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内地与港澳大学校长圆桌会在香港举行
积极支持内地与港澳大学联合成立生命科学开放联盟,创办世界一流科技期刊,发起和参与国际大科学计划。
微言教育 2025-08-13
一种碳纳米球/NiCo2O4复合材料及其制备方法与应用
本发明涉及一种用于锂离子电池、超级电容器的高能量密度的碳纳米球/NiCo2O4 复合材料及其制备 方法与应用,所述的碳纳米球/NiCo2O4 复合材料是粒径为 100-300nm 的核壳结构纳米微球,其内层是粒 径为 50-200nm 的碳纳米球,外层是厚度为 20~100nm 的 NiCo2O4 包覆层。其制备方法为:先将粒径为 50-200nm 的碳纳米球与油酸钠混合后超声分散均匀;然后加入弱碱、Co2+和 Ni2+,混合均匀后水热处 理得
武汉大学 2021-04-14
高强度高透水性能构建海绵城市透水路面关键材料与技术研 发
我国拥有幅员辽阔的内陆水域,如何安全、高效的完成特定水域的巡逻和水 文信息监测工作一直是我国水文水利建设的重要组成部分。 水面无人船是一种无人操作的水面舰船平台,配备先进的控制系统、传感器 系统、通信系统和武器系统,可以最大程度上填补水域测量领域载人船无法到达或不易到达的危险、浅滩、近岸等空白区域,真正做到高精度、自动化、高效益,可广泛应用于常规测绘、水利水文、航道、环保和灾害应急等行业及其他相关部门。 本项目的产品,是在“制造强国”国家战略指导下,符合国家和地方政府政策重点鼓励发展的高技术、智能装备、高附加值项目,符合国家经济结构和产业结构调整的相关政策和导向。本研发团队联合上海交通大学和上海市船舶自动化工程研究中心,共发表 SCI 论文 200 篇以上,拥有授权发明专利 40 项。
江南大学 2021-04-13
中央财经委:加强交通、能源、水利等网络型基础设施建设
中共中央总书记、国家主席、中央军委主席、中央财经委员会主任习近平4月26日主持召开中央财经委员会第十一次会议,研究全面加强基础设施建设问题,研究党的十九大以来中央财经委员会会议决策部署落实情况。会议强调,要强化基础设施建设支撑保障。要坚持创新驱动,加大关键核心技术研发,提升基础设施技术自主可控水平。要造就规模宏大的科技人才队伍,壮大高技能人才队伍,培养大批卓越工程师。
新华社 2022-04-27
基于铝镓合金在线供氢的氢能源技术及应用研发
铝镓合金是一种新型、易储、即取的固体能量块。其是以铝为主体的在线供氢材料,加水实现平稳释氢。其制备工艺流程简单、易于实现,且产品易于储存、运输和销售。该项成果处于同类产品世界领先水平,其产业化能够避免目前氢气利用过程中储存、运输和加注等环节带来的困扰,从而有效突破阻碍氢能源经济发展的技术瓶颈。 研究团队 吉林大学材料科学与工程学院 魏存弟教授研发团队 成果成熟度 可产业化。
吉林大学 2021-05-11
基于铝镓合金在线供氢的氢能源技术及应用研发
项目成果/简介: 铝镓合金是一种新型、易储、即取的固体能量块。其是以铝为主体的在线供氢材料,加水实现平稳释氢。其制备工艺流程简单、易于实现,且产品易于储存、运输和销售。该项成果处于同类产品世界领先水平,其产业化能够避免目前氢气利用过程中储存、运输和加注等环节带来的困扰,从而有效突破阻碍氢能源经济发展的技术瓶颈。 研究团队 吉林大学材料科学与工程学院 魏存弟教授研发团队 成果成熟度 可产业化。应用范围: 铝镓合金在线供氢技术可应用于氢能源汽车,还可作为无人机、野外探测、单兵作战及面对大型灾难的等各类电源系统。该技术无须加氢站,避免了传统氢能源利用技术路径高投资、低回报、周期长等问题,投资回报高。
吉林大学 2021-04-10
一种物流中心能源消耗和污染排放监控及评估系统
本发明公开了一种物流中心能源消耗和污染排放监控及评估系统,包括装卸过程循环控制系统、运输过程循环控制系统、流通加工过程循环控制系统、分拣过程循环控制系统、仓储过程循环控制系统和总服务器,每个过程循环控制系统均包括设备、执行机构、检测器、通讯系统与过程用服务器,过程服务器能根据检测器发送的检测数据来判断此时设备是否处于最佳工作状态,当过程服务器检测到此时设备不是处于最佳工作状态时,过程服务器会报警或者对设备进行调整;总服务器所有过程循环控制系统发送的所有检测数据进行汇总保存、并进行能耗与污染排放数据分
东南大学 2021-04-14
城市深层地热能源开发-水力热多场耦合技术
项目背景:地热工业资源利用可获取许多贵重的稀有元 素、放射性元素、稀有气体和化合物,也可用于地热发电、 地热供暖、地热医疗等场景。目前,我国大科学计划在探索 超热岩发电技术、深层地热开发相关颠覆性技术方面,需要 支撑深层高温钻井和压裂建库等技术的研发设备平台。因 此,研制高温高压岩石真三轴测试平台等,可为后期开发工 作提供基础数据和理论依据。本项目的难点在热、力学热冲 击效应下,高温岩石真三轴加热保温材料的多场耦合技术, 井筒密封,高温声发射监测,并能模拟现场工况等,设计实 验平台结构设计并保证性能。 所需技术需求简要描述:关键技术;岩样尺寸(方形): 200mm(250MPa)、300mm(400℃)主要试样、600mm( 400℃ )。 真三轴试验力:10000kN×3、精度 0.5% ,刚性加载,位移、 变形、力三种控制。岩样最高温度:400℃,程序升温,升 温梯度 5-20℃/min,温度精度±1℃。水力压裂注入压力: 120MPa/携沙,压力、流量控制,精度 0.5%,压力控制 0.001MPa;升学监测:16 通道,波导杆和直接测量。暂堵装 置:流量 1000L/min,压力 30MPa。  对技术提供方的要求:在深层地热资源开发领域,拥有 一定的研发基础和实验平台制造经验,相关研究成果处于国 内领先水平。 
青岛乾坤兴智能科技有限公司 2021-09-13
压接型IGBT器件封装的电热力多物理量均衡调控方法
1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况,研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统(如图1所示),可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控,用于研究电压类型(交、直流、重复方波电压)、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性,具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能(如图2所示),平台相关参数:频率:DC~20kHz,电压:0~20kV,上升沿/下降沿:150ns可调,占空比:1%~99%,温度:25℃~150℃,气压:真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题,研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统(如图3所示),平台具有灵活调节IGBT芯片布局,栅极布线,温度和压力分布的能力,可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究,以及瞬态电流不均衡调控方法的研究;平台相关参数:电压:0~6.5kV,电流:0~3kA,温度:25℃~150℃,压力:0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升,对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求,自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备(如图4所示)。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试,最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调,功率循环周期为秒级,极限测试能力可达 300 ms,最高压力达220 kN,虚拟结温测量精度达±1°C,导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测,最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段,针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题,提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法,实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计,设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈(如图5所示),实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%;针对器件内部多芯片并联芯片结温测量,提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法,通过各芯片栅极的时序单独控制(如图6所示),在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量,进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上,完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计(如图7所示)。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求,开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作,相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制,并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验,同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。
华北电力大学 2021-05-10
一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法
本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法,具体地说,是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法,属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤:清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜,得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向:半导体发光与显示领域技术创新:本发明具有如下的有益效果:器件结构简单,无污染,制备成本低;不需要荧光粉,发光效率高;发光性能稳定,光谱波长范围宽。
江苏师范大学 2021-04-11
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