本发明涉及一种铌酸钠钾基无铅压电陶瓷-聚乙烯醇(PVA)压电复合材料及其制备 方法。该方法按通式(1-x)(LiaNabK1-a-b)(Nb1-cSbc)O3-xABO3-yM组分配料，以分析纯无水 碳酸盐或氧化物为原料，用传统陶瓷制备工艺制得陶瓷粉末；将陶瓷粉末与聚乙烯醇按 体积比5/90～95/5的比例配成混合粉料后加入去离子水，再加热使PVA溶解；然后超声分 散，将混合粉料烘干后经压片机冷压成型，再用马弗炉加温处理，最后在其表面溅射金 属电极，经硅油浴极化，即制得铌酸钠钾基无铅压电陶瓷-聚乙烯醇压电复合材料。该 压电复合材料为纯钙钛矿晶相，无杂相；且具有良好的压电性能与介电性能。

Cs2AgBiBr6等双钙钛矿由于无毒、稳定性好等优势，已成为钙钛矿研究领域的热点方向。然而，由于Cs2AgBiBr6具有较大的带隙（2.2 eV），其在光电器件中的应用受到了限制，实现Cs2AgBiBr6带隙的可控调节是双钙钛矿高压研究的一个难点。该研究工作利用金刚石对顶砧（DAC），通过高压下的原位拉曼光谱、紫外可见吸收光谱、X射线衍射来表征Cs2AgBiBr6结构及性质随压力的变化。研究发现Cs2AgBiBr6在3 GPa压力时会由面心立方转变成四方相，导致晶体中AgBr6和BiBr6正八面体的倾斜扭曲，减少了电子轨道的重合，使得四方相的Cs2AgBiBr6的带隙逐渐增大。继续升高压力至6.5 GPa，Cs2AgBiBr6晶体呈现非晶化趋势，带隙逐渐减小至1.7 eV。卸压至常压后，材料中残留的非晶结构部分保留了高压下的性质，使无铅钙钛矿Cs2AgBiBr6常压下的带隙减小8.2%。该工作对于探索双钙钛矿结构-性质间的关系，以及高压下性质的可控调节具有重要的研究意义。

本发明涉及一种具有高d33的无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法。该方法按式(1-x)(LiaNabK1-a-b)(Nb1-cSbc)O3-xABO3-yM组分配料，采用传统陶瓷制备方法制备铌酸钠钾基无铅压电陶瓷粉料；再将陶瓷粉料与聚合物聚偏氟乙烯按比例混合球磨；烘干后超声震荡，将混合粉料经冷压成型后加温处理，再在其表面溅射金电极，硅油浴中极化后测试其压电复合材料样品的压电性能d33；最后将样品置入去离子水或盐溶液中浸泡，再测试其样品的压电性能d33。结果表明，经浸泡处理的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的d33比未经浸泡过的有大幅度提高，提高比例甚至可达300％。

本发明属于物理化学材料制备技术领域，具体涉及一种镧掺杂铌镁酸铅-钛酸铅透明陶瓷的制备方法，先以MgO、Nb2O5、PbO、TiO2和La2O3为原料，用高能球磨法制备PMN-PT粉体，再用干压成型或冷等静压工艺压制陶瓷坯体，烧结后在氧气氛条件下间歇抽真空保温得到PMN-PT透明陶瓷。本发明的优点在于：（1）采用上述方法制备的PMN-PT陶瓷，具有不含焦绿石相的纯钙钛矿相，致密度高，红外波段透光率最高可达67%，接近其理论透光率。（2）本制备方法中采用高能球磨，而不是传统工艺中的行星球磨，转速快，得到的粉体粒径小、成分均匀，而且耗时短。（3）使用廉价的普通烧结炉，采用一步烧结，降低粉体制备工艺耗时，可以制备复杂形状透明陶瓷，适合工业化批量生产、成本低。新一代信息技术是当前国家十三五战略规划新兴产业，也是山东省新旧动能转化十大重点产业之一。在信息通信领域，电光开关、电光调制器是光通信领域的核心器件，而铌镁酸铅-钛酸铅基透明电光陶瓷则是开发上述器件的核心材料。铌镁酸铅-钛酸铅基透明电光陶瓷的专利技术与相关企业，如青岛海泰光电技术有限公司、青岛浦芮斯光电科技有限公司等单位，合作研发生产基于PMN-PT透明陶瓷的高性能电光器件，扩展其在光通信领域的应用，推进我国光通信网络建设。也可和相关企业转让，实现产业化。

本发明涉及一种具有高d33无铅压电陶瓷与聚合物和盐压电复合材料及其制备方法,属于压电复合材料技术领域。按(1-x)(LiaNabK1-a-b)(Nb1-cSbc)O3-xABO3-yM组分配料,采用传统陶瓷制备工艺制备好铌酸钠钾基无铅压电陶瓷粉料;再将陶瓷粉料与聚合物聚偏氟乙烯和盐按设计比例混合,接着将混合粉料经冷压成型后加温处理,再在其表面溅射金电极,硅油浴中极化后测试其压电复合材料样品的压电性能d33;最后将样品放置在空气中,再测试其样品压电性能d33。结果表明,加盐的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的d33比未加盐的d33有大幅度提高。

甲烷磺酸及其锡、铅是无氰电镀的重要原料，99.8%甲烷磺酸还是重要的医药中间体。 结构式为：CH3SO3H    （CH3SO3）2Sn   (CH3SO3)2Pb 以硫粉，硫酸二甲酯为原料制备了二甲基二硫，然后通氯氧化制得了甲烷磺酰氯，再经水解得到甲烷磺酸。甲烷磺酸与锡盐和铅盐反应得到了甲烷磺酸锡和甲烷磺酸铅。该工艺先进，可制备系列产品。 设备投资： 反应釜 4台；蒸馏装置2套；水解釜 1台；过滤装置 1套；加热设备 1套

铁电陶瓷粉体及其集成器件的研究与开发是目前最为活跃的领域。大部分铁电陶瓷是钙钛矿型复氧化物，其中最为重要的是BaTiO3基氧化物陶瓷。BaTiO3是在第二次世界大战的1942年到1945年间，由美国、苏联、日本各自发现的高介电常数、强介电体的材料。由于其具有优越的介电、压电、铁电性能，被广泛应用于制备各种陶瓷电容器、微波器件、铁电存储器、温度传感器、非线性变阻器、热敏电阻、超声波振子、蜂窝状发热体等电子器件。随着现代科学技术的飞速发展和电子元件的小型化、高度集成化，需要制备与合成符合发展要求的高质量的钛酸钡基陶瓷粉体。纳米BaTiO3基电子陶瓷具有独特的绝缘性、压电性、介电性、热释电性和半导体性为元器件的小型化、集成化带来可能，大大提高了产品的附加值和市场竞争力。如采用纳米BaTiO3粉末制多层电容器，可以显著减薄每层厚度增加层数，从而大大提高电容量和减小体积。因此，低成本合成钛酸钡基纳米陶瓷粉体对我国信息产业、电子工业等的发展具有重要的意义。 溶胶-凝胶自燃合成(Sol-gel Autoignition Synthesis，SAS)是九十年代伴随着高温燃烧合成的深入研究和超纯、超细氧化物陶瓷的制备而出现的一种低成本制备与合成单一氧化物和复杂氧化物的技术。它是指有机盐凝胶或有机盐与金属硝酸盐在加热过程中发生氧化还原反应，燃烧产生大量气体，可自我维持并合成所需燃烧产物的材料合成工艺。它的主要的特点有以下几点：(1)：燃烧体系的点火温度低(150℃-200℃)，一般为有机物的分解温度；(2)：燃烧火焰温度较低(1000℃-1400℃)，燃烧时产生大量气体，可获得具有高比表面积的陶瓷粉体。高温燃烧合成燃烧温度一般高于1800℃，合成的粉体粒度较粗，而SLCS则可制得纳米粉末；(3)各组分达到分子或原子水平的复合；(4)：反应迅速：燃烧合成一般在几分钟内完成；(5)所合成的粉体疏松多孔，分散性良好；(6)：耗能低；(7)：所用设备和工艺简单、投资小；(8)：自净化：由于原料中的有害杂质在燃烧合成过程中能挥发逸出，所以产品纯度易于提高。 本项目申请者采用SAS技术已经成功地合成了粒度达70nm左右的BaTiO3陶瓷粉体。 广泛应用于制备各种陶瓷电容器、微波器件、铁电存储器、温度传感器、非线性变阻器、热敏电阻、超声波振子、蜂窝状发热体等电子器件。

可以量产/n目前合成溴铅铯粉体大多采用去离子水做溶剂的化学共沉淀法，虽然溴化铅和溴化铯在去离子水中有较高的溶解度，且用去离子水作溶剂能大量合成溴铅铯粉料，但是水基液相法易产生副产物CsPb4Br6 和CsPb2Br5。针对现有技术的以上缺陷或改进需求，该项目提供了一种溴铅铯粉体制备技术，其目的在于获取纯度高，杂相少，颗粒均匀的溴铅铯粉体。该制备方法中，起始溶液以氢溴酸为溶剂，化学共沉淀反应中以氢溴酸为底

铅富氧闪速熔炼新技术及装置，攻克了低品位铅矿、铅二次 资源、卡林金矿和复杂含金物料等的经济利用关键技术与装备难题及工程实践 问题，形成了经济、高效、清洁、短流程直接炼铅新工艺，并建成了年产 10 万吨粗铅规模的示范工程。铅总回收率 98.5%、硫利用率大于 98%，伴生金银回收率 99.5%、铜回收率 85%、锌回收率大于 90%。主要创新点为：①发明了铅富氧闪速熔炼新技术，改变了铅的生成途径，增强了工艺对 物料的适应性，入炉料含铅由底吹熔炼的 48%降至 25%甚至更低，实现了低品 位铅矿、铅二次资源的经济利用，解决了铅冶炼过程能耗高、污染重等问题； ②发明研制了铅富氧闪速熔炼成套装备，优化了反应塔的温度场、氧势场、颗 粒场以及熔池的气流场，生产操作更加稳定；③创新了铅富氧闪速熔炼的成套 操作技术，形成了清洁、高效、短流程、伴生金属回收率高的直接炼铅新工艺； ④发明了难处理卡林金矿和硫化金精矿混合熔炼的金高效捕集新技术，实现了 伴生金、银、铅、锌、硫的同步高效回收。相关研究成果以 20 余篇论文形式在 国际会议及学术期刊上宣讲和发表，被收入邱定蕃院士主编的《有色冶金与环 境保护》专著中。

本发明公开了一种铅炭复合材料、其制备方法及应用。所述复合材料包括三维多孔结构的炭骨架和附着在炭骨架上的纳米氧化铅-金属铅颗粒，炭骨架和纳米氧化铅-金属铅颗粒的质量比例在1:10³ 至 1:10 之 间 ； 炭 骨 架 的 比 表 面 积 在20m²/g 至 1000m²/g 之间；纳米氧化铅-金属铅颗粒中金属铅的摩尔比例小于或等于 50％。其制备方法以铅的有机配合