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不锈钢外壳开启式管式电炉
产品详细介绍开启式管式电阻炉以新型铁-铬-铝高温电阻丝或硅碳棒为发热元件,炉温有1000℃、1200℃、1400℃多种,测温元件采用K、S分度热电偶,控温方式有自动恒温型和程序控温型两种。采用新型隔热保温材料,具有测温精度高、控温准确、热导率低、高效节能、美观大方等特点,供实验室、工矿企业、科研院所等单位用于金属、非金属、合金、陶瓷等材料的高温烧结、热处理及熔融、分解等。主要技术参数1、最高温度:1200℃;2、电源及功率:AC220V/2KW; 3、炉膛尺寸:∮40×600mm;4、测温:K分度号热电偶+精密数显程序控温仪;5、控温:可控硅移相调压+智能PID调节+程序升降温;6、控温精度:±1℃;
湘潭市三星仪器有限公司 2021-08-23
高级鼻胃管与气管护理模型
XM-BQ高级鼻胃管与气管护理模型(鼻饲模型)   XM-BQ高级鼻胃管与气管护理模型(鼻饲模型)模拟成年男性上半身结构,可进行各种基础护理操作,可通过鼻腔和口腔进行病人呼吸气道管理与胃部的各项护理技术训练。   一、主要功能: ■ 面部清洁 ■ 眼耳滴药、清洗 ■ 口腔护理 ■ 氧气吸入疗法 ■ 鼻胃管放置 ■ 气管切开护理 ■ 吸痰练习 ■ 口鼻管插管训练 ■ 模拟颈动脉搏动   二、标准配置: ■ 高级鼻胃管与气管护理模型:1台 ■ 一次性使用胃管:1根 ■ 说明书:1册        ■ 保修卡合格证:1张
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路
通过溶剂热方法,成功制备出一种层间距宽化并富有缺陷的1T-VS 2 纳米片,展现出优异的电催化析氢性能。由于有机溶剂分子以及在反应过程中产生的铵离子等的插层作用,该溶剂热法制备出的VS 2 纳米片层间距宽化至1.0 nm,比块体VS 2 材料的层间距(0.575 nm)增加了74%。层间距的宽化引起晶格的畸变而引入众多的缺陷,丰富的缺陷赋予VS 2 纳米片更多的活性位点,层间距的宽化还进一步改变了VS 2 材料的电子结构,从而使得该VS 2 纳米片具有更加优化的氢吸附自由能(∆ G H )。HER测试结果表明,该VS 2 纳米片呈现出优异的电催化性能,具有较小的塔菲尔斜率(36 mV dec −1 )、具有较低的过电位(-43 mV@10 mA cm −2 )和良好的稳定性(60 h)。此外,通过第一性原理计算的结果表明,层间距宽化的VS 2 具有更优化的∆ G H (-0.044 eV),媲美贵金属Pt(如图3 ). 。并且,层间距的宽化可以降低缺陷形成能,使材料更易形成缺陷。这里,理论计算结果和实验相一致,较好地证明了通过层间距和缺陷的精细调控,可以有效提升二维材料的电催化析氢反应活性, 揭示了层间距和缺陷结构调控对提升电催化析氢的基本原理。此项研究工作为层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路,为开发高性能电催化析氢材料研究打开了一扇新窗户。
南方科技大学 2021-04-13
一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法
本发明公开了一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法, 包括以下步骤:(1)将 III-V 族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶 液,将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液,再将量子点 溶液与无机配体分散液混合搅拌,极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液;(2)将 PbX2 与 MAX 均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶 液;(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长 晶体,从而在
华中科技大学 2021-04-14
基于忆阻的非易失性存储器、读写擦除操作方法及测试电路
本发明提供了一种基于忆阻的非易失性存储器及其读、写、擦除操作方法以及测试电路;基于忆阻的非易失性存储器电路包括忆阻存储单元、选址开关、控制开关以及分压电路。本电路的设计通过行列地址信号对忆阻存储单元进行选址,通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择,并提供了基于忆阻的非易失性存储器的功能测试电路验证此电路结构的有效性。同时,在此电路结构的基础上,利用忆阻的非易失性原理,探讨了对此基于忆阻的非易失性存储器电路的
华中科技大学 2021-04-14
基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和晶态剪裁的方法
本发明公开了一种基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和 晶态剪裁的方法,通过在相变存储单元的两个电极上分别施加不同极 性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲,使得相变存储单元中非晶化区的体积 在脉冲调制作用下发生变化,形状近似为圆柱体;通过对两个电脉冲 的幅值、宽度、间隔和极性进行调节,使得相变存储单元的电阻与脉 冲调制方式呈线性关系。本发明采用不同极性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲分时或同时施加在相变存储单元
华中科技大学 2021-04-14
一种动态存储器刷新方法与刷新控制器
本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器,属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器,利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线,在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作,而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储 Bank 的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号;根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行
华中科技大学 2021-04-14
一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路
本发明公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路,包 括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻; 第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端,第二相变存储 器的第一端作为与门电路的第二输入端;第一可控开关元件的第一端 与第一相变存储器的第二端连接,第一可控开关元件的第二端接地; 第一电阻的一端与第二相变存储器的第一端连接,第一电阻的另一端 接地;第二相变存储器的第一端作为与门电路的输出端。本
华中科技大学 2021-04-14
一种分布式存储下基于冗余机制的数据恢复方法
本发明公开了一种分布式存储下基于冗余机制的数据恢复方法, 属于分布式存储技术领域。本发明预先额外设置一个阈值(t2),其值小 于系统已有的用于判断永久性故障的阈值(t1);系统周期性计算当前时 间与节点最近活跃时间的差值,若差值大于等于 t1,则认为其为永久 性故障节点;否则若差值大于等于 t2 且小于 t1,则认为其为暂时性故 障节点;否则若差值小于 t2,则认为其为非故障节点;若同一冗余组 内存在两个或两个以上的
华中科技大学 2021-04-14
大口径方管滚模成形新技术
方矩形钢管是用途极广和最常见的异型钢管,也是一种经济端面管材,与其相同截面积的其他非圆钢管相比,具有重量轻,强度高,抗弯截面模量大,节省金属,易于安装等优点,主要用于建筑、医疗器械、高档家具、汽车、飞机、地铁、造船等行业。  冷弯方矩形管的主要成型工艺有“圆变方”和“方变方”两种,前者生产效率高,是将高频圆形焊管经过冷拔整形成为最后形状。   随着市场和技术发展的需求,北京科技大学机械学院在成功开发了“高精度冷拔精密钢管”工艺与设备基础上,又先后开发出滚模冷拔锥管、葫芦形管、大口径方管等复杂断面管材以及多通管液压胀形等新工艺。我们利用大型仿真软件对大口径方管的冷拔过程进行了各种工艺参数下的模拟。开发成功650X650以下,最大壁厚25mm的方矩形管成形新工艺与设备。 冷弯型钢在国外建筑业中用途非常广泛,被用作屋架、檩条、桁架、刚架、墙架、龙骨、屋面板、墙板、楼板、门窗乃至容器、管道、围堰、钢板桩、防波堤等。近年来,冷弯型钢组合而成的网壳、货架、单层和多层房屋也得到了很快的发展。在发达国家,建筑业是冷弯型钢的第一大用户,冷弯型钢占钢材总量的5%,建筑业用冷弯型钢占冷弯型钢总量70%以上,冷弯型钢产品应用于建筑业的主要是结构用冷弯方矩形管和建筑用结构冷弯型钢。从结构力学和经济角度,冷弯型钢和H型钢结合应用于建筑业是最佳组合,可以实现工业厂房和民用住宅建设工厂化。
北京科技大学 2021-04-11
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