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非接触法波纹管收缩膨胀测定仪
执行标准:GB/T 50082-2009 本品适用于早龄期混凝土或者砂浆在波纹管中的收缩及膨胀变形的测试,也可用于无约束状态下混凝土或者砂浆的收缩膨胀变形的测定。产品配置高精度电涡流传感器,8寸嵌入式Linux工业平板电脑触摸屏操作,21点校准,测量精度<2µm。6试件到12试件可选。
北京耐尔得智能科技有限公司 2023-03-17
一种动物可食性组织中磺胺类药物残留筛选方法及其试剂
研发阶段/n本成果采用了菌种和培养基分离的方法,主要试剂均以工作液形式提供,解决了传统微生物方法稳定性差的问题;在测定样品时,只需将棉拭子插入组织样品,样品前处理简单,整个测定过程由6h缩短为5h,适合高通量的样品筛选;对磺胺类药物的灵敏度低,适用于定性检测动物组织样品中多种磺胺类药物残留;操作方法方便易行、灵敏度高、简单、快速,将会为磺胺类药物残留的监控提供有力的保障。技术水平:专利技术(国家发明专利授权号:ZL2006100186472)应用前景:本成果克服了现有技术灵敏度低、检测时间长、操作费
华中农业大学 2021-01-12
北大财政所举办“后疫情时代‘互联网+教育’行业发展与体制内外合作”研讨会
2020年新冠肺炎疫情的暴发中断了我国线下校内和校外教育的供给,对我国体制内外的教育体系产生了重大影响。疫情期间和后疫情时代“互联网+教育”行业发展面临哪些突出问题,有何突出需求?
北京大学 2021-02-22
中国博士后科学基金第71批面上资助拟资助人员名单公示
22日,中国博士后科学基金会公示了第71批面上拟资助人员名单,共有3882名人员入选(部分拟资助人员由相关单位和部门另行组织内部公示)。
中国博士后科学基金会 2022-06-22
关于发布后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2023年度项目指南的通告
本重大研究计划面向芯片自主发展的国家重大战略需求,以芯片的基础问题为核心,旨在发展后摩尔时代新器件和计算架构,突破芯片算力瓶颈,促进我国芯片研究水平的提升,支撑我国在芯片领域的科技创新。
国家自然科学基金委员会 2023-02-14
转录诱导精子形成基因 40(Tisp40) 在治疗血管损伤后再狭窄中的功能和应用
本发明公开了一种转录诱导精子形成基因 40(Tisp40)在治疗血管损伤后再狭窄中的功能和应用。本发明以 Tisp40 基因敲除小鼠和野生型小鼠为实验对象,通过血管损伤模型,进行了小鼠内膜新生、血管壁细胞增殖水平和平滑肌细胞表型转换的检测。结果表明,Tisp40 基因敲除可以明显抑制内膜新生和细胞增殖,抑制平滑肌细胞由收缩型向合成型转换。这表明 Tisp40 在血管损伤后再狭窄中的功能主要体
武汉大学 2021-04-14
铜基量子自旋液体的候选者和铜基高温超导材料母体在掺杂后的电子结构
刘奇航及其合作者以最近由中科院物理所领衔的研究团队发现的ZnCu3(OH)6BrF为例,采用修正后的单体平均场密度泛函理论方法,对这一体系的本征和掺杂行为进行了详尽的模拟。研究发现,ZnCu3(OH)6BrF掺杂后,掺入的电子并没有成为期待的“自由载流子”,而是局域在一个铜原子周围,引起了局域形变。这种电子与束缚它的晶格畸变的复合体称为极化子(如图一所示)。本征材料的带隙中形成新的电子态。因此,电子掺杂后,ZnCu3(OH)6BrF并没有实现半导体到导体的转变。相比之下,具有类似CuO4局部环境的铜氧化物高温超导体的母体材料Nd2CuO4显现除了不同的随掺杂浓度变化的导电性。研究发现,低掺杂浓度时,铜原子附近形成较为扩展的极化子,因此在高掺杂浓度时,这些极化子之间的跃迁可以使系统导电性大大增加,实现半导体到导体的转变,与实验观测很好地吻合。 该研究圆满地解释了最近实验上观测到的Kagome晶格的锌铜羟基卤化物在掺杂后并不导电的现象,指出要在量子自旋液体实现超导,仅仅找到量子自旋液体体系是远远不够的,还必须实现有效掺杂,注入一定浓度的“自由载流子”,为耕耘在该领域的实验工作者提出了新的挑战和实验方向。
南方科技大学 2021-04-13
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青岛易触科技有限公司 2021-09-09
无酸纸档案盒3公分A4,容纸量30mm
产品详细介绍 无酸纸档案盒用途及材料介绍: 无酸纸档案盒是各个机关和单位档案管理部门整理和装订储存文件的装具!  通常无酸纸裱糊制作的档案盒,由于无酸纸不含酸性另采用国际上先进的 AKD中性施胶工艺.无酸腐蚀,使档案可以长期保存.不变质.不褪色.具有防虫. 防霉等特点,对装订在盒子内的档案文件没有腐蚀破坏,使用方便, 现在全国都在逐步无酸纸档案盒替换掉过去老式笨重的纸板档案盒和牛皮纸档案盒, 无酸纸档案盒共有几十类,分别装各种文件和资料!   
西安谷得商贸有限公司 2021-08-23
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术,基于国内8英吋工艺技术平台,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件(图1),能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz,输出功率>500W,功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件;频率1.2GHz,输出功率>600W,功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件;频率3.1GHz,输出功率>80W,功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件(图2)。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件:(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线:(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学 2021-04-10
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