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一种基于偏振光相位调制的结构光生成装置
本实用新型公开了一种基于偏振光相位调制的结构光生成装置。激光器发出线偏振光的光束入射到半波片上,经过半波片偏振方向旋转角度,再到电光相位调制器中分解成两个偏振分量,被电光相位调制器调制产生相位差,接着经扩束镜扩束后入射到左、右偏振分光镜拼接后形成的端面中间让调制后的光束透过,然后两路光束入射到偏振片上仅透过沿其光轴方向的分量形成一路光束,最终聚焦在聚焦镜的焦点处发生干涉。本实用新型能应用到荧光显微成像上,能获得更好的荧光信号信噪比和更强的组织内部大深度成像能力。
浙江大学 2021-04-13
光照度变送器,照度采集器,光传感器,光变送器
产品详细介绍照度传感器产品介绍 产品介绍  GZD系统光照度变送器采用对弱光也有较高灵敏度的硅兰光伏探测器作为传感器;具有测量范围宽、线形度好、防水性能好、使用方便、便于安装、传输距离远等特点,适用于各种场所,尤其适用于农业大棚、城市照明等场所。根据不同的测量场所,配合不同的量程,线性度好、  防水性能好 、可靠性高、  结构美观、安装使用方便、抗干扰能力强。 使用标准 1个单位的照度大约为1个烛光在1米距离的光亮度。 夏日晴天强光下照度为10万 Lux(3~30万Lux); 阴天光照度为1万 Lux; 日出、日落光照强度为    300~400Lux; 室内日光灯照度为         30~50Lux; 夜里                    0.3~0.03 Lux(明亮月光下); 0.003~0.0007 Lux(阴暗的夜晚) 以上参数公供参考   技术参数:   供电电压:          12VDC~30VDC 感光体:         带滤光片的硅蓝光伏探测器; 波长测量范围:         380nm~730nm;   准 确 度:                   ±7% 重复测试:                  ±5%; 温度特性:                 ±0.5%/℃;   测量范围:                0~200000Lux   输出形式:           二线制4~20mA电流输出 三线制0~5V电压输出 液晶显示输出 232/485网络输出   使用环境:           0℃~40℃、0%RH~70%RH(带液晶); 0℃~70℃、0%RH~70%RH(不带液晶) 大气压力: 80~110kPa 联系我们: 电话: (010)57167501/7502 网址:   www.diysensor.com 手机:  13488682012 Q Q:     335363231 地址:北京市朝阳区奥运9#院  
北京无线联科技有限公司 2021-08-23
天津大学地科院全自动热释光/光释光测年仪采购项目竞争性磋商公告
天津大学地科院全自动热释光/光释光测年仪采购项目竞争性磋商
天津大学 2022-06-02
一种精密减振组件及由其构成的减振平台
本发明公开了一种精密减振组件及由其构成的减振平台,具有减振和 Z 向定位功能。精密减振组件包括被动减振部件、主动减振执行器和外框架。被动减振部件采用双腔体结构的活塞杆,气囊和压力腔分别位于两个腔体内,气囊具有较大的纵向支撑力和较低的刚度,能隔离衰减高频的振动。主动减振执行器为直线型音圈电机,与被动减振部件并联,根据被控对象振动状态和位置信息,对被动对象施加作用力,带动被控对象运动到指定的位置和对振动进行补偿。至少三个精密减振组件构成的减振平台具有多自由度减振,Z 向精确定位和调平调焦功能。本发明可用
华中科技大学 2021-04-14
一种燃料电池膜电极组件的层合装置及其方法
本发明公开了一种燃料电池膜电极组件的层合装置,包括:分别沿着不同输送路径输送两组复合膜层的第一和第二输送机构,对两组复合膜层执行层合处理的层合机构,对层合后膜层执行对齐检测的对齐检测机构,以及对齐调整单元;其中第一、第二输送机构分别用于输送对应模切有多个模切框的第一、第二复合膜层;对齐检测机构用于对层合后膜层采集其模切框图像;对齐调整单元根据对齐检测机构所获得的模切框图像,计算其间距值并相应调整第二输送机构的输送调节,从而实现两组复合膜层的对齐及层合。本发明还公开了相应的层合方法。通过本发明,可以使
华中科技大学 2021-04-14
硅基毫米波集成电路设计
基于CMOS工艺,设计了大量射频、毫米波收发机和频率源芯片; CMOS 90nm 60GHz 接收机芯片,集成片上天线,传输效率优于IBM芯片90%; CMOS 90nm 21dBm 60GHz功率放大器,性能优于Hittite商用GaAs芯片; CMOS 60GHz 移相器芯片,为开发毫米波相控阵芯片奠定良好基础;
电子科技大学 2021-04-10
硅基新一代锂电负极材料制备
项目成果/简介:目前锂离子电池的能量密度已经越来越不能满足其在电动汽车、智能手机和大规模储能方面的应用。锂离子电池的能量密度低主要是因为所采用的正负极材料的比容量较低,尤其是负极材料石墨,其理论比容量为 372 mAh/g。目前研究最多的、最具有商业化前景的负极材料为硅基负极材料,其理论比容量为 4200 mAh/g,是石墨的十倍以上。据招商证券预计,硅基负极材料在 2020 年的市场使用量接近于 5 万吨,销售额接近于 50 亿。 然而硅基材料在充放电过程中较大的体积变化率(>300%)限制了其商业化应用,较大的体积变化导致极片碎裂以及电解液在材料表面持续分解,从而造成其循环性能剧烈下降。另外,硅基材料为半导体,其导电性较差,从而导致硅基负极材料的倍率性能较差。如何解决硅基负极材料这两大缺点是普及硅基材料在锂离子电池应用的关键。 陈永胜教授课题组结合在纳米技术和石墨烯材料领域的专长,经过近 10 几年的研究,采用低成本的原材料、易工业化的工艺技术制备了石墨烯包覆的硅基负极材料,主要技术创新点包括:1)采用独特的、具有自主知识产权的纳米技术将大粒径的硅粉进行纳米化处理,纳米化大大缓解了硅在充放电过程中体积变化的问题,从而从根本上解决了硅基负极材料循环性能差的问题;2)石墨烯包覆则充分发挥了石墨烯导电导热性能好、机械性能优异、电化学性能稳定等特点,改善了材料的锂离子扩散性能和电子导电性,大大提高了功率特性; 14隔绝了硅与电解液的直接接触,抑制副反应造成的电解液分解和材料侵蚀,提高了首次效率,延缓了使用过程中的寿命衰减;进一步减缓了充放电过程中硅的体积变化,维持材料结构的整体稳定性,极大地提升了循环特性。效益分析:陈永胜教授课题组发明的石墨烯包覆硅基负极材料,从制备过程上讲,具有工艺简单、成本低廉、易工业化的特点;从性能上讲,具有比容量高、稳定性好、压实密度大等优点,与高比容量正极组成的锂离子电池的能量密度是当前商业化锂离子电池能量密度的数倍以上。
南开大学 2021-04-11
硅基新一代锂电负极材料制备
目前锂离子电池的能量密度已经越来越不能满足其在电动汽车、智能手机和大规模储能方面的应用。锂离子电池的能量密度低主要是因为所采用的正负极材料的比容量较低,尤其是负极材料石墨,其理论比容量为 372 mAh/g。目前研究最多的、最具有商业化前景的负极材料为硅基负极材料,其理论比容量为 4200 mAh/g,是石墨的十倍以上。据招商证券预计,硅基负极材料在 2020 年的市场使用量接近于 5 万吨,销售额接近于 50 亿。 然而硅基材料在充放电过程中较大的体积变化率(>300%)限制了其商业化应用,较大的体积变化导致极片碎裂以及电解液在材料表面持续分解,从而造成其循环性能剧烈下降。另外,硅基材料为半导体,其导电性较差,从而导致硅基负极材料的倍率性能较差。如何解决硅基负极材料这两大缺点是普及硅基材料在锂离子电池应用的关键。 陈永胜教授课题组结合在纳米技术和石墨烯材料领域的专长,经过近 10 几年的研究,采用低成本的原材料、易工业化的工艺技术制备了石墨烯包覆的硅基负极材料,主要技术创新点包括:1)采用独特的、具有自主知识产权的纳米技术将大粒径的硅粉进行纳米化处理,纳米化大大缓解了硅在充放电过程中体积变化的问题,从而从根本上解决了硅基负极材料循环性能差的问题;2)石墨烯包覆则充分发挥了石墨烯导电导热性能好、机械性能优异、电化学性能稳定等特点,改善了材料的锂离子扩散性能和电子导电性,大大提高了功率特性; 14隔绝了硅与电解液的直接接触,抑制副反应造成的电解液分解和材料侵蚀,提高了首次效率,延缓了使用过程中的寿命衰减;进一步减缓了充放电过程中硅的体积变化,维持材料结构的整体稳定性,极大地提升了循环特性。
南开大学 2021-02-01
三维非硅微纳集成制造技术
随着支配半导体技术数十年的摩尔定律日益接近其发展极限,多种功能器件集成被认为是超越摩尔定律延续集成电路发展进程的重要途径之一,这就需要能够满足多种功能器件高密度集成的制造技术。多元兼容集成制造技术就是为此而开发的,该技术通过在更大范围内优选结构/功能材料组合,开发异质集成制造工艺,大大拓展了功能微器件创新设计和制造的腾挪空间。经过多年探索,目前已形成了涵盖金属、聚合物、陶瓷、复合材料的MEMS异质异构制造技术体系,并在多种类型功能器件研发中发挥了关键作用,初步展现了其基础性支撑作用,相关技术获得2016年度上海市技术发明一等奖。 微系统集成发展趋势 多元兼容集成制造技术  获奖情况 上海市技术发明一等奖2016年团队获奖 国家技术发明二等奖2008年 上海市技术发明一等奖2007年 超薄超快高热流密度微通道散热器 上海交通大学团队在长期研究经验和技术积累基础上,创造性地提出了不同高热导率材料组合构造的复合结构微通道散热器设计方案,并基于多元兼容集成制造技术完成了多种尺寸样品研制,其中,热源面积与常用功率芯片尺度相当的超薄散热器冷却能力达到800W/cm2以上,在保留传统微通道散热器良好系统兼容性和适用性的基础上达到了相当高的散热能力水平,为解决高功率芯片系统超高热流密度散热问题提供了一个深具可行性的解决方案。 高温薄膜温度传感器研究  发动机燃烧室等极端恶劣环境下(高温、强振动、强腐蚀等)的工作参数现场监测对传感器技术是严峻挑战,国内外研究广泛。交大团队基于特种材料微纳集成制造技术的长期积累,在高温绝缘薄膜材料、多层薄膜应力调控、曲面图形化和高温敏感介质等技术上取得了一定突破,成功开发了多种可与现场结构共型的高温薄膜传感器,具有体积小、环境扰动小、响应快、灵敏度高、可分布式安置等优点,该团队已经掌握了温度、应力/应变、热流等多种高温状态参数测量技术,适用温度在800-1300℃之间。 薄膜绝缘电阻随温度的变化及测试结构 高温薄膜温度传感器制造及曲面图形化技术 薄膜温度传感器在发动机不同部位测温需求 无线温度传感器测温系统 高性能转接板 基于转接板的多芯片封装是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是传统的硅转接板性价比不高,阻碍了广泛应用。上海交大团队基于非硅微加工技术的长期积累,突破了硅转接板绝缘层完整性和再分布层热隔离的难题,成功研制了漏电流极低的低成本高性能硅转接板。此外,还开发了复合材料非硅转接板,TCV陶瓷转接板,TGV玻璃转接板等各种三维封装基板,实验室能够针对不同类型器件三维高密度封装的具体要求,定制开发不同功能的专用转接板,为多功能、高密度、高功率、低成本封装提供个性化解决方案。 TSV-3D 高密度封装概念图  金属-聚合物-纳米复合材料非硅基转接板实物图片
上海交通大学 2021-05-11
三维非硅微纳集成制造技术
项目成果/简介:随着支配半导体技术数十年的摩尔定律日益接近其发展极限,多种功能器件集成被认为是超越摩尔定律延续集成电路发展进程的重要途径之一,这就需要能够满足多种功能器件高密度集成的制造技术。多元兼容集成制造技术就是为此而开发的,该技术通过在更大范围内优选结构/功能材料组合,开发异质集成制造工艺,大大拓展了功能微器件创新设计和制造的腾挪空间。经过多年探索,目前已形成了涵盖金属、聚合物、陶瓷、复合材料的MEMS异质异构制造技术体系,并在多种类型功能器件研发中发挥了关键作用,初步展现了其基础性支撑作用,相关技术获得2016年度上海市技术发明一等奖。微系统集成发展趋势多元兼容集成制造技术 获奖情况上海市技术发明一等奖2016年团队获奖国家技术发明二等奖2008年上海市技术发明一等奖2007年超薄超快高热流密度微通道散热器上海交通大学团队在长期研究经验和技术积累基础上,创造性地提出了不同高热导率材料组合构造的复合结构微通道散热器设计方案,并基于多元兼容集成制造技术完成了多种尺寸样品研制,其中,热源面积与常用功率芯片尺度相当的超薄散热器冷却能力达到800W/cm2以上,在保留传统微通道散热器良好系统兼容性和适用性的基础上达到了相当高的散热能力水平,为解决高功率芯片系统超高热流密度散热问题提供了一个深具可行性的解决方案。高温薄膜温度传感器研究 发动机燃烧室等极端恶劣环境下(高温、强振动、强腐蚀等)的工作参数现场监测对传感器技术是严峻挑战,国内外研究广泛。交大团队基于特种材料微纳集成制造技术的长期积累,在高温绝缘薄膜材料、多层薄膜应力调控、曲面图形化和高温敏感介质等技术上取得了一定突破,成功开发了多种可与现场结构共型的高温薄膜传感器,具有体积小、环境扰动小、响应快、灵敏度高、可分布式安置等优点,该团队已经掌握了温度、应力/应变、热流等多种高温状态参数测量技术,适用温度在800-1300℃之间。薄膜绝缘电阻随温度的变化及测试结构高温薄膜温度传感器制造及曲面图形化技术薄膜温度传感器在发动机不同部位测温需求无线温度传感器测温系统高性能转接板基于转接板的多芯片封装是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是传统的硅转接板性价比不高,阻碍了广泛应用。上海交大团队基于非硅微加工技术的长期积累,突破了硅转接板绝缘层完整性和再分布层热隔离的难题,成功研制了漏电流极低的低成本高性能硅转接板。此外,还开发了复合材料非硅转接板,TCV陶瓷转接板,TGV玻璃转接板等各种三维封装基板,实验室能够针对不同类型器件三维高密度封装的具体要求,定制开发不同功能的专用转接板,为多功能、高密度、高功率、低成本封装提供个性化解决方案。TSV-3D 高密度封装概念图 金属-聚合物-纳米复合材料非硅基转接板实物图片知识产权类型:发明专利 、 软件著作权 、 集成电路布图设计技术先进程度:达到国内领先水平成果获得方式:独立研究获得政府支持情况:国家级
上海交通大学 2021-04-10
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