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技术需求：机电液控制技术
1、机电液控制技术；2、流体传动及控制工程技术；3、极端环境测试技术；4、成套装备技术。
太重集团榆次液压工业（济南）有限公司
2021-06-15
【中国日报网】第63届高博会：吉林动画学院原创 IP 以“技术 + 艺术” 点燃数字创意
5月23日至25日，吉林动画学院携“技术 + 艺术” 融合成果亮相第63届中国高等教育博览会，以《疯狂电脑城》赛博朋克美学与裸眼 3D、虚拟角色互动等形式，打造穿越次元的数字创意盛宴，诠释产教融合创新实践。
中国日报网
2025-05-25
技术需求:高端智能化、高效节能、低耗能的机械设备主要为： 履带式的移动破、圆锥破
高端智能化、高效节能、低耗能的机械设备主要为：履带式的移动破、圆锥破
临沂恒泰机械制造有限公司
2021-08-26
液压无级转向技术和液压复合无级转向技术（技术）
成果简介：从履带车辆的无级转向技术的发展来看，液压无级及液压复合无级转向是上世纪70至80年代发展的具有代表性的新技术。世界各国发展的新型和改进型军用履带车辆的传动装置上，几乎全部采用了这类新型的无级转向机构。在民用工程车辆上也逐渐开始采用。可实现履带车辆无级转向功能。主要技术指标是：车辆吨位：10～50t；可匹配的发动机功率范围：50～600kW；输入转速范围：2000～3000r/min；传动效率：90%～93%。 项目来源：自行开发 技术领域：先进制造
北京理工大学
2021-04-14
一种铝合金周期性点阵多孔结构的快速成形制造方法
本发明公开了一种铝合金周期性点阵多孔结构的快速成形制造 方法。通过 CAD 软件构建基于点阵单元的周期性点阵多孔结构的三维 模型，将模型以 STL 格式输出，导入到 SLM 成形设备中，激光束根 据切片层的数据选择性地熔化区域内的铝合金粉末得到二维的金属结 构，经层层堆积最终可以得到与 CAD 模型一致的三维铝合金多孔结 构，再经过热处理、分离、喷砂等后续处理即可得到表面光洁、性能 良好的铝合金周期性点阵多孔结构。本
华中科技大学
2021-04-14
一种具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法与设备
本发明公开了一种具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及设备。方法根据待成形金属构件切片轮廓形状确定成型缸的内部 结构，使各铺粉层的金属粉末尽量只处于待成形金属构件切片轮廓形 状对应的区域，以大幅度减少金属粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。设备包括一个或多个成型缸，该成型缸的内部结构与待成 形金属构件切片轮廓形状相匹配。本发明通过使用镶块以及与金属构 件切片轮廓形状相适应的异形基板，实现了针对不同金属构件
华中科技大学
2021-04-14
一种用于高能束增材制造的温度场主动调控系统及其控制方法
本发明公开了一种梯度温度场主动调控系统及其控制方法，系 统由温度场监控系统、加热系统和控制系统；温度场监控系统用于测 量成形区域 XOY 平面及四周的温度场信息，将获得的温度场信息进行 量化处理后反馈给控制系统，加热系统根据控制系统指令对成型缸的 底部和四周进行温度场的分区独立实时调节，以实现在加工过程中整 个加工区域的温度场恒定，保证已加工区域与未加工区域处于合理的 温度梯度，避免热应力导致构件翘曲、变形、开裂。本
华中科技大学
2021-04-14
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO<sub>2</sub>，将光刻的图形转移到 SiO<sub>2</sub>层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微
华中科技大学
2021-04-14
制造有机场效应晶体管的方法、实现该方法的喷嘴及装置
本发明公开了应用混合型喷嘴喷印制造有机场效应晶体管的方 法，包括以下步骤：1)喷印 Gate 极；2)喷印介电层；3)成形导电单元： 混合型喷嘴喷出的液体在接收基板上沉积形成导电单元及覆在导电单 元上的油层；4)转印；5)制造连接电极层；6)组合封装。本发明工艺简 单，在混合型喷嘴制备完成的情况下，静电纺丝工艺实现简单，对环 境要求也较低；成本低，设备成本低，同时制造过程中均只需要一定 浓度的溶液，损耗少；精度、分辨率高，不需重复定位，而且静电纺 丝所得纤维器件均在微纳尺度，集成度完全满足电路要求；
华中科技大学
2021-04-14
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工 艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO2，将光刻的图 形转移到 SiO2 层、4)镀 Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微米线表面镀一层 ZnO 膜、8)在 Si 微米线表面生长 ZnO 纳米线、9)在 ZnO 纳米线表面制备一层 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 结 构 表 面
华中科技大学
2021-04-14