高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
碳纳米管阵列的制备及其应用研究
发展了水分辅助 CVD 生长高品质碳纳米管阵列的技术,可实现高纯度碳纳米 管阵列的高效生长。制备了碳纳米管阵列负载各种金属氧化物的纳米复合材料, 并用于构建高性能的超级电容器。
上海理工大学 2021-01-12
仿生表面纳米涂覆提高PVDF微孔膜亲水性
上海交通大学 2021-04-13
PVD技术制备纳米结构超硬保护性涂层
涂层技术是提高刀具性能和寿命的重要途径。随着高速切削、干式切削等先进切削技术的不断发展,对刀具涂层的性能也提出了更高的要求,不仅要具备高硬度、高弹性模量、耐磨性和韧性等机械性能,还要具备抗高温氧化性能、耐蚀性以及优异的高温力学性能(红硬性),传统的刀具涂层,如TiN、CrN、甚至TiAlN涂层已逐渐不能满足性能的要求。因此,亟需开发高性能的新型保护性涂层材料。 材料结构涂层是利用纳米材料的特异结构产生高硬度的新型涂层材料,包括纳米多层涂层和纳米复合涂层。本项目组采用PVD(物理气相沉积)技术开发的TiAlSiN、TiSiCN、CrAlSiN等纳米复合结构涂层获得近50GPa的超高硬度,同时具有较低的摩擦系数和热稳定性,其使用温度达到1000℃;开发的CrAlN/ZrO2、TiAlN/SiO2等纳米多层涂层,不仅具有超过50GPa的超高硬度,同时由于含有氧化物阻挡层,抑制了外界氧原子向涂层内部的扩散,使涂层抗氧化性能得到大幅提升,同时还具备优异的耐蚀性能。
上海理工大学 2021-04-13
一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法
本发明属于光电器件制备技术领域,具体为一种铌酸锂材料的刻蚀方法。本发明方法包括:在铌酸锂表面制备金属钝化层,用来提高纳米图形的保形性以及侧壁刻蚀倾斜角;沉积硬掩膜,并采用微电子光刻技术进行图形化处理;在待刻蚀的铌酸锂区域沉积活性金属薄膜,以提高刻蚀深度;将覆盖有活性金属层的铌酸锂晶体在还原气氛中进行退火;然后采用相应的酸溶液和碱溶液去掉铌酸锂表面的金属及其与铌酸锂的反应物,得到具有一定刻蚀深度的铌酸锂纳米图形。所制备的大规模铌酸锂纳米器件阵列尺寸可控,保形性和重复性好,侧壁倾斜角大于80°,图形凸块表面光滑。铌酸锂纳米器件制备步骤简单,难度低,可降低大规模生产成本。
复旦大学 2021-01-12
纳米粉体表面修饰改性、分散及应用研究
随着纳米颗粒制备技术的日渐成熟,其应用技术也日益受到人们的广泛重视。但由于纳米颗粒粒径小、比表面积和表面能大、颗粒不稳定极易团聚,导致其优异的性能不能充分发挥,因此纳米技术研究中最艰巨的任务之一是使纳米颗粒能够稳定存在且不发生团聚。最常使用的方法是把纳米颗粒分散于介质中,通过静电稳定机理、位阻稳定机理和静电位阻稳定机理等来制备稳定分散的浆料。其中涉及到的核心科学问题为纳米颗粒的表面改性及其浆料稳定性。 项目组根据不同纳米材料表面特性以及应用场合不同,攻克了纳米粉体表面化学改性技术、纳米粉体在溶液中稳定分散技术等关键技术,制得了纳米四氧化三铁、二氧化钛、氧化铟锡、氧化锌、氧化镁、氮化硅、碳化硅等多种分散稳定性优异的水基、乙醇基浆料,其颗粒平均粒径≤100nm,比表面积≥30m2/g,固含量从0.5~20%不等。不同纳米粉体含量浆料静置稳定性从1~30d至1年不等,研究成果为纳米材料的应用奠定了坚实的基础。 应用前景: 纳米四氧化三铁浆料是采用胶溶化法和添加改性剂及分散剂方法,通过在颗粒表面形成吸附双电层结构阻止纳米粒子团聚来制得。平均粒径在20nm左右,具有超顺磁性,浆料Fe3O4固含量在0.5~20%,浆料静置稳定性在1年左右。可应用在磁性密封、生物医药载体、磁保健、磁记录材料、高梯度磁分离器、微波吸收材料以及静电复印显影剂。 纳米二氧化钛浆料作为产品或产品添加剂应用范围很广,主要可应用于抗紫外剂,纳米环保、抗菌、自清洁剂,随角异色效应型纳米涂料,静电屏蔽剂等。 纳米ITO水基浆料加入水性涂料中,经涂敷制得ITO薄膜。由于ITO薄膜具有优良的光电性能,对可见光的透过率达70%以上,对红外光的反射率≥70%,对紫外线的吸收率≥70%,对微波的衰减率≥85%,导电性和加工性能极好,硬度高且耐磨耐蚀,可用作防隔热涂料等。
南京工业大学 2021-01-12
武汉大学采购金属有机化学气相沉积设备项目公开招标公告
武汉大学采购金属有机化学气相沉积设备项目 招标项目的潜在投标人应在阳光招采电子招标投标交易平台(网址:http://www.yangguangzhaocai.com/)获取招标文件,并于2022年06月10日 09点30分(北京时间)前递交投标文件。
武汉大学 2022-05-27
卤代持久性有机污染物环境污染特征与物化控制原理
持久性有机污染物(POPs)是《斯德哥尔摩公约》的控制对象,是全球关注的环境污染物,其环境污染特征和去除控制原理是环境学科重要的基础科学问题。该项目紧紧围绕卤代POPs 污染水平和存在形态、脱卤机理和降解原理、吸附特性和去除机理三个关键科学问题,通过深入剖析典型受污染环境,揭示了传统POPs 和新增列POPs 的污染水平和赋存状态等环境污染特征;针对卤代POPs 难降解特点,突破了高效催化脱卤降解和吸附去除等物化技术原理,持续研究15 年,成果得到国内外同行的高度认可。
清华大学 2021-04-10
高纯度金属有机物(MO-CVD源)的新型通用电解合成技术
采用“电子”作为反应试剂,以金属[M = In, Sn, Al, Ta, Nb, Zn, Ti, Ni,等]为阳极,控制一定的阳极电极电位,分别在ß-二酮(如乙酰丙酮,Hacac),醇(ROH),或其混合溶液中电化学溶解金属,或按照一定顺序电化学溶解两种金属得到相应的单金属或者多金属有机物。具体反应为:M(金属)+ HL +电能 → ML (L=OR,ß-二酮如:Hacac)。本工艺为高纯度金属有机物(MO-CVD源)开发出一种全新“绿色化学”途径,具有如下优势:(1) 原材料金属可通过电解精炼达到很高纯度(>99.99%),从源头保证MO-CVD源的纯度要求,该技术采用阳极电极电位控制特定金属溶解,从而进一步控制杂质离子。同时该技术合成的MO-CVD源可以采用常规方法进一步提纯,根据需要杂质离子可以控制在10-9 量级以下。如采用该法制备的纳米TiO2(粒径分布窄,~5 nm左右)杂质分析:Pb:0.6 ppm,As:0.5 ppm,Hg:0.09 ppm,Fe:0.21 ppm。(2) 该工艺克服了传统化学方法合成MO-CVD源的缺点。以钛醇盐为例,化学法采用TiCl4 +ROH → Ti(OR)4,该反应由ROH逐渐取代Cl生成Ti(OR)xCly,采用氨吸收HCl形成沉淀使反应向右进行,无法得到不含Cl的Ti(OR)4,很难满足特殊电子工业对Cl杂质要求很高的工艺要求。本技术从工艺路径上保证了产品纯度:Ti(金属) + ROH +电能 → Ti(OR)4,该过程未引入任何Cl杂质,可以做到绝对无Cl的MO-CVD源。 (3)该技术具有通用性。MO-CVD源属于高附加值产品,市场变化快,本工艺采用的设备可以随时通过更换不同金属或者有机配体(含有活性氢配体),根据市场需要随时实现产品的转换,在追求高利润的同时规避市场风险,具有投资价值。工艺路线:具体合成:1. 金属醇盐:如钛醇盐、钽醇盐、铌醇盐、铟醇盐、锡醇盐,铜醇盐、镍醇盐等,及其稳定的金属醇盐ß-二酮配合物。2. ß-二酮金属盐化合物:如乙酰丙酮金属盐,乙酰丙酮锌Zn(acac)2、乙酰丙酮铁、乙酰丙酮铟In(acac)3、乙酰丙酮铜、乙酰丙酮钽、乙酰丙酮铌、乙酰丙酮锡等。3. 二元金属醇盐ß-二酮配合物:如PbTi(OR)x(acac)y,AlTi(OR)xLy,NaTa(OR)xLy,LiTa(OR)xLy等。 应用范围:高纯金属有机物可以作为MO-CVD源,制备超高纯度纳米金属氧化物。同时这些金属有机物可以有以下用途:添加剂,热稳定剂,催化剂,具体可用作树脂交联剂,树脂硬化促进剂,树脂、塑料、橡胶添加剂,铁电、压电等氧化物薄膜、超导薄膜、热反射玻璃薄膜、透明导电薄膜等功能薄膜材料等。
南京工业大学 2021-04-13
一种利用堆肥产物改良基坑土获得的生物有机土壤及其制备方法
本发明提供了一种利用堆肥产物改良基坑土获得的生物有机土壤及其制备方法。本发明通过将猪粪和园林废弃物按照一定的初始碳氮比发酵腐熟产生的堆肥产物和基坑土混合后,再接种进入具有降解木质纤维素的菌种,获得生物有机土壤。本发明通过测定生物有机土壤的物理结构、化学指标、生物学指标等来衡量改良效果,在一定程度上促进了城市建设废土团粒结构的形成并提高了城市建设废土中原有的贫瘠养分和微生物量,为园林废弃物和城市建设废土的资源化利用提供了一种切实可行的方法,同时在园林绿化栽植土标准的基础上提出了生物有机土壤的概念。
青岛农业大学 2021-04-13
一种七甲川吲哚菁类有机染料作为线粒体荧光探针的应用
本发明公开了一种七甲川吲哚菁类有机染料作为线粒体荧光探针的应用,所述七甲川吲哚菁类有机染料的结构式如下:该荧光探针具有优异的线粒体靶向能力,并在结合线粒体后发出反射波长为610nm左右的红色荧光。同时,该探针还具有荧光量子产率高、成像时间长、信噪比高和细胞毒性低等优点,可作为一种新型的线粒体成像试剂。
东南大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 264 265 266
  • ...
  • 341 342 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1