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一种低轨卫星探测半实物仿真系统及方法
本发明公开了一种低轨卫星探测半实物仿真系统及方法，属于卫星探测领域。本发明系统包括：红外场景生成模块用于生成目标的仿真图像；星上信息处理机主要完成对仿真图像的单帧相面目标检测任务；单星地面处理机对星上信息处理机下发的仿真图像和单帧目标粗检测结果进一步处理；地面综合信息处理机主要任务为对接收的各单星地面处理机的疑似目标相面轨迹进行融合重建目标三维轨迹，对该大系统中所有子系统进行运行控制、状态监控以及仿真参数初始化，
华中科技大学
2021-04-14
一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片
本发明公开了一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片。包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器，其中，单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式压缩，通过调变加载在所述面阵电控液晶成像微透镜上的信号电压的均方幅值，调变所述单元电控液晶成像微透镜的光汇聚能力，进而调变由物镜和所述单元电控液晶成像微透镜共同确定的目标对焦平面，从而在深度方向上改变能清晰成像的目标图层，执行成像视场在深度
华中科技大学
2021-04-14
矿山边坡岩体结构劣化识别与综合探测技术
基于高寒高海拔地区矿山边坡岩体所受冻融循环、连续开挖及强开采扰动这一环境特征，坡体产生冻胀变形、蠕滑拉裂、锁骨段失效的坡体加剧变形这一特殊情况。矿山边坡岩体结构劣化识别与综合探测技术具有以下优点：地面三维激光扫描仪设备体积较小，容易携带，不受天气变化影响，具有操作简单、灵活安装、便捷探测的特点，采集数据速度快，属于无接触测量，无需现场校准等特色。采用多功能结构面三维激光扫描设备进行冻融循环条件下岩体结构面三维探测与网络模拟等手段，建立起表征裂隙岩体（基质块体）边坡的真实三维结构面网络模型，形成不同复杂地质环境等的裂隙网络反演和岩质体损伤致灾评估模型。运用矿山边坡岩体结构劣化识别与综合探测技术，可为冻融及其他恶劣环境下的矿山边坡安全开采提供致灾机理分析和坡体稳定性预测。
北京科技大学
2021-04-13
食品金属探测仪 金属分离机 金属分离器
产品详细介绍应用特征 检测产品 大颗粒状疏松质产品
粗粮(颗粒直径> 6毫米), 薄片状的, 纤维状的, 易碎的, 潮湿的,
融合 自由直落与倾倒式输送
传送装置 塑料工业
食物工业
化学工业
药物工业
其它工业
典型适用范围 食品行业：检测爆米花、脆玉米片、薯片、坚果、水果和汤面
化工行业：检测混合物
设备描述 金属分离系统可通过回旋漏斗清除自由下落的散装材料中磁性和非磁性的金属杂质(钢、不锈钢、铝等),而不对产品处理造成任何干扰。这已被证实特别是对谷粒、轻薄、易碎含纤和潮湿的散装材料中的杂质高度有效的清除方法。
金属分离系统是特别设计以满足严格的卫生标准，因而特别适用于食品、化工和制药行业。
设备 优点 含有长纤维的产品不会堵塞排出设备。
可以避免紊乱和产品结块(轻而薄的产品)
卫生设计，排出装置防锈防水
可避免长时间的产品积淀和结块发霉
通过清理薄片可以快速而简单的清洁
系统组成 探测系统 双通道金属探测圈
环形孔径控制系统 微处理机控制器选项 多功能处理机控制器
多频率技术 分离系统 摆动式料斗 供选择的特性 警报
检测灵敏度：
Fe ≥φ0.3mm
广州奥翼电子科技股份有限公司
2021-08-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
一种基于全息波导的头戴式显示器件
本发明公开了一种基于全息波导的头戴式显示器件，该器件包括入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、矩形波导（５）；入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、贴附于矩形波导（５）的上表面或下表面；入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、矩形波导（５）贴于上表面或下表面由出入瞳光线设计方向决定。本发明利用光瞳重塑方式解决了传统二维扩瞳方式产生的大视场角情况下的视场分离。
东南大学
2021-04-11
高温压电振动能量回收器件和高温驱动器
传统PZT压电陶瓷应用广泛，但在居里温度较低，环境温度较高时，PZT陶瓷样品极易退极化。随着压电材料的应用范围的进一步拓展，一些极端条件对压电陶瓷的应用提出了新的挑战。北京大学工学院实验室利用高居里点的钪酸铋-钛酸铅压电陶瓷制备了基于d31模式和d33模式的应用于高温环境中的压电振动能量回收器，器件可以稳定地工作在150℃以上的高温环境中。高温下由于电畴被活化，器件的压电系数和相应的输出功率比室温时提高一倍以上。 与压电能量回收器不同的是，压电驱动器是一种利用压电效应，将电能转化为机械能实现纳米级驱动的器件，压电驱动器利用压电材料的准静态逆压电效应实现10微米至100微米的微小位移；同时，还可以利用压电陶瓷的高温谐振动效应制备高温压电马达。
北京大学
2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
磁流体热磁对流在电子器件散热中的应用
项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件，应用磁流体的热磁对流效应，把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2．温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3．磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标 建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术，提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展，达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明，散热效果好，能达到电子器件冷却要求，满足工业生产的需求，在生产过程中无污染，无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中，具有较好的经济效益和社会效益。
南京工程学院
2021-04-11
基于超陡摆幅器件的极低功耗物联网芯片
随着集成电路的发展，功耗问题越来越成为制约的瓶颈问题。特别是在即将到来的万物互联智能时代，物联网、生物医疗、可穿戴设备和人工智能等新兴领域更加追求极低功耗，尤其是极低静态功耗。面向未来庞大的物联网节点应用的需求，极低功耗器件及其电路芯片受到越来越多的关注。受玻尔兹曼限制，传统晶体管的亚阈摆幅存在理论极限，这一限制是阻碍器件功耗降低的关键因素，基于传统CMOS晶体管的集成电路已经无法满足物联网节点等对极低功耗的需求。 本项目基于标准CMOS工艺研制新型超陡摆幅隧穿器件，并进一步研发具有极低功耗的物联网节点芯片。新型超陡摆幅隧穿器件采用有别于传统晶体管的量子带带隧穿机制，可突破亚阈摆幅极限，同时获得比传统晶体管低2个量级以上的关态电流性能，具备极其优越的低静态功耗性能。通过超陡亚阈摆幅器件及电路技术的研究和突破，可促进我国物联网芯片产业的发展，显著提高物联网节点的工作时间，具有重要的应用价值。
北京大学
2021-02-01