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二阶拓扑光子晶体
基于这一新型光子晶体平板结构，研究团队完成了零维拐角模式的实验验证。零维拐角模式是二阶拓扑光子晶体与拓扑平庸光子晶体形成拐角时支持的本征模式，其中由偶极极化的一维边界态构建的零维拐角模式因其实验难度大还仍未被实验证实。团队利用高精度微波近场扫描平台对该零维拐角模式进行了直接成像，实验测量结果与数值模拟结果高度吻合，提供了强有力的实验证据。零维拐角模式为诸如高品质因子腔模等新型光场调控提供了设计新思路，同时在增强光学非线性效应、片上激光光源和光学传感等方面也具有潜在的应用前景。
中山大学
2021-04-13
金属晶体结构模型
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
晶体管特性图示仪
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
《植物生长与环境》课程资源包
产品详细介绍
一、整体概述
植物生产与环境课程教学辅助资源，包括精品课件、教案、课程标准、微课、动画、习题库、试题库、课堂实录等多种形式，并配套有精品课程展示网站，全方位、多层次的辅助教师教学，激发学生学习兴趣，从而帮助学校整体提升教学质量与教学水平。
二、功能模块
产品构成：精品课件、教案、课程标准、微课、动画、习题库、试题库、课堂实录等多种形式
三、特色亮点
1. 课程教学产品包采用先进的教学理念、融入最新的农业技术；
2. 涵盖内容全面，教学形式多样，使用方法简单；
3. 吸引学生自主学习、合作学习、探究学习；
深圳国泰安教育技术有限公司
2021-08-23
32019金属晶体结构模型
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
高校智慧资助系统
建设智教智慧资助系统，通过其高效协同的后台分类处置能力，把高校学工资助事项进行整合和业务流程的约简化处理，运用大数据打通“最后一公里”，将线下的业务操作剥离开实体大厅转化为线上业务，实现高校学生资助工作的无纸化办公，让学生真正实现“最多跑一次”。
管理员可以灵活设定经困生等级（比如一般困难、困难、特别困难等）。
管理教师可以根据学校的经困生管理办法灵活设定经困生认定条件，在对应的条件下可以设置多条困难条件类型及对应的权重值、限制条件。
管理员可以灵活设定经困生申请计划，包括起止时间、对应认定条件、申报条件参数设置、申报对象。
学生通过移动端进行在线填写经困生申请材料，提交后系统可根据管理员设定的经困生等级条件自动给审核人员推荐申请经困生等级并可以手动调整，学生提交后可以实时查看审核进度。
班主任可以根据系统推荐的经困生等级自行根据实际条件进行手动确认等级，并保留推荐等级和班主任确认等级查询痕迹。
经困生认定条件需具备权重分配方案和认定版本的统一联动管理。
二级学院可以根据权限设置批量打包下载学生上传的经困生证明文件，并以学号+姓名方式保存。
吉林省智教软件有限责任公司
2025-05-16
高校报修管理系统
智教高校报修管理系统优化校园设施维修流程，提升服务效率与质量，满足学校师生及后勤管理部门的需求，维修完成后，能对维修服务质量（如维修效果、维修人员态度）进行打分评价，并可填写反馈意见，以便学校改进服务。
教师、学生可以通过手机端，点击报修服务、我要报修后，可以根据实际报修情况进行问题描述、上传图片等。学生可以实时跟踪维修进度，并对维修结果进行线上打分、评价。
吉林省智教软件有限责任公司
2025-05-16
新型含碲光电功能晶体及器件
"以α-BaTeMo2O9为代表的含碲的化合物是一类新型光电功能晶体，在偏光、声光、拉曼等光学领域内具有重要的应用价值。此类化合物具有透光宽，双折射大，易生长，物理化学稳定等优点，是偏光和声光器件的优选材料。 山东大学在该系列晶体生长和器件的研究方面具有独立的知识产权，可以生长出大尺寸（≥50 x 50 x 100 mm3），高质量（光学均匀性≤10-5）的单晶；并在器件的制作中突破了国际上单轴晶体的限制，偏振棱镜消光比>30000:1，达到高质量冰洲石器件水平；声光调Q器件衍射效率>84%，高于同等条件下的TeO2器件。晶体生长处于世界领先水平，器件设计具有国际、国内专利，总体水平处于国际领先。该成果获得教育部自然科学二等奖，主要用于先进光学及其电学领域，如医疗、军事、激光加工、激光雷达、激光探测等。据统计，目前国内声光调制器件和偏光器件总产值约为2亿元。而现有的材料已经不能满足相应研究和产业的需求。作为新型光电功能晶体及其器件，在满足现有要求的基础上，填补了此类材料和器件在中红外波段内的国际空白。此外，独立的知识产权有利于产品推广，具有重要的社会和经济效益。 "
山东大学
2021-04-10
薄膜晶体管的器件研究
通过简单封装和热退火，制备出稳定富含氢的IGZO 晶体管，其晶体管电学性能、稳定性都获得大大提高。制备方法较简单且重复性高，即用氮化硅薄膜封装，再通过热扩散将氮化硅内氢元素扩散至InGaZnO薄膜内。掺氢后的晶体管，其开态电流和开关比都获得了数量级的提升（约40倍），而且阈值电压没有太大变化。而对应提取出的场效应迁移率则出现异常，大于300 cm2/(V·s)，远高于未经处理的对照样品。然后结合二次离子质谱仪（SIMS）和X射线光电子能谱分析（XPS）表征，发现薄膜内不但氢浓度提升了约一个数量级，而且氧空位缺陷态也大大减少了，而自由电子浓度则相应显著增加。研究还指出，该工作模式在长沟道晶体管中效果尤为显著，而在短沟道器件中则受到明显局限。该工作揭示了氢在氧化物半导体中的稳定存在方式和对导电性能的关键作用，为提升长沟道晶体管的电流驱动能力提供了一种新的器件工作模式，并对高迁移率薄膜晶体管的验证和分析提供了普适性的理论依据和实验方法。
中山大学
2021-04-13
氯化铯晶体结构模型
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23