|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
可定制外型结构氧气传感器O2S-FR-T2-18X
产品详细介绍 可定制外形结构氧气传感器O2S-FR-T2-18X 一、产品简介： 氧气传感器采用两个氧化锆盘，在其中间是一个密封空间。其中一个盘起的功能是可逆氧气泵，依次充满样品气和抽空此小空间。另一个盘用于测量氧分压差比率，得到相对应的传感电压。氧化锆盘作为氧气泵运行时，需要的700 °C 的温度由加热元件产生。氧气泵使小空间范围内达到额定的最小和最大压力所花的时间和环境中氧分压值具有对应关系。 二、产品特性： 1) 非消耗性的氧化锆传感元件 2) 氧压范围 2 mbar...3 bar 3) 高稳定性和精度，可测量0…100% 氧 4) 对于其他气体无交叉干扰 5) 无需温度稳定 6) 内置加热元件 7) 加热器电压： 4.35 ±0.1 VDC (1.85 A) 8) 允许气体温度： -100...250 °C ； 9) 线性输出信号 三、产品参数
深圳市新世联科技有限公司
2021-08-23
La2O3-Al2O3热障涂层中稀土氧化物的作用及高温相稳定机理研究
本成果研究了不同制备工艺对制备出的喷涂粉末形貌与性能的影响，通过测试不同的La2O3的添加方式以及添加量的涂层的性能，探讨了稀土氧化物La2O3对Al2O3等离子涂层性能的影响，及La2O3在等离子涂层中的作用，同时对喷涂粉末与涂层的相态及高低温条件下的相稳定性进行了研究，找出了在高温下长时间保持相稳定性的涂层。得出的主要结论有： (1). 使用纳米粉体颗粒团聚的方法可以制备符合出符合等离子喷涂要求的粉末，同时其制备出的涂层性能优于传统微米级粉末涂层。 (2). 添加部分La2O3可以抑制Al2O3涂层中晶粒长大，且Al2O3- La2O3涂层更致密，与Al2O3涂层相比，Al2O3- La2O3涂层在抗击热冲击、抵抗热氧化、涂层结合强度方面均有部分提高，但涂层隔热性能与Al2O3涂层相当。 (3). Al2O3涂层中添加部分La2O3与MgO可以制备稳定相的LMA，制备的LMA涂层呈现板片状结构特点，有利于降低涂层内部残余应力，因而可提升涂层性能，其在结合强度、抗击热冲击、抗氧化及隔热性能发面均优于Al2O3- La2O3涂层与Al2O3涂层。 (4). 在1400℃下保温100h，Al2O3涂层与Al2O3- La2O3涂层均会发生γ→α晶形转变，影响涂层的性能，而LMA涂层可保持相稳定性。LMA等离子涂层因其优异的性能可做为传统Al2O3涂层和Y-PSZ涂层的替代者。
北京科技大学
2021-04-11
Fe2O3 层状纳米阵列、具有层状结构的 Fe2O3/PPy 柔性复合材 料及制备和应用
本发明涉及一种 Fe2O3 层状纳米阵列、具有层状结构的 Fe2O3/PPy 柔性复合材料及其二者的制备方法和应用，属于材料领域。 该 Fe2O3 层状纳米阵列利用特定规格的 ZnO 纳米棒模板作为原料制 备，该 Fe2O3/PPy 柔性复合材料采用气相原位化学聚合法复合 Fe2O3 层状纳米阵列和 PPy 得到。气相原位聚合方法更为简单、易实现，可 控性较好。Fe2O3 层状纳米阵列具有特殊的层状结构，具有比表面高
华中科技大学
2021-04-14
解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。
北京大学
2021-04-11
高性能Al2O3弥散强化铜合金
根据强化手段的不同, 高强化铜合金可分为两类: 沉淀强化铜合金和弥散强化铜合金。沉淀强化铜合金是利用过饱和固溶体的脱溶沉淀, 通过时效热处理, 达到强化效果。但沉淀析出相在高温下会聚集长大或重新固溶于基体中, 随着强化相的消失, 沉淀强化作用也随之消失, 从而限制了这类铜合金的使用温度和应用范围。目前被大量使用的铬锆铜合金就属于这一类, 其表现为导电、导热性损失较大，软化温度低(仅为500℃) 等。因此,铬锆铜合金在做点焊电极材料使用时经常出现变形、粘附、使用寿命不长及熔敷现象, 频繁的整修和更换电极严重影响了工作效率的提高。弥散强化铜合金则是通过在金属基体中引入高度分散的热稳定性强的第二相质点，阻碍位错运动，以达到提高强度的目的。而Al2O3粒子硬度高, 热力学和化学稳定性高，熔点高，在接近铜基体熔点的温度下也不会明显粗化，可以有效提高合金的高温强度和硬度。因此，Al2O3弥散强化铜合金可以用在电阻焊电极、集成电路引线框架、微波管结构导电材料、高速列车架空导线、热核实验反应堆、连铸结晶器等方面。本研究开发的Al2O3弥散强化铜合金在保证传统工艺内氧化、还原彻底性和烧结致密性的前提下简化了工艺过程降低了生产成本。 主要性能指标 1.抗拉强度σb：420～560MPa； 2.延伸率：12～20%； 3.导电率：78～85%IACS； 4.软化温度：900℃； 5.导热率：320～340W/ m·K； 6.电阻焊电极使用寿命为传统Cr-Zr-Cu合金的3倍以上
上海理工大学
2021-04-11
高性能Al2O3弥散强化铜合金
根据强化手段的不同，高强化铜合金可分为两类: 沉淀强化铜合金和弥散强化铜合金。沉淀强化铜合金是利用过饱和固溶体的脱溶沉淀，通过时效热处理，达到强化效果。但沉淀析出相在高温下会聚集长大或重新固溶于基体中，随着强化相的消失，沉淀强化作用也随之消失，从而限制了这类铜合金的使用温度和应用范围。目前被大量使用的铬锆铜合金就属于这一类，其表现为导电、导热性损失较大，软化温度低(仅为500℃) 等。因此，铬锆铜合金在做点焊电极材料使用时经常出现变形、粘附、使用寿命不长及熔敷现象，频繁的整修和更换电极严重影响了工作效率的提高。弥散强化铜合金则是通过在金属基体中引入高度分散的热稳定性强的第二相质点，阻碍位错运动，以达到提高强度的目的。而Al2O3粒子硬度高，热力学和化学稳定性高，熔点高，在接近铜基体熔点的温度下也不会明显粗化，可以有效提高合金的高温强度和硬度。因此，Al2O3弥散强化铜合金可以用在电阻焊电极、集成电路引线框架、微波管结构导电材料、高速列车架空导线、热核实验反应堆、连铸结晶器等方面。本研究开发的Al2O3弥散强化铜合金在保证传统工艺内氧化、还原彻底性和烧结致密性的前提下简化了工艺过程降低了生产成本。
上海理工大学
2021-04-13
网格状CuxS/Cu2o0,x=1.75~2复合类金字塔薄膜的制备方法
一种网格状CuxS/Cu2O，x＝1.75～2复合类金字塔薄膜的制备方法，具体作法是：将方块面电阻为10-14欧的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、异丙醇溶剂超声洗净，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO为工作电极，铂片为对电极，采用电压法沉积；沉积后取出FTO，清洗烘干得Cu2O类金字塔薄膜的FTO；再将其放入Na2S溶液中处理，清洗烘干即在FTO上得网格状CuxS/Cu2O复合类金字塔薄膜。该方法设备简单，能耗低，适合大规模生产；制得物对太阳光吸收波长范围宽，作为太阳能电池材料具有应用前景；可作为模版和反应介质直接合成其它具有窄禁带宽度的类金字塔形化合物，作为太阳能电池材料。
西南交通大学
2016-10-20
一种以含铁冶金尘泥为主要原料制备Fe2O3/Al2O3载氧体的方法
（专利号：ZL 201410317209.0） 简介：本发明公开了一种以含铁冶金尘泥为主要原料制备Fe2O3/Al2O3载氧体的方法，属于固体废弃物利用技术领域。该方法通过酸解和pH调节的溶胶凝胶方法在含铁冶金尘泥中得到含有Fe-Al粒子的溶液，将该溶液氧化得到复合粒子溶液，以此为Fe-Al源进行pH调节，产生两种元素的氢氧化物沉淀，最后在氧气或者空气气氛下焙烧生成Fe2O3/Al2O3载氧体。与传统方法相比，该方法制备Fe2O3/Al2
安徽工业大学
2021-01-12
一种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法
“一种化学浴沉积择优取向生长的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法”属于半导体领域。现有方法一般对设备要求较高，需要比较复杂的程序，而最终难以控制成本，这会严重影响Cu2O薄膜的应用范围。本发明提供的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：分别按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围为12∶8～12∶36，硫酸铜与抗坏血酸钠的摩尔范围为1∶3～5∶6，将抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液依次加入硫酸铜溶液中，使充分络合；调节溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴温度中反应1.0h～3.
安徽建筑大学
2021-01-12
钢铁企业副产铁泥制备纳米 α-Fe2O3
该技术是用铁泥制备纳米尺度 α-Fe 2 O 3 ， 首先，对铁泥进行改性，使之全部转化为Fe 2 O 3 ，经酸浸后制得到FeCl 3 ·6H 2 O，然后再进入合成与晶化过程，控制参数得到纳米 α-Fe 2 O 3 产品。工艺路线如下：该技术采用水热法制备 α-Fe 2 O 3 ，可有效控制反应过程，保证成核的均匀性，产品均为纳米粒子，辅加表面活性剂会合成不同形貌的纳米 α-Fe 2 O 3 。用于多种高端材料的制作原料。
北京科技大学
2021-04-13