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背靠背结构电压型变流装置的双脉冲宽度调制控制器
一种背靠背结构电压型变流装置的双脉冲宽度调制控制器,其特点是:它包括由两套结构相同的数字信号处理器电路,现场可编程门阵列电路,同步单元电路,模数A/D转换调理电路,过压,过流调理电路,串口通信电路,故障,状态指示电路和控制电源电路组成.数字信号处理器电路的数字信号处理器DSP用来模数转换,上层控制算法,底层控制中脉冲宽度调制脉冲生成及串口通信控制;数字信号处理器电路与现场可编程门阵列电路两个输入输出I/O口相连接,用来数字信号处理器电路和现场可编程门阵列电路之间工作状态通信;具有通用性强,硬件电路无需更改的前提下,只须通过编程即可适应于不同的应用场合;具有控制精度高,电路结构简单,集成度高等优点.
东北电力大学
2021-04-30
一种网格方环加载过孔结构的2.5维超宽带移动通信天线罩
本实用新型公开了一种网格方环加载过孔结构的2.5维超宽带移动通信天线罩。主要由多个相同周期单元阵列组成的周期性频率选择表面，每个周期单元主要由上下两层介质层、设置在介质层上的金属贴片和金属过孔以及两层介质层之间的空气缝隙层组成；空间内的电磁场入射于所述天线罩，依次经过上层介质层、空气缝隙层和下层介质层的选择性滤波后，从下层介质层输出所需频段的电磁场，能在电磁波入射角度变化的情况下抑制杂波的能量。本实用新型适用于超宽带移动通信天线罩的设计，通带带宽大，带内插入损耗极小且稳定，尤其是入射电磁波在大角度变化时宽带性能稳定，频率选择性能佳。在移动通信、雷达、电磁屏蔽等领域都具有巨大的应用价值。
浙江大学
2021-04-13
预应力装配式混凝土框架结构 的抗震性能试验及施工工艺研究
南京工程学院
2021-04-13
一种适用于既有建筑房屋改造的砖混形式组合梁托换结构
本实用新型公开了一种适用于既有建筑房屋改造的砖混形式组合梁托换结构，涉及建筑用托换结构技术领域，由于结构胶的作用，砖砌体梁可以有效地防止侧面钢板组合构件发生局部屈曲和整体失稳，提高了组合梁、柱的刚度；侧面钢板一方面可以提供较高的抗拉、抗压承载能力，另一方面可以约束砖砌体梁使其提高受力性能；底部设置的转向结构可以调整结构荷载形式，优化结构承载力，充分发挥力筋的高强受拉性能；预应力钢绞线可以提高组合梁整体的刚度，减小其变形；本实用新型结构简单、构造合理，能够有效的提高原有房屋建筑的极限承载力和抗震性能，
安徽建筑大学
2021-01-12
一种基于双异复合结构层的宽带可调谐太赫兹吸收体
专利名称：
天津工业大学
2021-01-12
一种高功率射频板条 CO2 激光器电极非均匀水冷网格结构
本发明公开了高功率板条 CO2 激光器平板电极的一种冷却水流 道结构。采用在电极内部加工水冷槽作为冷却水的流道的技术方案， 将水流道设计为非均匀网格，改进了现有 U 形、S 形和蛇形流道结构， 具有网格结构非均匀、散热效率高、散热均匀性好特点。本发明是在 大量工程实践的基础上，提出的冷却水流道结构设计的最优方案，可 推广用于大部分高发热金属器件的散热。
华中科技大学
2021-04-14
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO<sub>2</sub>，将光刻的图形转移到 SiO<sub>2</sub>层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微
华中科技大学
2021-04-14
“后疫情时代”大学生结构性心理压力影响机制及其应对策略研究
本项目着眼于“后疫情时代”大学生心理健康问题，立足于疫情后期武汉各高校大学生心理状况，以社会学与心理学的理论视角，采用经验研究与统计分析相结合的方法进行研究。
中南财经政法大学
2022-08-01
一种基于包芯结构复合相变储热层的动力电池冷却系统
本发明公开了一种基于包芯结构复合相变储热层的动力电池冷却系统，包括系统壳体、彼此层状交错分布在壳体中的电池单体模块和储热模块，以及执行装配和定位的上盖板和锁紧螺杆；其中各个储热模块整体呈包芯结构，并包括处于各模块外层且由高分子材料制成的密封外壳、以及真空灌装在该密封外壳内腔且由导热材料和石蜡类相变材料共同混合而成的复合相变材料，所述高分子材料的固化温度被设定为高于复合相变材料的相变温度，并且在由其制成的密封外壳
华中科技大学
2021-04-14
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工 艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO2，将光刻的图 形转移到 SiO2 层、4)镀 Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微米线表面镀一层 ZnO 膜、8)在 Si 微米线表面生长 ZnO 纳米线、9)在 ZnO 纳米线表面制备一层 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 结 构 表 面
华中科技大学
2021-04-14