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高等教育领域数字化综合服务平台
仪表智能识别物联网系统
仪表智能识别物联网系统由智能读表相机、智能应用系统云平台套件以及大数据智能分析服务组成，通过智能采控终端采集仪器仪表的各项数据，将数据上传到网络服务器，存储、整理分析，通过智能应用系统实现实时在线监控、记录、查询、统计、分析、修改、报警等操作，实现远程智能化管理，提高企业智能化管理水平。
霍夫纳格智能科技（嘉兴）有限公司
2022-01-21
人工智能实验室
优化人工智能学科布局，加快人工智能领域一级学科建设。
密切关注人工智能领域前沿技术，将技术及资源引入到人才培养。
部署完整的人工智能实验环境、实验资源、课程体系和教学全流程平台。
搭建完整的专业框架，全面支撑高校人工智能方向的教学与科研。
培养具备深度学习算法设计开发的人工智能应用型人才。
青软创新科技集团股份有限公司
2022-07-06
智能桌椅DK-018S
西安东康实业有限公司
2022-09-15
北京大学余家阔教授团队最新研究成果为半月板部分切除患者提供重建半月板结构和功能新方案
2022年1月，北京大学第三医院运动医学科余家阔教授团队在Medicine,Research&Experimental（医学研究与实验）领域排名第十的ClinicalandTranslationalMedicine期刊发表题为“Studyonfeasibilityofthepartialmeniscalallografttransplantation”的研究成果，该研究对比格犬半月板切除40%后进行同种异体半月板部分移植，并与半月板全切除后的半月板完整移植及正常半月板进行比较。
北京大学
2022-08-26
《关于促进长三角科技创新协同发展的决定》9月1日起施行
以法治力量推动区域科技创新协同发展再添新样本。
云上高博会
2025-08-05
【高教前沿】东北师范大学副校长邬志辉：人工智能赋能教师教育，实现教师教育范式的全面变革
在人工智能的加持下，教师准入不再是死板的应试，而是通过虚拟实践考核实际教学能力和教育智慧。
中国教育在线
2025-07-10
一种二维材料的折叠系统及其使用方法
本发明公开了一种二维材料的折叠系统及其使用方法。在衬底上放置二维材料；将热释放胶带的黏性面粘在折纸臂上。通过显微镜筒，操控XYZR四轴微调平台和XYZ三轴微调平台，使得热释放胶带的另一面对准二维材料后，向下移动折纸臂，使得热释放胶带与二维材料紧密接触并粘合；抬起折纸臂，使得二维材料部分从衬底剥离；横向移动折纸臂，对二维材料进行形变弯折；向下移动折纸臂并施加一定的压力，对获得的结构进行定型；加热折纸臂上的热释放胶部分，对二维材料进行释放；释放后，向上移动折纸臂，获得经过折叠的二维材料；重复该操作，获得所需折叠结构。本发明系统可操作性强，可获得多种折纸结构。
东南大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
有机电荷转移分子调控二维材料电学特性研究
已有样品/n使用有机电荷转移分子F4TCNQ与MoS2结合形成范德华界面，通过F4TCNQ与MoS2之间的电荷转移来降低沟道内无栅压情况下的载流子浓度。MoS2晶体管的开启电压（Von）从负数十伏被调制至0伏附近，F4TCNQ并未导致MoS2晶体管包含迁移率在内的任何电学性能的下降，其亚阈值摆幅（SS）反而明显提升。团队成员通过第一性原理计算以及扫描开尔文探针显微镜表征证实了范德华界面处电荷转移的存在性，并研究了F4TCNQ对Mo
中国科学院大学
2021-01-12
维超大薄的荷叶状氧化镍纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种二维超大薄荷叶状氧化镍纳米材料及其制备方法，称取适量的四水合醋酸镍和尿素，加入到60毫升去离子水，搅拌溶解，得到浅绿色溶液；将溶液转移到100mL带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，密封后置于烘箱中，设置温度为110～130°C，反应10-14小时；反应结束后，自然冷却至室温，过滤洗涤，得绿色沉淀物；将烘干的绿色沉淀物放入电阻炉中，设置温度为300～400°C，热处理2～4小时，即得二维超大薄荷叶状氧化镍纳米材料。荷叶直径尺寸大小为1.8～2.5μm，厚度为10-20nm。这些纳米荷
安徽建筑大学
2021-01-12