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一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器,包括依次连接 的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极,还包 括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层,第二自由层的横 截面积小于自由层的横截面积;第二自由层和第一自由层一起形成了 复合自由层结构;第二自由层用于聚集电流,使得第二自由层处的电 流密度大于第一自由层处的电流密度,从而使得第二自由层的磁矩先 于第一自由层发生翻转;由于第二自由层和第一自由层之间的
华中科技大学 2021-04-14
山东新祯电子科技有限公司
山东新祯电子科技有限公司于2016年10月31日成立。法定代表人王新祯,公司经营范围包括:电子线路板、覆铜板、电子元器件、电子仪器、电子仪表及电子产品生产加工、销售,电子产品研发,货物、技术进出口,但国家限制公司经营的商品和技术除外等。
山东新祯电子科技有限公司 2021-06-16
一种柔性电子制备、转移与封装系统及方法
本发明公开了一种柔性电子制备、转移与封装系统及方法,该 系统包括基板转移模块、柔性电子制备模块、激光剥离模块以及封装 与装卸模块,基板转移模块用于拾取基板并放置到柔性电子制备模块 上,然后将制备好的柔性电子连同基板一起转移到激光剥离模块,最 后从激光剥离模块上取回被剥离的基板;柔性电子制备模块用于在基 板上完成柔性电子的制备;激光剥离模块用于将制备好的柔性电子与基板分离;封装装卸模块用于将需封装的产品放在封装模块上,并将 从基板上剥离的柔性电子封装在产品上,最后将封装好的产品取下。 所述方法利用所述
华中科技大学 2021-04-14
【人民网】“智”汇东北 “才”启新程
第63届高等教育博览会在长春启幕,硬核成果组团亮相。
人民网 2025-05-25
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
磁流体热磁对流在电子器件散热中的应用
项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件,应用磁流体的热磁对流效应,把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2.温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3.磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标     建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术,提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展,达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明,散热效果好,能达到电子器件冷却要求,满足工业生产的需求,在生产过程中无污染,无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中,具有较好的经济效益和社会效益。
南京工程学院 2021-04-11
基于闪蒸喷雾的大功率电子器件冷却系统
随着电子技术的不断发展,电子器件和芯片性能的提高带来电路及其芯片的散热问题日益突出。研究表明:电子器件工作温度在70~80℃水平时,每增加1℃,其可靠性就降低5%。同时由于芯片的不断集成化和微型化,导致散热量的迅速增加,传统的冷却技术已经不能满足散热要求。本技术开发了一种制冷剂闪蒸喷雾高效冷却循环系统,利用闪蒸雾化和相变传热技术,实现了低温高效换热,传热系数高达26533W/(m2·K),表面温度在低于60摄氏度热流密度即可超过100W/cm2(而常规水冷条件下元器件表面温度超过150摄氏度)。
西安交通大学 2021-04-11
基于新材料的新型真空电子器件的基础研究
本项目研究了超材料的电磁特性、基于超材料的反向切伦科夫辐射、基于纳米材料冷阴极的场发射特性以及它们在高效率、高功率和高频率的真空电子器件中的应用。相关SCI论文共计153篇,SCIE数据库中的他引次数为1058次,代表性论文被《自然-纳米技术》、《物理评论快报》、《先进材料》等国际顶级期刊上发表的SCI论文他引157次。这些学术成果解决了真空电子器件所面临的核心科学问题,在国际真空电子学领域产生了重大的影响。
电子科技大学 2021-04-14
中国科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展
课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础(Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021),设计了结终端扩展结构(Junction Termination Extension, JTE),并优化退火工艺,成功制备出耐高压且耐高温的氧化镓异质结二极管。
中国科学技术大学 2022-06-02
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