域的精密光学元件。　　2、激光电子的元器件。　　3、科学仪器上的各种零件。　　4、照相机、投影仪和各种望远镜。　　5、液晶显示屏表面及光盘。　　6、其它精密光学元件。　　建议抛光浓度：　　该抛光剂是浓度为400克/升的浓缩液，建议在使用时先将该抛光液充分摇晃混合均匀，再按比例进行稀释使用，最终的稀释浓度可根据需要而定。　　抛光垫材料：　　适用于各种抛光模材料，如聚胺脂抛光片、黑色抛光垫片、沥青、毛毡、合成革等。　　包装：20kg/桶

Z系列氧化锆抛光粉是经过特殊的高温处理，具有晶格完整、有序、无毒、无味的白色超细粉末，对碱溶液及许多酸性溶液（热浓H2SO4、HF及H3PO4 除外）都具有足够的稳定性；软硬度适中，非常适合软质材料的抛光，不划伤被抛物面、不产生光学球面的阿拉比现象。　　主要应用在软材料透镜、照相机镜头、精密光学玻璃、软玻璃水晶、红外滤光器、BK-7最后抛光、沥青抛光；陶瓷及硅片的精密抛光。

第三代半导体氮化镓和碳化硅因其禁带宽、稳定性好等优点，已广泛应用于电子和光电子等领域。各种氮化镓和碳化硅基器件是5G技术中的关键器件。将半导体晶片制成器件，其中的一个关键加工步骤是晶片表面的抛光。然而，氮化镓和碳化硅的化学性质极其惰性，半导体工业目前常用的化学机械抛光方法无法对其实现高效加工。对此，我们从原理上创新发展了一种光电化学机械抛光技术，不仅可快速加工各种化学惰性半导体晶片（如:加工氮化镓的材料去除速率可达1.2 μm/h，比目前的化学机械抛光的高约10倍），而且可加工出原子台阶结构的平滑表面。设备简单，技术具有完全的自主知识产权。

本发明涉及一种大型复杂金属表面等离子体与脉冲放电复合抛 光加工装置，目的是解决常规金属表面精密加工和抛光方法的不足及 加工和抛光效率低、易产生加工应力和表层损伤等问题。该装置包括 射频电源、射频电源匹配器、高压直流脉冲电源、脉冲电源极性调节 装置、高压直流脉冲电源阻抗、等离子体炬、加工保护罩、控制电路 和联动机构；本发明是在大气压下对金属的表面的精密加工和抛光， 不需要真空室和特制的抛光液，可降低设备成本并扩大其使用范围。 加工效率是传统抛光方法的几倍，并且是无应力加工，无表面和亚表 层损伤、无表面污染，抛光工件的表面粗糙度可达到 Ra-0.2μm。 

该装置属专利技术，是一种电弧放电光纤研磨截面高精度抛光方法及装置，利用两电极间的放电电弧对研磨后光纤表面进行抛光处理，以便去除光纤研磨过程中产生的微裂损伤，提高研磨光纤的质量的新型光纤抛光设备。属于光纤通信系统技术领域，特别属于利用光纤包层场的变化来制作高精度光器件的技术领域。 光纤属于硬脆玻璃材料，在光纤研磨过程中，研磨砂将不可避免地会在其表面产生大量的凹坑和微裂损伤，表面粗糙度较高，从而引起光信号的散射和吸收损耗较大，虽然采用颗粒尺寸很小的微粉对光纤的研磨表面进行机械抛光，可在一定程度上降低表面的粗糙度，但机械微粉抛光法并不能消除研磨光纤表面那些不可见的微裂损耗，如果不进行处理，当空气中的水汽进入这些微裂纹时，将导致所制作的光纤器件的性能很快恶化，对提高器件的稳定性极为不利的。而且由于光纤的直径仅为125微米，为提高其研磨表面的光滑行对机械微粉的材料、尺寸和纯净性要求极高，在实际加工中并不适用。因此，为进一步提高光纤研磨后表面的光滑性，避免微裂损伤造成的器件性能恶化，迫切需要一种价格便宜、使用方便、并且能对研磨光纤表面的微裂纹进行消除的新型抛光设备。 技术内容： 利用两电极间的放电电弧对研磨后光纤表面进行高精度抛光的方法及装置， 解决其技术问题所采用的技术方案是： 一种电弧放电光纤研磨截面高精度抛光方法，其特征在于，利用在电压控制下，两电极放电电弧所产生的高温效应，将研磨光纤的表面进行熔化，消除研磨光纤表面的微裂纹；通过定位传感器，是放电电极沿着研磨后待抛光光纤的轴向移动，调节光纤抛光的长度；利用电机速度控制器控制电极的移动速度。 技术特点： 1、利用在电压控制下，两电极放电电弧所产生的高温效应，经研磨光纤表面进行熔化，消除研磨光纤表面的微裂纹； 2、利用电压控制PZT，调节放电电极与研磨后待抛光光纤间的距离，调节精度为0.01微米； 3、通过精密导向机构和定位传感器控制抛光电极的移动范围，调节光纤抛光的长度，长度为0-140mm； 4、利用电机速度控制器对电极的移动速度进行控制。 利用电压控制压电陶瓷PZT，从而调节放电电极与研磨后待抛光光纤间的距离；并通过定位传感器来控制抛光电极的移动范围，实现光纤抛光的长度的调节。其发明的主要内容如下： 该抛光装置，由PZT高度调节器，电机速度控制器、精度导向传送带，定位传感器、V型刻槽光纤放置用微晶玻璃和电极组成。主要优点：（1）采用火焰抛光的方法，通过PZT调节研磨抛光后的光纤与电极的相对位置，利用电极打火所产生的高温将研磨光纤的表面进行熔化，从而有效消除研磨光纤表面的粗糙度，抑制微裂纹或凹坑造成的较大损耗；（2）通过精密导向机构的定位传感器，是放电电极沿着研磨后待抛光光纤的轴向移动，从而实现对光纤抛光的长度进行任意调节；（3）利用电机速度控制器对电极的移动速度进行控制。