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MXY8101光电倍增管综合实验仪
一、产品介绍
光电倍增管是最灵敏的光电器件，它的暗电流、噪声和灵敏度等参数均可以大范围可调，它具有响应速度快，灵敏度高，光谱响应范围宽等许多特点，是微弱辐射探测的首选光电传感器。MXY8101光电倍增管综合实验仪选用的最具有先进性的是侧窗圆形鼠笼式光电倍增管，不但能够用来对光电倍增管的特性参数进行测量与研究，而且还能够使用光电倍增管测量微弱的辐射。本款实验仪的特色在于它的实验设施以及光学系统安装在仪器内部，形成微型暗室，抽拉式上盖设计方便学生打开进行观察和实验，使整套光学实验效果更佳并不受外界光源的干扰。
二、教学目的
1、了解光电倍增管的工作原理；
2、了解光电倍增管参数测量方法及应用；
三、实验内容
1、光电倍增管暗电流ID的测量；
2、阳极电流灵敏度SA的测量；
3、光电倍增管增益G与供电电源电压的关系；
4、光电倍增管阳极输出特性的测量；
5、阳极电流灵敏度SA与供电电压之间的关系；
6、测量微弱辐射光信号的强度；
天津梦祥原科技有限公司
2021-12-17
集成式智能净化管控柜SAN-ZJ6120051
乐普乐吉集成式智能净气安全柜可对实验室使用的管控类试剂和化学品安全储存，辅以智能净化器以去除有毒气体，中和废弃排放。柜体配备自承重电子天平，天平承重范围 5Kg，精度可达至 0.01g，满足实验室化学品精确称重需求。柜体搭载危化品全生命周期管理系统，对存储场所、实验场所等的试剂和化学品实现智能管控，并通过服务器将化学品数据同步至管理人员主机或移动端，可随时查看化学品情况。
系统包含危化品流程管控系统、通风系统、净气系统、安全准入系统等，以全方位维度保证危化品的安全。危化品流程管控系统主要包含了危化品的盘点、采购、存储、领用-转运、使用、回库、废弃八大环节，对危化品达到闭环管理模式。
乐普乐吉安全科技（上海）有限公司
2022-07-26
塑料特制弯管提拉式学生课桌椅
640*430*760mm
江西省南城县发华实业有限公司
2023-02-17
智能管控化学品组BH302-P
产品名称：智能管控化学品组合柜 外部尺寸：H2070*W1410*D570mm 层板尺寸：H50*W300*D330mm 层板：6块PP层板 结构：3格2列+主控柜 锁具：6套双GA机械锁 风机：2套离心风机 显示屏：15寸液晶触摸屏 主控柜：1台 出入库系统：1套 过滤器：B型过滤器4个 电源线：1根 电源：AC220V/50Hz 功率：98W 静电夹：1套 颜色：黄色/蓝色/白色/红色（环氧树脂喷） 储存量：108瓶500ml试剂瓶
无锡赛弗安全装备有限公司
2021-12-08
电子管综合实验仪 COC-DZG-2
实验内容
1、了解热电子发射的基本规律；
2、用理查孙直线法测定金属钨电子的逸出功；
3、通过测定氩原子等元素的第一激发电位（即中肯电位），证明原子能级的存在。
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
弗兰克 - 赫兹（汞管）实验仪 FH-Hg-6
实验内容
1、理解诺贝尔物理实验弗兰克 - 赫兹（汞管）实验仪的设计思想和方法；
2、研究灯丝电压、加热炉温度、反向拒斥电压等参数对实验现象的影响；
3、测量汞原子第一激发电位 63P1，了解原子能级的存在；
4、测量汞原子高能级激发态 63P2、61P1，加深对原子能级的理解；
5、测量汞原子电离电位。
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
一种基于光子晶体高弹态法制备高质量透明制件的成形方法
本发明属于塑料加工成形技术领域，并公开了一种基于光子晶 体高弹态法制备高质量透明制件的成形方法，包括以下步骤：1)准备 材料；2)获取加工条件：利用热重分析法获得光子晶体的分解温度， 利用差示扫描量热法获得材料的玻璃化转变温度和粘流转变温度：3) 准备模具；4)加入材料；5)升温加热：升温加热使光子晶体进入高弹态， 并保温以保证光子晶体完全转化为高弹态；6)保压降温：升压使光子 晶体相互结合，然后停止加热并保压，随模
华中科技大学
2021-04-14
解析了MFN1片段在不同GTP水解状态下的晶体结构
解析了MFN1片段在不同GTP水解状态下的晶体结构，阐明了MFN1水解GTP的机制，并提出了MFN1介导线粒体外膜栓连的模型。这为进一步阐明线粒体外膜的融合机制以及线粒体形态的变化和相应生理功能的正常发挥之间的关系提供了研究基础。同时，还为研究相关神经退行性疾病和癌症的发病机制以及干预手段提供了信息。
中山大学
2021-04-13
一种网络感知的虚拟机镜像存储系统及读写请求处理方法
本发明公开提供了一种网络感知的虚拟机镜像存储系统，该存 储系统包括私有缓存管理模块、公有缓存管理模块、网络监控模块、 决策模块和动态寻址模块；其中，私有缓存管理模块、公有缓存管理 模块、网络监控模块和动态寻址模块位于计算节点，决策模块位于管 理节点；还公开了一种基于以上存储系统的读写请求处理方法，使得 网络负载较轻的节点处理更多的镜像访问请求，而网络负载较重的节 点处理较少的镜像访问请求，从而避免产生 I/O 热点，
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14