高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
硅通孔结构
本实用新型公开了一种硅通孔结构,其形成于硅片上,并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区,绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反,所述导电区表面覆盖有金属电极,所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层。本实用新型硅通孔结构的优点在于:通过粒子掺杂方式形成硅通孔结构的导电区和绝缘区,导电区和绝缘区的基体都还是硅片本身,避免了目前硅通孔技术中金属和硅片热膨胀系数不同造成的热应力问题,能够提高器件的可靠性和寿命。
华中科技大学 2021-04-11
硅光子平台开发
已有样品/n成功开发了系列硅光子流片工艺模块和初版PDK,其中标准单元库主要包括单模波导、Y-分支、光交叉器、耦合光栅等无源器件,而最近有源工艺的成功开发,将向标准单元库中添加加热电极、调制器和Ge 光电探测器等有源器件。此次有源器件流片的成功,加上先导中心2016年上半年开发成功的硅光子无源工艺及器件(图3),使微电子所硅光子平台已具有为业界提供基于180nm工艺的硅光子流片服务的能力,成为国内首个基于8英寸CMOS工艺线向用户
中国科学院大学 2021-01-12
二阶拓扑光子晶体
  基于这一新型光子晶体平板结构,研究团队完成了零维拐角模式的实验验证。零维拐角模式是二阶拓扑光子晶体与拓扑平庸光子晶体形成拐角时支持的本征模式,其中由偶极极化的一维边界态构建的零维拐角模式因其实验难度大还仍未被实验证实。团队利用高精度微波近场扫描平台对该零维拐角模式进行了直接成像,实验测量结果与数值模拟结果高度吻合,提供了强有力的实验证据。零维拐角模式为诸如高品质因子腔模等新型光场调控提供了设计新思路,同时在增强光学非线性效应、片上激光光源和光学传感等方面也具有潜在的应用前景。
中山大学 2021-04-13
晶体管特性图示仪
宁波浪力仪器有限公司(余姚市朗海科教仪器厂) 2021-08-23
金属晶体结构模型
宁波浪力仪器有限公司(余姚市朗海科教仪器厂) 2021-08-23
硅基拓扑光子学
研究团队利用能谷-赝自旋耦合原理,在绝缘层硅(SOI,silicon-on-insulator)上制备出能谷光子晶体平板。该拓扑光学结构具有~40nm的特征尺寸,其光子模式(因工作于光锥以下)能够较好地局域在平板内,抑制了平板外损耗。他们制备了直线形、Z形和Ω形等三种拓扑光学通道,测量出高透平顶透射光谱带,证实了近红外波段下拓扑保护的宽带抗散射传输。采用硅微盘技术产生相位涡旋源,无需低温和强磁等极端环境,实现了拓扑界面态的选择性激发,实现了亚微米量级耦合长度的宽带光子路由行为,验证了能谷-赝自旋耦合等拓扑光学原理。在硅基平台上证实拓扑光子学原理,是目前国际学术前沿的聚焦度较高的领域之一。研究团队过去在拓扑光子学原理方面的工作,多次引起国际同行关注,论文入选ESI高被引。该工作中,他们深入系统地发展出硅基拓扑光学等关键理论,攻克了数十纳米加工工艺等关键技术,率先在硅基光子平台与拓扑光子学之间建立了联系,突破了单一自由度调控的传统框架,提出了硅基中多自由度耦合的多维调控新机制,为微纳光学与光子学、光二极管等关键光子芯片器件、混合集成光子学、高保真光量子信息光学、非线性光学等领域,提供了新方法和新思路。
中山大学 2021-04-13
中硼硅玻璃安瓿
主要生产药用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液体瓶等产品。现拥有14条国际先进的拉管生产线,70余台国际先进的制瓶机,年产各类安瓿/管制瓶32亿支,药用玻管(精品7.0)30000吨。
山东力诺特种玻璃股份有限公司 2021-08-27
低硼硅玻璃安瓿
主要生产药用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液体瓶等产品。现拥有14条国际先进的拉管生产线,70余台国际先进的制瓶机,年产各类安瓿/管制瓶32亿支,药用玻管(精品7.0)30000吨。
山东力诺特种玻璃股份有限公司 2021-08-27
32019金属晶体结构模型
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
硅基GaN功率开关器件
宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率,高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点,也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配,因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能,无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。
电子科技大学 2021-04-10
首页 上一页 1 2 3 4 5 6
  • ...
  • 28 29 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    63届高博会于5月23日在长春举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1