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江苏省科学技术厅 江苏省财政厅 江苏省教育厅关于开展减轻青年科研人员负担专项行动的通知
根据《科技部 财政部 教育部 中科院 自然科学基金委 关于开展减轻青年科研人员负担专项行动的通知》(国科发政〔2022〕214号)要求，现就在全省开展减轻青年科研人员负担专项行动(简称“减负行动3.0”)通知如下。
江苏省科学技术厅
2022-11-30
福建省财政厅 福建省科学技术厅关于安排2023年度高校产学合作等科技计划项目经费（省级）的通知
根据《福建省科学技术厅关于印发的通知》（闽科计〔2019〕9号）等相关规定，经研究决定，将“面向‘一带一路’的多模态机器翻译技术研究与产业化”等457项科技计划项目予以立项。现将补助经费下达你们，具体项目经费及科目详见附件。
厅资配处
2023-07-14
福建省财政厅 福建省科学技术厅关于下达2023年度高校产学合作等科技计划项目经费（市级）的通知
根据《福建省科学技术厅关于印发的通知》（闽科计〔2019〕9号）等相关规定，经研究决定，将“高纯氢氟醚的产业化关键技术研究”等56项省科技计划项目予以立项。现将补助经费下达你们，具体项目经费及科目详见附件。
厅资配处
2023-07-14
河南省财政厅 河南省科学技术厅关于下达2023年第七批省创新生态支撑专项经费预算的通知
根据年初预算批复和省科技厅《关于建议下达2023年度第三批省创新生态支撑专项资金的函》（豫科项〔2023〕23号），经审核，现下达你市（县、部门）2023年第七批省创新生态支撑专项经费预算（详见附件1，列2023年“2060302-社会公益研究”支出功能分类科目，省级资金列“50502-商品和服务支出”政府预算经济分类科目，市县资金按照具体用向列入相应政府预算经济分类科目）。
科技项目统筹推进处
2023-07-12
关于“重大病虫害防控综合技术研发与示范”和 “主要作物丰产增效科技创新工程”重点专项2023年度项目正式申报的通知
根据国家重点研发计划重点专项管理工作的总体部署，农业农村部科技发展中心已完成2023年度项目预申报书形式审查工作。其中，“重大病虫害防控综合技术研发与示范”和“主要作物丰产增效科技创新工程”重点专项通过形式审查的项目将直接进入项目正式申报书（含预算申报书）填报阶段。
科学技术部
2023-07-25
四川省科学技术厅关于面向社会公开征求《四川省重大科技专项管理办法》意见的公告
为规范和加强四川省重大科技专项管理，促进重大科技专项顺利实施，根据《四川省科技计划管理办法》（川科政〔2022〕4号），科技厅起草了《四川省重大科技专项管理办法（征求意见稿）》。
四川省科学技术厅
2023-03-03
Nature Methods|郝海平/叶慧团队发表有关环状亚胺离子示踪技术揭示人类蛋白质组存在丰富乳酰化修饰谱的研究论文
该工作针对乳酸是否可以直接共价修饰非组蛋白进而发挥生物学效应的科学问题，提出在公共的人类蛋白质组深度测序数据中搜索乳酰化修饰的新底物蛋白的策略。
中国药科大学
2022-07-11
我国科学家实现生物3D打印技术重要突破
生物3D打印是利用3D打印机，将含有细胞、生长因子和生物材料的生物墨水打印出仿生组织结构的新兴技术，但目前仍无法制备具有生理功能并且可以长期存活的复杂组织。
科技部生物中心
2022-04-01
我国科学家研发出高阶多重实时荧光PCR检测技术
实时荧光PCR技术是目前应用最为广泛的核酸检测技术。然而，由于主流荧光PCR仪器检测通道数目的限制，单个反应所能检测的靶基因数目很难超过6个，限制了该技术在检测涉及多靶点的复杂疾病上的应用。
科技部生物中心
2022-03-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10