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一种水下作业平台压载水舱进排水控制系统及控制方法
本发明公开了一种水下作业平台压载水舱进排水控制系统,用于控制压载水舱的自动进排水,压载水舱由多个对称分布的子水舱构成,每个子水舱底部安装有一个该通海阀、其舱内布置有至少一个高压气阀、其顶部安装有若干透气阀、压载水舱艏艉的侧壁上还对称安装有深度计,还包括安装在控制舱中驱动阀箱,驱动阀箱与高压气阀、通海阀以及透气阀分别通过信号线连接,在控制舱中还安装有进排水PLC 控制器,其对驱动阀箱发出指令,使驱动阀箱控制高压气阀、通海阀以及透气阀以实现压载水舱进排水。本发明还公开了基于状态反馈的多变量模糊解耦控制方
华中科技大学 2021-04-14
发布包含两万多拟南芥公共RNA-seq文库的生物大数据在线分析平台
翟继先课题组此次发布的数据库(Arabidopsis RNA-seq database, ARS)整合了来自GEO、SRA、ENA和DDBJ数据库的20,068个拟南芥RNA-seq数据,提供了“Google-style”在线查询工具。该研究对所有文库进行了基因表达水平定量和共表达网络分析,并将所有文库进行分类,总共涉及1176个突变体、1102种处理条件、12个组织和176个发育时期,同时也对突变体和处理条件分别同对应的对照组进行差异表达分析。
南方科技大学 2021-04-14
华为发布《教育数字化转型的发展机遇》白皮书,首次探索智慧教育成熟度评估模型
在华为全联接大会2022曼谷站期间,华为在“释放数字生产力,加速教育信息化之旅”全球智慧教育论坛上,重磅发布《教育数字化转型的发展机遇》白皮书,首次探索智慧教育成熟度评估模型,并提出以全场景教育解决方案、创新教学模式、普惠教育资源、提升科研能力、升级管理水平,加速教育行业数字化升级。
华为技术有限公司 2022-09-21
单壁碳纳米管和石墨烯的制备及其在能源、光电器件和复合材料等方面的应用
项目成果/简介:1991 年发现的碳纳米管(CNT)以及 2004 年发现的石墨烯(graphene),分别是一维和二维纳米材料的典型代表,被认为是 21世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备 SWNTs 的方法,实现了高质量单壁碳纳米管的宏量制备(图 1),纯度达 70%以上,并达到了产业化规模(达 200 公斤/年以上)。采用机械共混及"原位"聚合 等方法,使SWNTs 有效地分散于高分子基质中,获得了以环氧树脂、ABS 及聚氨酯等为基质材料,电导率达 0.2 S/cm、导电临界含量仅为0.06%、电磁屏蔽效果高达 49dB 的复合材料。 本项目首先发展了一种可大量制备的可溶性功能化石墨烯(SPFGraphene)的方法,实现了石墨烯的百克级制备(图 2)。通过透射电子显微镜(图 3)及原子力显微镜(图 4)确定了石墨烯的二维平面结构。 获得了可溶性石墨烯材料及柔性透明导电薄膜(图 5);制备了基于石墨烯的高稳定性有机光伏电池及复合材料。 图 5、基于石墨烯的透明电极材料 所研制的单壁碳纳米管及石墨烯已用于数十家科研机构的研究和相关产品/样机的研制,包括应用于国家 863 重大汽车电池项目(中科院物理所)和军工卫星电池项目(中国电子科技集团公司第十八研究所)等。已研制出晶体管、锂离子电池、超级电容器(图 6)以及高性能复合材料等多种产品,具有广阔的应用前景。应用范围:南开大学在碳纳米材料的制备及应用研究方面取得了一批开创性成果,该项目技术的推广,将促进我国新材料、微电子、储能、资源保护等领域的技术进步和发展,为我国在这一新型纳米材料领域占据有利地位,提高国际竞争力,做出重要贡献。
南开大学 2021-04-11
单壁碳纳米管和石墨烯的制备及其在能源、光电器件和复合材料等方面的应用
1991 年发现的碳纳米管(CNT)以及 2004 年发现的石墨烯(graphene),分别是一维和二维纳米材料的典型代表,被认为是 21世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备 SWNTs 的方法,实现了高质量单壁碳纳米管的宏量制备(图 1),纯度达 70%以上,并达到了产业化规模(达 200 公斤/年以上)。采用机械共混及"原位"聚合 等方法,使SWNTs 有效地分散于高分子基质中,获得了以环氧树脂、ABS 及聚氨酯等为基质材料,电导率达 0.2 S/cm、导电临界含量仅为0.06%、电磁屏蔽效果高达 49dB 的复合材料。 本项目首先发展了一种可大量制备的可溶性功能化石墨烯(SPFGraphene)的方法,实现了石墨烯的百克级制备(图 2)。通过透射电子显微镜(图 3)及原子力显微镜(图 4)确定了石墨烯的二维平面结构。 获得了可溶性石墨烯材料及柔性透明导电薄膜(图 5);制备了基于石墨烯的高稳定性有机光伏电池及复合材料。 图 5、基于石墨烯的透明电极材料 所研制的单壁碳纳米管及石墨烯已用于数十家科研机构的研究和相关产品/样机的研制,包括应用于国家 863 重大汽车电池项目(中科院物理所)和军工卫星电池项目(中国电子科技集团公司第十八研究所)等。已研制出晶体管、锂离子电池、超级电容器(图 6)以及高性能复合材料等多种产品,具有广阔的应用前景。
南开大学 2021-02-01
一种基于碳纳米管载体的单分散氢氧化镁纳米粒子制备方法及应用
本发明公开了一种基于碳纳米管载体的单分散氢氧化镁纳米粒子制备方法及应用,按照下述步骤进行:称取1-10重量份的碳纳米管,加入到含有100重量份的镁盐的乙醇溶液中,充分搅拌分散后加入0.1-10重量份的表面活性剂,超声分散后在分散好的悬浮液中加入含有100-200重量份沉淀剂的水溶液。将该混合液转移至水热釜中恒温反应,待反应结束后进行后续处理,得到以碳纳米管载体的单分散氢氧化镁纳米粒子。利用这种方法制备的单分散氢氧化镁纳米粒子,比表面积、分散和功能性均得到了大幅提高。将其加入到高聚物体系中,可以极大地提高聚合物基体的各项性能。
天津城建大学 2021-04-11
单壁碳纳米管和石墨烯的制备及其在能源、光电器件和 复合材料等方面的应用
1991 年发现的碳纳米管(CNT)以及 2004 年发现的石墨烯 (graphene),分别是一维和二维纳米材料的典型代表,被认为是 21 世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备 SWNTs 的方法,实现 了高质量单壁碳纳米管的宏量制备(图 1),纯度达 70%以上,并达 到了产业化规模(达 200 公斤/年以上)。采用机械共混及"原位"聚合 等方法,使 SWNTs 有效地分散于高分子基质中,获得了以环氧树脂、 ABS 及聚氨酯等为基质材料,电导率达 0.2 S/cm、导电临界含量仅为 0.06%、电磁屏蔽效果高达 49dB 的复合材料。 本项目首先发展了一种可大量制备的可溶性功能化石墨烯 (SPFGraphene)的方法,实现了石墨烯的百克级制备(图 2)。通过 透射电子显微镜(图 3)及原子力显微镜(图 4)确定了石墨烯的二 维平面结构。
南开大学 2021-04-13
安徽大学在氧化物薄膜晶体管掺杂工程及其稳定性研究中取得新进展
近日,我校材料科学与工程学院2019级材料物理专业本科生严锦同学在氧化物薄膜晶体管掺杂工程及其稳定性研究中取得新进展,作为第一作者在微电子器件顶级期刊《IEEETransactionsonElectronDevices》上发表了以“Electrospinning-DrivenInHfOxNanofiberChannelField-EffectTransistorsandHumidityStabilityExploration”为题的论文。
安徽大学 2022-09-21
单壁碳纳米管和石墨烯的制备及其在能源、光电器件和复合材料等方面的应用
1991年发现的碳纳米管(CNT)以及2004年发现的石墨烯(graphene),分别是一维和二维纳米材料的典型代表,被认为是21世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备SWNTs的方法,实现了高质量单壁碳纳米管的宏量制备(图1),纯度达70%以上,并达到了产业化规模(达200公斤/年以上)。 采用机械共混及"原位"聚合等方法,使SWNTs有效地分散于高分子基质中,获得了以环氧树脂、ABS及聚氨酯等为基质材料,电导率达0.2 S/cm、导
南开大学 2021-04-14
DT640-BC型裸片温度计硅二极管低温温度传感器锦正茂科技
       DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管,具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度(V-T)曲线,因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。       DT640-BC型裸片温度计,相比市场上的其它温度计,具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。    您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 特点: ※ 激励电流小,因而具有很小的自热效应;  ※ 符合标准曲线,具有良好的互换性; ※ 多种封装,不易损坏、耐温度冲击、易于安装; ※ 在宽温度范围1.4K-500K内,可提供较好的测量精度; ※ 遵循DT-640标准温度响应曲线; ※ 多种可选封装方式。 您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 参数: ※ 温度范围:3K~500K; ※ 标准曲线:DT640 ※ 推荐激励电流:10µA±0.1%; ※ 可重复性:10mK@4.2K,16mK@77K,75mK@273K。 ※ 反向电压高达:75V; ※ 损坏前电流高达:长时间200mA 或瞬间1A; ※ 推荐激励下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K; ※ BC封装响应时间:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K; ※ 辐射影响:只推荐在低辐射场合下使用; ※ 磁场影响:不推荐在磁场环境下使用。 ​​​​​​​
北京锦正茂科技有限公司 2022-11-17
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