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凯迅护眼防蓝光光健康光管
功率：9W/13W/18W波动因数：＜0.5产品尺寸：600MM/900MM/1200MM显色指数：＞95 R9＞90色温：3000K&4000K&5000K/6000K光通量：＞1900lm频闪：无蓝光危害：无危害光生物安全：RG0可光谱定制（全光谱+红外光谱）
广东凯西欧光健康有限公司
2021-08-23
五脚升降凳（中管50带托盘）
※凳面（蓝色或白色）采用高密度ABS材质，直径不小于300mm,底部为1.2mm铁板托盘。凳脚（三足）采用1.2mm半圆形冷轧钢管，脚垫采用外包注塑成型，能做到防滑、减震、防静电。质量稳定，坚固耐用，美观大方。制作工艺：1. 采用二氧化碳保护焊2. 涂层:环氧树脂粉末喷塑,高温凝固,表面磷化处理。
备注：以上是五脚升降凳（中管50带托盘）的详细信息，如果您对五脚升降凳（中管50带托盘）的价格、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取五脚升降凳（中管50带托盘）的最新信息。
咨询电话：0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司
2021-08-23
不锈钢外壳开启式管式电炉
产品详细介绍开启式管式电阻炉以新型铁-铬-铝高温电阻丝或硅碳棒为发热元件，炉温有1000℃、1200℃、1400℃多种，测温元件采用K、S分度热电偶，控温方式有自动恒温型和程序控温型两种。采用新型隔热保温材料，具有测温精度高、控温准确、热导率低、高效节能、美观大方等特点，供实验室、工矿企业、科研院所等单位用于金属、非金属、合金、陶瓷等材料的高温烧结、热处理及熔融、分解等。主要技术参数1、最高温度：1200℃；2、电源及功率：AC220V/2KW； 3、炉膛尺寸：∮40×600mm；4、测温：K分度号热电偶+精密数显程序控温仪；5、控温：可控硅移相调压+智能PID调节+程序升降温；6、控温精度：±1℃；
湘潭市三星仪器有限公司
2021-08-23
国产精品玻璃管激光切割机
产品详细介绍深圳成驰机电设备有限公司 常规规格(工作台面)产品型号:CC6040/9060/1260/1380/1290/1390/1490/1590/1610/1800(其它规格可定做！)雕刻面积400x600/600x900/600*1000/600x1200/900x1200/900x1300/900x1400/900x1500/1000×1600mm/1000*1800。深圳成驰机电设备公司是一家专业开发、生产、销售激光切割雕打标设备的高新技术企业, 公司广聚光、机、电、等领域的高素质人才，禀承“以质量求生存，以创新求进步，以服务求市场，以科技求发展”的经营理念，以严格规范生产的流程和售后技术服务体系，致力于让国人都用好，用得起高科技激光加工设备。
深圳市成驰激光设备有限公司
2021-08-23
PFA管型瓶、样品瓶、试剂瓶
产品详细介绍 PFA管型瓶、样品瓶、试剂瓶 可熔性聚四氟乙烯（PFA）管形瓶、样品瓶：有非凡的化学耐受性，几乎可耐受所有的化学溶剂。可用来长期存放试剂和标准品而并不用担心有其他杂质析出。从离地1.2米高处落下，瓶体不破裂，瓶盖不脱落，不泄漏，敞口可高压灭菌，外底平面设计可用电热板加热、蒸压。
南京瑞尼克科技开发有限公司
2021-08-23
直径3640mm复合地质顶管机
产品型号：直径3640mm产品应用：非开挖施工所属分类：顶管机
山东瑞钻工程装备有限公司
2021-08-27
层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路
通过溶剂热方法，成功制备出一种层间距宽化并富有缺陷的1T-VS 2 纳米片，展现出优异的电催化析氢性能。由于有机溶剂分子以及在反应过程中产生的铵离子等的插层作用，该溶剂热法制备出的VS 2 纳米片层间距宽化至1.0 nm，比块体VS 2 材料的层间距（0.575 nm）增加了74%。层间距的宽化引起晶格的畸变而引入众多的缺陷，丰富的缺陷赋予VS 2 纳米片更多的活性位点，层间距的宽化还进一步改变了VS 2 材料的电子结构，从而使得该VS 2 纳米片具有更加优化的氢吸附自由能（∆ G H ）。HER测试结果表明，该VS 2 纳米片呈现出优异的电催化性能，具有较小的塔菲尔斜率（36 mV dec −1 ）、具有较低的过电位（-43 mV@10 mA cm −2 ）和良好的稳定性（60 h）。此外，通过第一性原理计算的结果表明，层间距宽化的VS 2 具有更优化的∆ G H （-0.044 eV），媲美贵金属Pt(如图3 ). 。并且，层间距的宽化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。这里，理论计算结果和实验相一致，较好地证明了通过层间距和缺陷的精细调控，可以有效提升二维材料的电催化析氢反应活性, 揭示了层间距和缺陷结构调控对提升电催化析氢的基本原理。此项研究工作为层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路，为开发高性能电催化析氢材料研究打开了一扇新窗户。
南方科技大学
2021-04-13
一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法
本发明公开了一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法， 包括以下步骤：(1)将 III-V 族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶 液，将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，再将量子点 溶液与无机配体分散液混合搅拌，极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；(2)将 PbX2 与 MAX 均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶 液；(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长 晶体，从而在
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻的非易失性存储器、读写擦除操作方法及测试电路
本发明提供了一种基于忆阻的非易失性存储器及其读、写、擦除操作方法以及测试电路；基于忆阻的非易失性存储器电路包括忆阻存储单元、选址开关、控制开关以及分压电路。本电路的设计通过行列地址信号对忆阻存储单元进行选址，通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择，并提供了基于忆阻的非易失性存储器的功能测试电路验证此电路结构的有效性。同时，在此电路结构的基础上，利用忆阻的非易失性原理，探讨了对此基于忆阻的非易失性存储器电路的
华中科技大学
2021-04-14
基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和晶态剪裁的方法
本发明公开了一种基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和 晶态剪裁的方法，通过在相变存储单元的两个电极上分别施加不同极 性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲，使得相变存储单元中非晶化区的体积 在脉冲调制作用下发生变化，形状近似为圆柱体；通过对两个电脉冲 的幅值、宽度、间隔和极性进行调节，使得相变存储单元的电阻与脉 冲调制方式呈线性关系。本发明采用不同极性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲分时或同时施加在相变存储单元
华中科技大学
2021-04-14