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TES-8040B 控制单元
TES-8040B控制单元
随着多媒体教学的广泛应用，传统的教学设备已无法满足管理信息化的需求，为了进一步提升教学质量与教学管理服务水平，打造便捷、智能、互联的智慧教室生态圈，深圳台电公司继其数字红外无线教室音频系统之后，重磅推出TES-8100系列智慧教学系统。该系统融合了当前TES-5600系列教室音频系统所用的数字红外音频传输及控制技术，同时运用网络通讯技术将多媒体教室中的多媒体讲台、投影机、幕布、电脑音视频设备、话筒及功放等诸多设备进行集中管理和远程控制，致力打造一个整体化、智慧化、安全化的智慧校园。
音质清晰
结合深圳台电自主研发的数字红外处理芯片及国际先进的数字红外技术，在20米范围内不论远近均保持完美音质：频响：主机线路-主机：50 Hz~20 kHz 麦克风-主机：100 Hz~20 kHz信噪比：≥90 dBA总谐波失真：≤0.05%
提高声音清晰度，让老师能较长时间以自然声调讲课，保护老师声带，避免声嘶力竭
清晰的声音能调动学生注意力，减少上课分心、开小差现象，从而提高听课效果
一体化设计，支持灵活扩展
软硬件一体化、模块化设计，支持无缝扩展其他模块
基于其智能操作系统，扩展升级丰富的教学应用
远程智能管控
支持外接触控一体机、投影幕布/白板等显示系统，可控制一体机、投影机、幕布的开关与升降，支持集中监控和管理各种用电设备，支持能耗监控与统计
智慧无线物联
实时采集教室内温湿度、CO2浓度、PM2.5、甲醛等数据，可根据预设自动开启空调，进行温湿度调节；可自动开启环境灯光、开合窗帘提供自然光源，营造舒适的教学环境
TES-8040B 控制单元
TES-8040B …………………………………………控制单元（4.3寸显示屏，IC卡，可插拔话筒杆，标配60 cm话筒杆，也可选配50 cm或70 cm话筒杆）
深圳市台电实业有限公司
2021-08-23
录播控制键盘K1
产品详细介绍
6个录播控制按键，可对资源模式、教师跟踪手自动、学生定位手自动、导播规则启用停止等功能进行快捷切换操作。
可调节包括摄像机光圈、聚焦、变焦等控制。
具备12种转场特效及4种视频叠加效果。
可设置调用255个预置位，支持不同波特率及地址位调节。
北京翰博尔信息技术股份有限公司
2021-08-23
红外遥控小车控制电路套件
可设计组装红外遥控小车，具有前进、后退等功能。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
红绿灯控制系统套件
可进行红绿灯控制流程演示，通过学生自己编程可进行交通指挥系统设计，完全仿真红绿灯工作状态。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
自制水位控制组装套材
供应通用技术自制水位控制组装套材，规格可定制，价格优惠，质量保证，欢迎广大客户来电咨询。
备注：以上是自制水位控制组装套材的详细信息，如果您对自制水位控制组装套材的价格、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取自制水位控制组装套材的最新信息。
咨询电话：0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司
2021-08-23
8路模拟节目源控制模块
产品详细介绍
烟台正达电子技术有限公司
2021-08-23
AMX智能集中控制系统
产品详细介绍AMX智能集中控制系统可随实际需要灵活配置。AMX集中控制系统界面整全、针对用户设备选配适合的控制界面。系统扩展方法多样，模块箱(AMF－S)配合控制口延伸器(AXB－MPE+)可控制上万平方米之大型场合。方便经济的合并式控制器适合一般会议室、控制中心使用。各控制设备使用通讯总线连接，可实时反馈设备状况给用户，保证准确无误的操作。
北京鑫航伟业科贸有限公司
2021-08-23
传感器应用实验器
产品详细介绍
齐齐哈尔大学科教仪器厂
2021-08-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10