产品详细介绍 ZNCL-BS智能数显磁力(加热板)搅拌器  ZNCL-BS型数显磁力（加热板）搅拌器的特点：  1.独家采用方形TU2紫铜板真空镀膜/黑晶陶瓷面板加热面加热，美观防腐。  2.独特的加热方式（已申请专利），表面最高温度可达到350℃。  3.数显转速显示功能。  4.控温采用模糊PID控制算法，双屏数字显示，自整定功能，具有测量精度高，冲温小，单键轻触操作，内、外热电偶测温，可控硅控制输出，160-240V宽电压电源，并有断偶保护功能。  5.可对50-10000ml标准或非标准反应瓶进行加热搅拌。  6.采用德国PAPST系列直流无刷电机，性能稳定，噪音小，寿命长，无火花产生。  7.外壳采用一次性形成阻燃加强PBT注塑外壳，耐高温，防腐蚀，且绝缘性能好。  8.30°斜面操控面板适合坐位和站位视角。  9.无极调速，低速平稳，高速强劲。  控制面板  C:加热开关键；D:搅拌开关键；E:设定键；F:移位键/自整定键／<；G:设定减键／∨；H:设定加键／∧；I:温度显示窗口/PV；J:温度设定窗口/SV；K:转速设定/显示窗口/r/min；L:加热输出指示灯/绿灯  ZNCL-BS型数显磁力（加热板）搅拌器的使用方法：  1.将立杆固定在搅拌器后上方螺丝孔内，调整好十字夹高度，用万能夹将反应瓶固定好，放入合适搅拌子，插上内接传感器插头或外接传感器探棒,插入电源～220V，打开总开关。  2.温度设定：按下加热开关按键，进入加热状态，PV、SV窗口有数字显示。按下SET设定键,SV窗口数字闪烁，SV窗口的数字可通过“<”“∨”“∧”按键调整。再按下SET设定键，可退出SV窗口温度设定状态，SV窗口温度设定完成。设定出所需的加热温度如：100℃，绿灯亮表示加温，绿灯灭表示停止。微电脑将根据所设定温度与现时温度的温差大小确定加热量，确保无温冲一次升温到位，并保持设定值与显示值±1℃温差下的供散热平衡，使加热过程轻松完成。  3.转速设定：按下搅拌开关按键，进入搅拌状态，r/min窗口有数字显示。按下SET设定键,SV窗口的数字闪烁，再按下SET键,SV窗口设定状态退出，r/min窗口的数字闪烁，r/min窗口的数字可通过“<”“∨”“∧”按键调整。再按下SET设定键，可退出r/min窗口转速设定状态，r/min窗口转速设定完成。100-2500转/分，LCD显示，按键选择，低速平稳，高速强劲。  4.自整定功能：启动自整定功能可使不同加热段或加热功率与溶液多少无规律时，升温时间最短，冲温最小，平衡最好，但改变加热介质或加温条件后自整定应重新设定。  5.启动自整定：在正常测量控制状态，按住“<”键8秒，即可进入自整定状态，自整定状态下ＡＴ灯闪烁，如果过程需要停止自整定，再按住“<”键8秒即可。  6．按SET设定键调整各个功能参数时，8秒内无任何按键操作，仪器自动退出设定状态，进入正常显示状态。如参数仍需调整，需要再次按SET设定键，进入设定状态。  7.搅拌器后下方有一橡胶塞子，用来保护外用热电偶插座不腐蚀生锈和导通内线用，拔掉则内探头断开，机器停止工作。如用外用热电偶时应将此塞子拔掉保存，将外用热电偶插头插入插座并锁紧螺母，然后将不锈钢探棒放入溶液中进行控温加热。  8.该电器设有断偶保护功能，当热电偶连接不良时，显示窗“hhhh”绿灯灭，电器即停止加温，需检查后再用。  ZNCL-BS型数显磁力（加热板）搅拌器的注意事项：  1、切勿干烧使用。  2.为保证安全使用请勿接地线。  3.为延长产品的使用，所有磁力搅拌器的电机均带有风扇散热功能，故作加热实验时特别是高温加热试验时，该仪器不能单做加热使用，务将电机调至旋转或中速旋转状态（或空转），以防止电机、电器受高温辐射而损坏。如电机不能启动旋转，应及时找经销商予以维修，否则不按要求操作造成损坏或损失，不予负责。  4.做高温加热结束时，请先关加热，待几分钟余温散后再关搅拌。  5.加热部分温度较高，工作时需小心，以免烫伤。  6.有湿手，液体溢出，或长期置于湿度过高条件下出现的漏电现象，应及时烘干或自然晒干后再用，以免发生危险；  7.长期不用时，请放在干燥无腐蚀气体处保存。  8.环境湿度相对过大时，可能会有感应电透过保温层传至外壳，请务接地线，以免漏电，并注意通风。  9.相对湿度：35％-85％（无冷凝）。  10.保险管Φ5×2015A。  140×140mmZNCL-BS智能数显磁力(加热板)搅拌器技术参数： 

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产品详细介绍产品简介MV-EM系列工业相机为维视推出的小尺寸以太网工业相机，该系列相机覆盖30万~1400万像素，采用更加稳定和通用的千兆以太网络进行传输，相机设计小巧，功耗低，具有图像质量清晰、稳定等特点，配套多种主流语言开发包及例程，同时支持第三方图像处理软件直接调用，支持外触发输入控制采集及信号输出，具有极高的性价比，广泛应用于制造业品质控制、高精度测量、智能交通系统、医学和生命科学影像、教育和科研等领域，是您机器视觉图像获取及设备集成的理想之选。EM千兆网工业相机产品特点● 体积小巧，适应更为严苛的安装条件● 采用千兆以太网接口，理论支持100米传输距离● 采用大型数据包形式传输，减少对中断的处理，性能更加稳定● 采用高品质感光器件，较低的功耗及优良的算法，使得图像清晰、低噪声、色彩还原度好● 支持1路外触发输入，可从IO卡/PLC等设备获取控制信号，提高图像获取同步性● 支持1路信号输出，可随曝光时间或自定义输出，如控制频闪灯● CMOS相机支持AOI/ROI进行局部曝光，并提高采集帧率● 支持断网续传功能，在网络断开重新连接时，可自动继续工作● 机身自带缓存，支持交叠外触发，帧率更高，丢包率更低● 随机附赠VB/VB.NET/VC/C#/QT/OpenCV例程并提供源代码方便用户参考及二次开发● 兼容Halcon、Labview、VisionPro、Matlab等第三方图像处理软件● 全面支持Windows XP、Win7、Win8、Win10操作系统性能参数CCD相机型号 最高分辨率 光学尺寸 最大帧率 数据位数 曝光方式 功耗MV-EM030M 640×480 1/3"69.7fps 8/12帧曝光<2WMV-EM120M/C 1280×960 1/3" 40fps 8/12 帧曝光 1.9WMV-EM200M 1600×1200 1/1.8" 20fps* 8/14 帧曝光 1.9WMV-EM200C 1600×1200 1/1.8" 40fps 8/14 帧曝光 2.5WMV-EM510M/C 2456×2058 2/3" 15fps 8/14 帧曝光 2.5W*MV-EM200M可定制40fps*输出颜色：M为黑色 ,C为彩色CMOS相机型号 最高分辨率 光学尺寸 最大帧率 数据位数 曝光方式 功耗MV-EM040M/C 640x480 1/6" 120fps 8/12 帧曝光 1.7WMV-EM130M/C 1280×960 1/3" 60fps 8/12 帧曝光 1.7WMV-EM500M/C 2592×1944 1/2.5" 15fps 8/12 行曝光 1.7WMV-EM1400C 4608×3288 1/2.3" 7fps 8/12 行曝光 1.7W 感光区间波形图MV-EM30M

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恒温恒湿箱方案，实现精准的温度控制和湿度控制，为长期稳定性测试提供保障，还原真实环境，满足长期稳定性测试需求。广泛应用于生物、医疗、化工，电子元件，包装材料，五金，及高等院校等行业。 智能监控：移动终端实时了解设备情况，报警推送，一键售后 稳定节能：半导体技术能耗优势凸显，仅需很少能耗 节水设计：PTC加热模块，水滴预热雾化加湿， 无需废水回收 更低噪音：半导体控制无噪音、无振动、无需维护、对环境无污染

随着人工智能、大数据、物联网、区块链等新一代信息技术兴起，数据量呈现爆炸式增长，传统计算系统的算力难以满足海量数据的计算需求。与此同时，摩尔定律逐渐放缓，单纯依靠提高集成度、缩小晶体管尺寸来提升芯片及系统性能的路径正面临技术极限，通过引入忆阻器新器件、模拟计算新范式、存算一体新架构，将拓展出全新的高性能人工智能芯片与系统，实现计算能力的飞跃。 目前被广泛使用的经典冯·诺依曼计算架构下数据存储与处理是分离的，存储器与处理器之间通过数据总线进行数据传输，在面向大数据分析等应用场景中，这种计算架构已成为高性能低功耗计算系统的主要瓶颈之一：数据总线的有限带宽严重制约了处理器的性能与效率，且存储器与处理器之间存在严重性能不匹配问题。忆阻器存算一体系统把传统以计算为中心的架构转变为以数据为中心的架构，其直接利用阻变器件进行数据存储与处理，通过将器件组织成为交叉阵列形式，实现存算一体的矩阵向量乘计算。忆阻器存算一体系统可以避免数据在存储和计算中反复搬移带来的时间和能量开销，消除了传统计算系统中的“存储墙”与“功耗墙”问题，可以高效、并行的完成基础的矩阵向量乘计算，未来极有潜力成为支撑人工智能等新兴应用的核心技术。 清华大学吴华强教授团队实现了材料与器件、电路设计、架构和算法的软硬件协同等多方面原始创新，解决了系统精度损失等被广泛关注的难题： 材料与器件创新。科研团队选择了电学特性稳定的二氧化铪作为忆阻层核心材料，提出了通过插入少量氧化铝层来固定离子分布、抑制晶粒间界形成的新理论，提出了引入热增强层的新原理器件结构，成功抑制了忆阻器非理想特性的产生。 电路设计创新。开发了一套忆阻器与晶体管的混合电路设计方法，提出“差分电阻”设计思想，采取源线电流镜限流设计，抑制了忆阻器电路中可能产生的各种计算误差。 算法创新。提出了混合训练算法，仅用小数据量训练神经网络并只更新最后一层网络的权重，即可将存算一体硬件系统的计算精度达到与软件理论值相同的水平。 “技术链”创新。从“单点技术突破”拓展到“技术链突破”，开发了针对忆阻器存算一体芯片的电子设计自动化（EDA）工具，打通了从电路模块设计到系统综合再到芯片验证的设计全流程。 上述理论和方法发表于《自然》《自然·纳米技术》《自然·通讯》等国际顶级期刊，以及被誉为“集成电路奥林匹克”的“国际固态电路大会”等顶级学术会议。研究成果被“国际半导体技术路线图”和30多部综述文章长篇幅引用。团队已在该研究方向申请国内外专利72项，其中30项已获得授权，知识产权完全自主可控。 团队已研制出全球首款忆阻器存算一体芯片和系统，集成了8个忆阻器阵列和完整的外围控制电路，以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了计算设备的算力。全系统的计算能效比当前主流的人工智能计算平台——图形处理器（GPU）高两个数量级。团队还设计了一款基于130nm工艺研制的完整忆阻器存算一体芯片，在MNIST数据集上计算速度已超过市面上28nm工艺的四核CPU产品近20倍，能效有近千倍的优势。

项目成果/简介:随着人工智能、大数据、物联网、区块链等新一代信息技术兴起，数据量呈现爆炸式增长，传统计算系统的算力难以满足海量数据的计算需求。与此同时，摩尔定律逐渐放缓，单纯依靠提高集成度、缩小晶体管尺寸来提升芯片及系统性能的路径正面临技术极限，通过引入忆阻器新器件、模拟计算新范式、存算一体新架构，将拓展出全新的高性能人工智能芯片与系统，实现计算能力的飞跃。