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磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下,大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术,获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像,以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制,通过抑制熔体的热对流和温度波动,降低熔硅与石英坩埚的反应速率,控制氧的浓度和分布,从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点:(1)结合覆盖剂的应用,获得不同磁场下,硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律;(2)在磁场作用
南京航空航天大学 2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延, 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶,而高真空环境减少沉积过程中的能量损失,配合上合适的沉积温度 和退火温度,能够改变 ZnO 的择优生长方向,使得 ZnO 优先于面内生长,改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学 2021-04-14
一种利用锡须生长填充微孔的方法
本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法,依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层,在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处,沉积的金属内部自然形成空洞;在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶;腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层,从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线;将金属互连线的两端接电极,通电,促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞,也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷,从而实现小直径通孔的填充。
华中科技大学 2021-04-11
基于多元信息融合的油菜生长模型建模及应用
基于多元信息融合的油菜生长模型是用数学方程描述油菜、气候和土壤之间的作用过程,根据气象条件、土壤条件以及管理方案,动态定量的描述油菜生长、发育、籽粒形成及产量。油菜生长模型最重要的意义是对整个油菜生育系统的知识进行综合,并量化生理生态过程及其相互关系,即综合知识和量化关系。油菜模型是利用计算机强大的信息处理和计算功能,对不同生育过程进行系统分析和合成,相当于所研究系统的最新知识的积累和综合。在这种知识合成的过程中,还能鉴定知识空缺,从而明确新的研究方向,同时,油菜模拟研究在理解油菜生理生态过程及其变量间关系的基础上,进行量化分析和数理模拟,从而促进了对油菜生育规律由定性描述向定量分析的转化过程,深化了对油菜生育过程的定量认识。
南京工业大学 2021-01-12
新生儿生长发育指标测量仿真模型
XM-YEF新生儿生长发育指标测量仿真模型   功能特点: ■ XM-YEF新生儿生长发育指标测量仿真模型共有3种不同生长指标的新生儿仿真模型,此3种模型人为1套,供学生训练与考核用。 ■ 3种新生儿模型均为男性,其身高分别为52cm、50cm、47cm,头围分别为42cm、34cm、31cm,体重分别为3kg、2kg、1.7kg。 ■ 身长测量:新生儿仿真模型的关节可活动,在自然状态下腿部呈M型,在测量新生儿身长时,操作者可拉直新生儿的关节,并且可推直新生儿的脚,使之与腿部呈90度角。  ■ 可进行新生儿抱持、包裹、擦浴、穿衣、换尿布、喂奶、清洁眼、耳、鼻等基础护理操作,可测量体重、胸围、腹围、头围等。 ■ 可进行皮肤护理。
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
万深RootGA根系显微成像和动态生长监测系统
产品详细介绍万深RootGA根系动态生长监测分析和显微成像系统1、用途:定时自动成像雾培、水培、琼脂培养基培、土培、沙培的盆栽农作物根系,并动态监测其根系生长速度,动态跟踪根系细微结构、根尖数和根毛变化,以及根尖病变情况,宏观动态统计分析不同时刻点根系的整体发展变化,还可分析洗净根系情况,获得根系生长的动态数据,以便科学客观地评价植物生长质量相应关键因素,如分析:光照、水肥、温湿度环境对生长与抗逆性的影响。2、系统组成:多组的自动对焦800万像素多关节的大景深拍摄仪+背光套件+透明培养器皿套件,连续变焦单筒体视测量显微镜、500万像素显微相机、手动X-Y移动显微平台+上下光源,根系分析软件和电脑(酷睿i5 8400 CPU /8G内存/500G硬盘/1G显存/ 19.5”彩显/无线网卡)。3、 主要性能指标:1)多关节的大景深拍摄仪+背光成像套件可在植物侧面等位置上,在不同时刻点自动拍照跟踪监测根系,自动生成根系的整体发展变化和生长的动态数据,动态图示标记活体根系每天的新生长区和统计其对应的新生长根量,包括不同深度位置上的根量变化。系统具备对根系生长异常的预警机制。该动态跟踪分析的根系成像视野为240mm宽*380mm高,自动拍照分析的时间间隔0.5-48小时可调(若定时拍照时间点前接入电脑,即可自动启动拍照。1台电脑能自动轮巡监测10个视野以内的作物植株原位根系动态变化(标配默认提供4套动态生长监测成像硬件,若要实时监测10个视野的作物植株原位根系,需配10套拍照成像组件)。1分钟内自动拍完全部照片后,该监控电脑即可另做他用(不用被独占)。2)可按被监控根系分块区域图像显示根量随时间变化的密度热力图,各部位的变化精细度可由分块监控大小来自定义控制。根系软件能自动生成根系生长的视频,以便按时间节点来回溯查看。3)可对原位土培根系图像进行交互引导分析、锁定编辑根系路径、修正根系的长短、粗细、位置等。具有鼠标编辑点的跟随放大镜。能自动拼接多张原位根系图。4)可做洗净根系分析:1)根总长;2)根平均直径;3)根总面积;4)根总体积;5)根尖计数;6)分叉计数;7)交叠计数;8)根直径等级分布参数;9)根尖段长分布,10)可不等间距地自定义分段直径,自动测量各直径段长度、投影面积、表面积、体积 等,及其分布参数;11)能进行根系的颜色分析,确定出根系存活数量,输出不同颜色根系的直径、长度、投影面积、表面积、体积。12)能进行根系的拓扑分析,自动确定根的连接数、关系角等,还能单独地自动分析主根或任意一支侧根的长度和分叉数等,可单独显示标记根系的任意直径段相应各参数(分档数、档直径范围任意可改,可不等间距地自定义),并能进行根的分叉裁剪、合并、连接等修正,修正操作能回退,以快速获得100%正确的结果。13)能用盒维数法自动测根系分形维数。可分析根瘤菌体积在根系中的占比,以客观确定根瘤菌体贡献量。14)大批量的全自动根系分析,对各分析结果图可编辑修正。15)能做根系生物量分布的大批量自动化估算。16)能自动测量油菜、大豆等果荚的果柄、果身、果喙部分的粗细、长、弧长、玄高等参数。能自动测量各种粒的芒长。17)能测各类针叶的叶面积、长度、粗细。18)各分析图像、分布图、结果数据可保存,分析结果输出至Excel表,可输出分析标记图。5)可单筒体视显微镜500万像素彩色成像(最高可放大270倍),能自动拼接多张显微根系图,可分辨小至0.01mm的根毛,方便观察根际细微结构、根尖数和根毛变化,以及根尖病变情况;手动X-Y移动显微平台可二维扫描微观根系,获得超高分辨率的大幅面根系图像。
杭州万深检测科技有限公司 2021-08-23
单分子晶体管器件研究取得重要进展
当电子器件基本单元--晶体管的尺寸进入到亚纳米尺度,量子效应将越来越显著。探索极端尺度下的晶体管器件并研究其性能和物理机理,对未来信息技术以及介观物理学的发展具有深刻的意义。
科技部 2021-04-19
光晶体管结构的柔性紫外探测器
本发明涉及提出一种无机钙钛矿光晶体管结构的紫外探测器。基底(1)为玻璃基底,在基底(1)上制备CsPbX3薄膜(2)作为有源层,在CsPbX3薄膜(2)表面制备同物质的CsPbX3量子点(5)掺杂的PMMA有机层(4)作为栅绝缘层,以此为紫外光感应窗口;薄膜晶体管的源极(3.1)、漏Au电极(3.2)分别位于CsPbX3薄膜(2)上的两边,FTO栅极(6)位于CsPbX3薄膜(2)的上的中间,在薄膜晶体管的源极(3.1)、漏Au电极(3.2)和FTO栅极(6)调制下,获得光生载流子分离、转换的电信号读取、放大的集成功能,以实现高响应度的紫外信号探测。光晶体管探测器可采用如图1所示的顶栅结构,也可以采用如图2所示的底栅结构。以上两种结构可制备在玻璃基板上,也可以制备在柔性基板上形成底栅或顶栅结构的柔性光晶体管紫外探测器。
东南大学 2021-04-11
一种混合光子晶体及其制备方法与应用
本发明公开了一种混合光子晶体及其制备方法与应用,该混合光子晶体包括聚乙二醇双丙烯酸酯反蛋白石骨架及填充于该骨架孔隙中的甲基丙烯酸酯明胶和磁性纳米粒子;制法为采用二氧化硅胶体微球作为模板,加入预凝胶A反应、聚合后,去除二氧化硅胶体微球,制得聚乙二醇双丙烯酸酯反蛋白石骨架,随后将预凝胶B加入骨架中反应、聚合后,即可。该混合光子晶体作为载体应用于耐药细胞的检测。本发明的显著优点为该混合光子晶体稳定性强,具有优越的生物兼容性和磁性响应性;制法简单,可操作性强,成本低,环境友好;应用于耐药细胞的检测,其表面负载叶酸,能够特异、灵敏、简单、有效地抓捕到髓性白血病耐药细胞。
东南大学 2021-04-11
ZnGeP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
一种ZnGeP2晶体的腐蚀剂,由冰醋酸、氢氟酸、硝酸、碘和纯净水配制而成,冰 醋酸、氢氟酸、硝酸、纯净水的体积比为:冰醋酸∶氢氟酸∶硝酸∶纯净水=1∶2∶2∶ 1,碘的质量∶冰醋酸体积=4∶1。一种ZnGeP2晶体的腐蚀方法,使用上述腐蚀剂,工 艺步骤依次为:(1)腐蚀,将ZnGeP2晶片浸入腐蚀剂中,在超声波振荡下于常压、室 温腐蚀4~16分钟取出;(2)清洗,将从腐蚀剂中取出的ZnGeP2晶片浸入反应终止液 中摆动清洗终止反应,再用纯净水清洗至中性,所述反应终止液由质量浓度5%的NaOH 和质量浓度为3%的Na2S2O3配制而成,NaOH与Na2S2O3的体积比=1∶1;(3)干燥。
四川大学 2021-04-11
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