本发明涉及一种多功能火灾试验炉系统装置,包括加热炉本体、燃料系统、电子点火及控制系统、燃烧控制系统、供风系统、排烟系统、烟气特性测试系统、温度场及辐射热通量测试系统、炉室及烟道压力测试系统、泵式喷淋水灭火系统、实验图像采集系统及加载装置。本发明提供的火灾试验炉可以多角度地实验模拟在火灾高温作用下建筑结构体系情况，可以研究建筑结构体系的着火特性、火灾蔓延特性和燃烧规律，以及烟气的流动特性、蔓延规律和防排烟技术对火蔓延的影响特性和规律，研究成果可以为多种建筑结构和建筑体系的防火性能化设计提供可靠的理论分

在钢铁冶金行业中，超纯净钢生产多通过转炉联合各种精炼炉实现，通过调控转炉渣和精炼渣组分，经由渣金界面反应完成有害杂质（如硫磷）的去除，但该工艺对铁水要求高，周转和冶炼周期长，而且钢液多次转换冶金容器，增加了污染机会；相比而言，感应炉炼钢具有原料适应性强、冶炼成本低、周期短的特点，开发感应炉冶炼超纯净钢技术可以拓宽纯净钢生产途径，可以实现节能降耗，提高钢材产品的市场竞争力。本项目主要提供感应炉炼钢中脱硫和脱磷及同时脱硫脱磷的新技术，通过调控冶炼参数，如冶炼温度、炉渣组分和配比、冶炼流程、

研发阶段/n内容简介：该惰性气体保护炉结构特点是：加热处理室采用工作台与盖子可同时上升或下降的结构,上升下降式机构设置在底部,热处理室盖子与工作台以圆锥表面相配合,盖子与工作台之间留有一段间隙,它们之间的磨损,不影响它们的配合,保证配合紧密,工作时热处理室盖子通过上升机构紧压在炉顶,更增加配合紧密性.因此是同类密封式热处理炉子中最为理想的结构.本产品获得一项专利，专利号：ZL200420076090.4。

产品详细介绍 DNA分子杂交技术，分子杂交炉、核酸分子杂交 一、用途特点：     此仪器是我厂与北京大学生物系、复旦大学遗传所等科研单位参照国外最新产品联合研制推出的国内首创产品。TC-4YY型多功能核酸分子杂交仪，本仪器的各项技术指标均达到国外同类产品水平。可替代进口杂交仪，本仪器采用独特的滚动式反应架装置，配套特制密封杂交管在水平轴上旋转，使杂交管内壁上的杂交反应膜各处能均匀地杂交液反复地接触，充分反应。可进行生物大分子DNA、RNA及蛋白质杂交反应。不仅比塑料袋或其它容器在水浴中进行分子杂交反应效果好，并且还能减少杂交液体积，提高杂交效率，而且也避免了加放射性同位素后封口或塑料袋破漏而造成同位素污染的危险。因此，本仪器广泛应用于生物大分子的杂交反应或其它长时间振摇的化学、生化及免疫学反应，是开展分子生物学技术不可缺少的仪器。     本仪器采用先进的单片计算机进行控制，人机界面采用点阵式液晶显示器（LCD），直观显示系统的运行状况。温度控制采用数字PID技术，输出采用PWM方式，控制精度高，稳定性好，并设有超温保护装置。仪器采用独特滚动式反应装置，每次可夹6根特制玻璃封管在水平轴旋转，旋转速度为每分钟0～16转/可调。TC-4YY型分子杂交仪除具有TC-3YY型所有功能外，杂交箱内可放入直径42mm长300mm杂交瓶。 托盘摆动速度每分钟5～50次/可调。 二、技术指标： 1.电源电压：AC220V±10％  50Hz  350W 2.使用环境：0℃～＋40℃，相对湿度：≤90%RH 3.温控范围：环境温度＋5℃～100℃可调 4.温度波动值：±1℃ 5.温度显示精度：0.1℃ 6.温度均匀性：±0.03℃ 7.瓶架转速：0～16转/分可调 8.杂交管规格：Φ42×150mm或Φ42×200mm或Φ42×250mm或Φ42×300mm6只（任选） 9.摇台摆动频率：5～50次/分可调 10.工作室尺寸：330mm×270mm×310mm 仪器报价以公司网站为主 相关链接：http://www.tocan.cn/category.php?id=17    公司地址：上海市翔殷路165号B区211室 邮编：200433  联系电话：021-51863860、13621641125         QQ：572980613 上海领成生物科技有限公司提供专业的产品、专业的售前、售中、售后服务，将使您的工作能够收到事半功倍的效果。欢迎新老顾客来电咨询，领成将为您提供最优质的服务！

本实用新型公开一种便于研究植物根系生长的水培装置，包括水培杯以及培养碗；水培杯为双层圆柱形结构，且在水培杯的侧壁夹层中设置可拆装的遮光板，以真实模拟植物根系生长条件，水培杯内还设置有根系限位管；所述培养碗的周边设置有凸沿，凸沿的直径大于水培杯的直径，以方便将培养碗沿搭在水培杯的杯口上，所述培养碗的侧壁上设置有栅条，培养碗的底部设置有网格布及吸水纸，可将植株种子种植在网格布上，根系通过网格布网孔向下延伸，可以在种子时期就种植，方便对植株根系的固定，当需要测量植物根系长度时，直接取出培养碗即可，而不会对植株造成任何损坏，且通过根系限位管给根系限位，更有助于实验测量。

中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等

本项目属复合材料与传感器研究领域。主要针对气体传感器特异性响应与识别机理、气体信息与电信号转换机制以及薄膜表面/界面效应等基础科学问题开展了深入研究，提出并发展了有机纳米复合气敏材料新领域，为有机/无机纳米薄膜组装与结构调控提供了新途径，同时建立了传感器微观响应模型，对发展新型复合薄膜气体传感器具有重要的科学意义。发表SCI论文71篇，SCI他引905次，均为正面引用，研究成果受到敏感材料与传感器领域研究者的广泛关注与认可。本项目申请国家发明专利49项，授权29项，研制出了灵敏度高、响应快（<

在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用

本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优

本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法，依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层，在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶；腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线；将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞，也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷，从而实现小直径通孔的填充。