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一种即刻交联技术用于制备大孔三维纳米纤维支架
本发明提供一种利用即刻交联技术结合静电纺丝技术制备三维纳米支架的方法，本发明得到的支架 具有三维立体的结构，厚度为 0.05-10mm，结构蓬松，纤维间空隙为 0-30μm，孔隙大小可调，本发明操 作简便、所涉及的即刻交联的方法解决了机械和加工性能稍差的天然生物分子进行静电纺丝后再交联所 产生的纤维溶解、结构破坏的问题，可以获得结构稳定、三维立体、疏松多孔的纳米纤维支架，为组织
武汉大学
2021-04-14
一种三角波激励磁场下的磁纳米温度测量方法
本发明公开了一种三角波激励磁场下的磁纳米温度测量方法，属于纳米测试技术领域。该方法具体为：（1）将磁纳米样品放置于待测对象处；（2）在磁纳米样品所在区域施加三角波激励磁场；（3）检测三角波激励磁场-时间曲线和磁纳米粒子样品的磁化强度-时间曲线；（4）依据三角波激励磁场曲线和磁化强度曲线得到磁纳米粒子磁化曲线即激励磁场-磁化强度曲线，对该曲线采样获得激励磁场 Hi 下磁纳米粒子样品的磁化强度 Mi；（5）以激励磁场 H
华中科技大学
2021-04-14
一种基于磁纳米粒子交流磁化率虚部的成像方法
本发明公开一种磁纳米粒子浓度成像方法，其主要创新在于采用交流磁化率的虚部来进行浓度成像，有效提高磁纳米粒子成像的空间分辨率。对磁纳米粒子施加交流磁场和直流梯度磁场，检测出一次谐波幅值和相位。利用幅值差和相位差或直接利用磁化强度变化量计算出磁纳米粒子交流磁化率的实部和虚部。通过控制直流梯度磁场的零磁场点位置，求解出不同空间位置的磁纳米粒子交流磁化率的实部和虚部，进而利用交流磁化率的虚部实现磁纳米浓度成像。从仿真数
华中科技大学
2021-04-14
一种金属氧化物/铂纳米颗粒复合催化剂的制备方法
本发明公开了一种金属氧化物/铂纳米颗粒复合催化剂的制备方 法，该方法包括:使用原子层沉积方法生长铂纳米催化剂颗粒和金属 氧化物，通过改变原子层沉积循环次数，从而沉积所需厚度的氧化物 复合层和所需粒径的纳米颗粒，两者结合形成复合催化剂。通过本发 明，可以精确制备金属氧化物和铂纳米颗粒的复合催化剂，锚定金属 催化颗粒从而提高铂催化剂在高温下的热稳定性，且由于氧化物薄膜 与金属直接具有催化协同效应，能够在提高催化剂抗烧结性的同时， 提高催化剂的活性。
华中科技大学
2021-04-14
一种纳米压印制备柔性透明表面增强拉曼散射基底的方法
本发明专利公开了一种柔性透明表面增强拉曼散射基底的制备 方法。该方法结合了多孔氧化铝模板与纳米压印技术。首先，利用阳 极氧化方法制备了多孔氧化铝模板；然后，在多孔氧化铝模板上沉积 贵金属纳米颗粒；最后，利用纳米压印技术将多孔氧化铝模板的纳米 结构和贵金属纳米颗粒转移到聚合物薄膜上，得到一种柔性透明的表 面增强拉曼散射基底。基底具有优异透明性、柔性、均匀性及高灵敏 度，可以应用在瓜果蔬菜表面农药残留的原位探测、水溶液中
华中科技大学
2021-04-14
一种基于磁纳米粒子交流磁化率的温度测量方法
本发明公开了一种基于磁纳米粒子交流磁化率的温度测量方法，所述方法包括如下步骤：(1)确定待测对象区域，并利用通电螺线管对待测区域施加交流激励磁场；(2)利用探测线圈采集交流激励磁场下待测区域的磁感应强度 H1；(3)保持交流激励磁场不变，将磁纳米样品放置于待测对象的待测区域内，利用探测线圈采集施加磁纳米样品之后待测区域的磁感应强度 H2；(4)计算磁纳米粒子的交流磁化率χ的实部χ’和虚部χ”；其中的 A1，A2，α都
华中科技大学
2021-04-14
一种基于磁纳米粒子一次谐波幅值的成像方法
本发明公开了一种基于磁纳米粒子一次谐波幅值的成像方法。采用交流磁化强度一次谐波幅值实现磁纳米浓度成像，只需在一个方向施加高频正弦磁场并在不同方向提供扫描磁场便可实现一维、二维以及三维空间的扫描；用低频三角波扫描磁场或低频正弦波扫描磁场控制空间区域零磁场点的位置，求解出不同空间位置的磁纳米粒子的一次谐波幅值，最终实现磁纳米浓度成像，从而避免了通过改变直流电源的大小来移动零磁场点扫描空间，有效提高了磁纳米粒子成像的
华中科技大学
2021-04-14
一种纳米压印制备柔性透明表面增强拉曼散射基底的方法
本发明专利公开了一种柔性透明表面增强拉曼散射基底的制备 方法。该方法结合了多孔氧化铝模板与纳米压印技术。首先，利用阳 极氧化方法制备了多孔氧化铝模板；然后，在多孔氧化铝模板上沉积 贵金属纳米颗粒；最后，利用纳米压印技术将多孔氧化铝模板的纳米 结构和贵金属纳米颗粒转移到聚合物薄膜上，得到一种柔性透明的表 面增强拉曼散射基底。基底具有优异透明性、柔性、均匀性及高灵敏 度，可以应用在瓜果蔬菜表面农药残留的原位探测、水溶液中
华中科技大学
2021-04-14
一种芯壳型纳米线三维 NAND 闪存器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件，该存 储器件由芯壳型纳米线作为 NAND 串组成，所述 NAND 串垂直于衬 底。利用芯壳型纳米线作为 NAND 串制作存储器件，不仅使器件的结 构更加简单，也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤，简 化了制备过程，对降低制造成本有积极作用
华中科技大学
2021-04-14
一种微流控芯片及其在单分散纳米颗粒制备中的应用
本发明公开了一种微流控芯片及其在单分散纳米颗粒制备中的 应用。所述芯片包括内管、外管和外管进样头；所述内管与外管共中 心轴套接；所述内管一端为尖端出样口，深入外管内部，内管另一端 为进样口，伸出外管外部；所述外管进样头嵌合在外管管壁上。本发 明提供的微流控芯片结构简单，使用寿命较长，具备各向均一性，制 备的纳米颗粒单分散性好，粒径一致。
华中科技大学
2021-04-14