随着高炉冶炼强度的提高和优质炼焦煤资源的紧缺加剧，以热性质为重点的焦炭质量优化制备技术得到冶金界越来越重视。从炼焦煤性质、配煤原理、配煤技术、焦炭分子和微晶结构、焦炭热性质控制因素、焦炭炉外处理技术及降低焦炭制备成本等方面持续研究焦炭优化生产理论和技术，提出了焦炭微结构与热性质的定向控制的集成技术。 利用现代分析仪器XRD/XPS/SEM/TEM/ROMAN/AFM等全面系统的研究焦炭的碳微晶结构、气孔结构，以及矿物质的化学组成等，提出了表征焦炭碳微晶的微晶化度、表征气孔性质的气孔粗糙度、表征矿物质对焦炭化学反应催化作用的催化指数等参数，揭示了控制焦炭热性质的本征因素是焦炭微晶化度－气孔结构参数－催化指数。 将冶金焦炭作为多孔脆性材料，运用材料力学及其破碎断裂有关理论，研究了焦炭在加热过程中的形貌变化、高温热膨胀性能、高温弹性模量、高温抗拉抗折强度等，提出了焦炭热性质的新概念。 在全面系统的研究了炼焦煤性质和配伍性、配煤炼焦过程机理及其与焦炭热性质关系的基础上，提出了“碳合金”配煤新概念和初步实现焦炭微晶结构定向控制，建立了基于碳合金配煤理论的焦炭冷热强度预测模型，扩大了炼焦煤源，使大型高炉用焦炭配煤中不粘煤配比最高可达到20％，可产生巨大的经济和社会效益。 针对优质炼焦煤源日益紧缺的状况，提出了进一步提高焦炭热性质的炉外处理技术设想，并在实验室内详细研究了基于化学催化理论的负催化技术、化学气相热解沉积理论的表面处理技术等对提高焦炭热性质的作用，表明合适的炉外处理技术可以大幅度提高焦炭热性质。

本发明公开了一种用于加快凤阳产气霉生长的预处理后活性炭颗粒，其制备方法为依次进行以下步骤：1)、加热洗涤：在活性炭颗粒中加入去离子水后煮沸，弃去废液后，得初次洗涤后活性炭颗粒；2)、超声波清洗：在初次洗涤后活性炭颗粒中加入去离子水进行超声波清洗，弃去废液后，得二次洗涤后活性炭颗粒；3)、将二次洗涤后活性炭颗粒用去离子水反复清洗，直至洗涤液中无肉眼可见浑浊；4)、将步骤3)所得的活性炭颗粒沥干水分后烘干。本发明还同时提供了利用上述预处理后活性炭颗粒进行加快凤阳产气霉生长的方法，在凤阳产气霉生长环境中配设预处理后活性炭颗粒，目的是为了吸附凤阳产气霉生长过程中所产生的VOCs。

利用滚压振动研磨得到的纳米锌粉颗粒，经低温水解生成氧化锌纳米棒，ZnO/CNTs多孔复合结构在无光照条件下降解有机染料废水。

近年来,半导体光源正以新型固体光源的角色逐步进入照明领域。由于半导体照明具有高效、节能、环保、使用寿命长、响应速度快、耐振动、易维护等显著优点,所以在国际上被公认为最有可能进入通用照明领域的新型固态冷光源。随着其价格的不断降低,发光亮度的不断提高,半导体光源在照明领域中展现了广泛的应用前景。业界普遍认为,半导体灯取代传统的白炽灯和荧光灯,是大势所趋。而半导体发光二极管（Light Emitting Diode , 简称LED）被认为是最有可能进入普通照明领域的一种绿色照明光源，按固体发光物理学原理,LED发光效率能近似100 % ,并具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、响应时间极短、光色纯、抗冲击、性能稳定可靠及成本低等优点,因此被誉为21 世纪新光源,有望成为继白炽灯、荧光灯、高强度气体放电灯之后的第四代光源。虽然LED具有以上的很多优点，但是发光效率和使用寿命仍是制约其普及应用的主要因素。 目前国内大多致力于LED外部封装结构的研究，而公司里多采用进口芯片，如cree芯片，再在现有基础上进行外部封装结构和设计。而即便是散热好，寿命长，取光效率比较好的封装结构，国内所能达到的水平也就是刚刚超出100lm/w。主要原因在于其封装材料的选择和封装结构的不合理性，浪费了芯片的出射光，从而降低了取光效率。而国外LED不仅在外部封装结构，而且在芯片方向都明显优于国内水平，所以基本垄断国内LED的市场，尤其对于功率型白光LED的垄断相当严重。而这些高亮度半导体LED芯片生产技术掌握在以美国Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及欧洲的Osram等为首的少数大公司手中。 现在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能够取代白炽灯和荧光灯进入通用照明市场,其光效需要达到150lm/ W。这一方面要求在芯片的制作上不断提高LED 的量子效率,同时还要求在LED 的封装及灯具的设计制作过程中尽可能提高出光效率。现有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率较高，LED发出的光在出射芯片的时候，有相当一部分光被芯片与外界（环氧树脂）的界面反射。本产品是通过特殊镀膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用寿命，达到2万小时以上，而且可以使发光效率达到120lm/w到160lm/w。拥有这样长寿命和高出光效率的白光LED，必将引领整个照明市场，必将产生丰厚的利润，具有非常好的发展前景。

研究小组首先利用激光分子束外延技术生长了具有原子级别平整度的反铁磁Cr2O3薄膜，是电荷的绝缘体。采用非局域自旋输运的技术，用热方法在铂电极和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、产生自旋压，在另外一个铂电极处利用铂的自旋霍尔效应测量自旋流的输运（图A）。实验数据显示在低温下自旋输信号出现饱和现象，对应着自旋导的饱和，也就是零自旋阻效应；即自旋超流基态的最重要基本性质之一（图B）。在此基础上，该研究小组又系统研究了不同自旋输运距离下自旋超流的输运现象，证明了自旋在该自旋超流基态可以进行长距离的输运，并且其随输运距离的关系与自旋超流态输运理论预言一致（图C）。该工作是是自旋超导态领域研究的一项重大突破，势必推动自旋超导态的快速发展，为研究基于自旋玻色子的玻色爱因斯坦凝聚的基础物理研究提供了实验平台，并为新型量子自旋器件，如自旋流约瑟夫森结等，奠定了实验基础。图：自旋超流基态的重要实验证据。（A）非局域自旋输运测量示意图。用热方法在左边铂电极和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右边铂电极处利用铂的自旋霍尔效应测量自旋流的输运。（B）自低温下自旋输信号出现饱和现象，反映出自旋超流基态的零自旋阻效应。（C）自旋信号随其随输运距离的关系与自旋超流态输运理论预言一致。

一种基于风电场数据预处理的风电功率组合预测方法，包括以下步骤：利用小波去噪原理对风电场的历史风速数据和历史功率数据进行处理，分别得到光滑的风速序列和功率序列；对风速序列和功率序列的特征指标分别进行频繁项集分析和关联规则挖掘，得到风速强关联规则和功率强关联规则，利用强关联规则找出与待修正的当前预报相似的历史预报；并利用历史相似预报对待修正的当前预报进行误差修正；利用统计方法对修正后的当前风速预报进行训练并建立预测模型；利用预测模型进行功率预测，并利用历史相似预报对预测后的功率进行二次预测，最后得到最终的组合预测结果。

本发明提供了一种从源头治理、资源化处理含铬废渣污染的新思路新方法，解决了现有技术中铬渣处理消耗大、解毒效率不高、堆存过程铬缓释再氧化等问题。专利技术在一化控股（中国）有限公司、福建省（屏南）榕屏化工有限公司、东江环保公司、内蒙古兰太钠业有限公司等多家企业实施应用，产生经济效益高达2亿多，推动铬盐相关产业的发展。尤其是与一化控股（中国）有限公司合作，铬分离回收技术工艺在亚洲最大氯酸盐企业实现技术示范应用，首次实现铬渣变废为宝和全资源化利用，突破氯酸盐行业可持续发展瓶颈问题，节省处理费用1750万/年。获得“第十届国际发明展览会暨第三届世界发明创新论坛””发明创业奖*项目奖“金奖。

（专利号：ZL 201510409511.3） 简介：本发明公开了一种从焦化脱硫废液中提取硫氰酸钠的化学处理方法，属于工业废水处理技术领域。该方法具体步骤是：取HPF焦化脱硫废液加入适量ADA混盐，或者取ADA焦化脱硫废液加入适量HPF混盐，加入活性炭，加热到70‑80℃，搅拌1‑2小时，过滤后滤液加入硫酸至pH＝3.5‑4,加热至60‑70℃，搅拌2小时，过滤后滤液再加入氢氧化钙，加热至60‑70℃，搅拌1小时，过滤后滤液蒸发浓缩后冷却、过滤，过滤后固体料经干燥后得到工业一级品硫氰酸钠产品。本专利方法兼顾了HPF焦化脱硫废液与ADA焦化脱硫废液的综合利用，采用化学处理方法直接得到硫氰酸钠产品，方法简单易行，处理成本较低，产品质量优越。

本发明公开了一种液相还原与氢处理制备碲化镉粉末的方法，其工艺步骤为：按照Cd2+与Te(Ⅳ)的摩尔比为0.9～1.1的配比在酸中溶解镉和碲的氧化物、氢氧化物或盐，配制成Cd2+、Te(Ⅳ)的浓度为0.2～1mol/L的溶液；然后将该溶液置于恒温水浴锅中，恒温温度为20～90℃；接着滴加入浓度为0.2～1mol/L的还原剂溶液，并不断搅拌，直至滴加入的还原剂的摩尔质量达到Cd2+和Te(Ⅳ)离子物质的量和的3～5倍为止；反应结束后，将溶液过滤，滤出物置于真空干燥箱烘干，再置于通有流动氢气气氛管式炉中或直接置于通有流动氢气的管式炉中，再在150℃～450℃下反应0.5～4h，冷却至室温即得碲化镉粉末。