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一种石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管
本实用新型公开了一种石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管，该发光二极管是自下而上依次有蓝宝石衬底层或硅衬底层、氮化镓层、银量子点层、石墨烯层，在氮化镓层上还设有侧面电极，在石墨烯层上设有正面电极，所述的氮化镓层厚度为2～10μm；本实用新型的石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管利用银量子点表面等离子体增强发光，同时结合石墨烯材料的高透光性、高导电性和氮化镓优异的发光性能，正反偏压下均可发光且波段多样，亮度高，制备工艺简单，成本低。
浙江大学
2021-04-13
一种沿面击穿型两对棒极结构触发真空开关
本发明公开了一种沿面击穿型两对棒极结构触发真空开关；触 发真空开关采用三段式结构，包括上段波纹状陶瓷外壳，下段波纹状 陶瓷外壳，中段金属屏蔽罩，设置在金属屏蔽罩内的上电极和下电极， 触发电极，上电极金属连杆，上电极法兰盘，下电极金属连杆以及下 电极法兰盘；上电极法兰盘与上段波纹状陶瓷外壳连接，下电极法兰 盘与下段波纹状陶瓷外壳连接，再与金属屏蔽罩共同构成密闭壳体； 通过上段波纹状陶瓷外壳连接上电极法兰盘，以及通过下段波纹状陶 瓷外壳连接下电极法兰盘能有效提高上电极法兰盘与下电极法兰盘之 间的爬电距离
华中科技大学
2021-04-14
一种三相交流电机定子变极绕组的设计方法
本发明公开了一种三相交流电机定子变极绕组的设计方法，要 给定变前极极对数 p1 和变后极极对数 p2，选择槽数系数 k，由此确定 定子槽数 Z 后作两种极数槽号相位图，将 p1 槽号相位图按列等分为 120°相带，每相再去掉位于相带边沿的槽号，使得剩下的槽号为 5 的 倍数，然后按每相 3 条支路比率 1:2:2 分配这些槽号，对 p1 相位而言，比率 1 槽号位置在 120°相带中间，比率 2 槽号分为两组位于比率 1 槽号左右两侧，分别调整比率 2 两组槽号各自所代表线圈的匝数比， 使 3 条支
华中科技大学
2021-04-14
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳
华中科技大学
2021-04-14
西南大学气相色谱三重四极杆质谱联用仪竞争性磋商
西南大学气相色谱三重四极杆质谱联用仪竞争性磋商
西南大学
2022-06-23
哈尔滨工程大学软包/固态电池电极极片制备设备采购及服务竞争性磋商
哈尔滨工程大学软包/固态电池电极极片制备设备采购及服务竞争性磋商
哈尔滨工程大学
2022-06-06
一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管
本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下而上依次设置的衬底、ｎ型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、ｐ型氮化物层、ｐ型氮化物欧姆接触层，所述ｎ型氮化物层上设置的ｎ型电极和所述ｐ型氮化物层上设置的ｐ型电极；其中电子阻挡层由由下而上依次设置的ｐ型掺杂氮化物势垒层，非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合
东南大学
2021-04-14
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，包括：由下至上依次设置的衬底，AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层，其中z>y>x，p型AlGaN层和透明导电层，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型
东南大学
2021-04-14
一种络合反应协同双极膜电渗析实现镁锂分离的新工艺
本发明涉及膜分离和资源回收技术领域，公开了一种络合反应协同双极膜电渗析实现镁锂分离的新工艺。该工艺利用乙二胺四乙酸根可在特定条件下与镁离子选择性络合形成带负电荷络合物的特性以及电渗析系统的阴阳离子分离性能，实现卤水、油气田废水、海水等锂镁混合体系中的镁锂分离。上述方法利用现有的商业阳离子交换膜与含有乙二胺四乙酸根的料液或废液即可实现镁锂混合溶液中锂离子的选择性分离，无需研发新型一多价选择性离子膜，可规避目前一多价选择性阳离子交换膜研发所面临的膜选择性与通量相互制约、分离层稳定性差等问题，为目前镁锂分离提供一种新的策略，具有工艺简单，锂离子选择高，周期短，环境友好及可连续化生产等优势。
南京工业大学
2021-01-12
可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ｎ?ＺｎＯ纳米线；采用磁控溅射法在ｐ?ＧａＮ上溅射一层ＡｌＮ薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制备具有欧姆接触的金属电极；将ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ紧扣在ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列上面形成异质结，构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ＺｎＯ纳米棒阵列，提高ＺｎＯ结晶度，提高电学性能，有效消除晶体质量差的问题；引入ＡｌＮ隔离层，有效较少了结区的剩余电子，增加ＺｎＯ区载流子复合效率，实现纯ＺｎＯ紫外发光；ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ异质结发光二极管，发光位置在３８５ｎｍ左右，半峰宽为１４．５ｎｍ。
东南大学
2021-04-11