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一种多工位协同的柔性电子制备系统及方法
本发明公开了一种多工位协同的柔性电子制备系统及方法，该 系统包括旋转盘模块和分布在其周围的上下基板模块、基底电喷雾模 块、3D 打印底层绝缘层模块、电纺丝模块、3D 打印顶层绝缘层模块、 激光剥离模块和取料模块，旋转盘模块用于固定基板及工位转换;上 下基板模块用于拾取和转移基板;基底电喷雾模块用于制备基底;3D 打印底层和顶层绝缘层模块分别用于打印底层和顶层的绝缘层;电纺 丝模块用于纺制电路;激光剥离模块用于烧蚀基底，使基板与柔性电 子自动分离;取料模块用于将被分离的柔
华中科技大学
2021-04-14
刚性室温热电材料和离子液体调制的柔性热电材料方面研究
热电材料是一种可以将热能和电能进行直接转换的新能源材料，基于热电技术制备的热电发电或制冷器件具有无活动部件、无污染、无噪声等优点。传统的经典碲化铋基室温热电材料是目前唯一被商业化量产应用的热电材料，主要应用于固态制冷。虽然该材料含有的Te元素丰度极低，并且力学性能不佳，但是自上世纪60年代被发现以来，一直被工业界沿用至今，没有可替代的材料。随着物联
南方科技大学
2021-04-14
高性能环氧树脂电子封装材料
环氧树脂作为电子封装技术的重要支撑材料，需要同时满足电子元件高集成度、信号传递低衰减、底部封装（underfill）工艺、材料耐疲劳和高可靠性等要求。利用高导热填料与环氧树脂复合，并通过多尺度微纳米填充、分散优化、界面强化、构筑有序结构等方法赋予了环氧树脂封装材料优异的导热性能、高流动和高阻燃性、低热膨胀和低吸潮率、电绝缘性能，是大功率、高集成ICs快速发展的保障。
华中科技大学
2021-04-10
高性能氮化镓基电子材料
已有样品/n中科院半导体所是国内最早开展 GaN 基电子材料研发的单位，并一直在该领域起着引领、 示范和带动作用。经过尽二十年的自主创新，攻克了 2 英寸和3英寸蓝宝石、碳化硅和硅衬底上GaN 基电子材料外延生长的关键科学技术问题，在高阻 GaN 外延材料、高迁移率 GaN 外延材料、高迁移率 AlGaN/GaN 异质结结构材料等方面形成了系统的自主知识产权，设计并研制出了多种具有特色的 AlGaN/GaN 异质结构电子材料，并实现了批量供片。市场预期：该技术是采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）
中国科学院大学
2021-01-12
电子元件分组实验用材料
产品详细介绍
长春市教育技术装备实验仪器厂
2021-08-23
一种独特的研制柔性热电材料的方法
采用湿化学法制备硒化银纳米线，然后真空抽滤沉积到柔性的尼龙滤膜上，再低温热压获得了高性能的n型复合薄膜。硒化银膜室温的功率因子约为987 mW/ m K2（ZT值约为0.6），是至今报道的n型柔性热电薄膜中最高值之一；以此复合膜设计的4个单臂组成的原型器件在30 K温差下输出功率460 nW (功率密度约为2.3 W /m2)。同时，因为硒化银膜（由大长径比的纳米晶相互交织而成）与尼龙膜的协同作用，复合膜具有很好的柔性（绕直径10 mm的圆棒弯曲100次后电导率仍然保持原先的92%）。该方法为制备柔性的高性能热电薄膜提供了新的思路。
南方科技大学
2021-04-13
铁电高分子柔性存储器：高容量电子数据存储
铁电高分子利用两个稳定的偶极取向状态，以二进制代码“0”或“1”的形式存贮信息，该方式具有掉电不丢数据、超快擦写速度（微/纳秒）、极低的工作电压（1～5V）、高耐久性的特点，适用于便携式电子产品。我校用集成电路常用的光刻技术制备了铁电高分子的光栅或点阵结构，采用干涉光可将特征尺寸缩小到300纳米以下，一家法国公司正在尝试运用该项技术。
南京大学
2021-04-14
性能的柔性混合电子一体化设计与制造平
依托“索维奇智能新材料诺奖实验室”，解决了柔性印刷电子材料耐高温、阻燃、抗弯折等安全可靠性的问题，突破了新型复合性能印刷墨水的大规模制备技术，实现了功能化柔性印刷电子器件的快速制备，形成了基于材料-工艺-结构-性能的柔性混合电子一体化设计与制造平台。与传统电子制造技术相比，具有大面积制造、柔性化、绿色环保、低成本等技术优势。成果已应用于可穿戴健康监测集成部件、柔性纸基RFID芯片等。
哈尔滨工业大学
2021-04-14
一种基于微流控技术的柔性电子制作方法
本发明公开了一种基于微流控技术的柔性电子制作方法，其包 括以下步骤：提供一个同轴针头；提供柔性聚合基底材料，并在所述 柔性聚合基底材料内添加表面活性剂以形成柔性组合物；提供平板， 并在所述平板的表面上涂一层预定厚度的所述柔性组合物；将所述柔 性组合物及导电液体分别置于两个微型泵内，并将两个所述微型泵的 出口分别连接于所述同轴针头；先后开启收容有所述导电液体的微型 泵及收容有所述柔性组合物的微型泵，并基于微流控技术分别控制两 个所述微型泵的压力及流量；待所述同轴针头内的所述柔性组合物与 所述导电液体之
华中科技大学
2021-04-14
原位合成AlN/Al电子封装材料技术
西安科技大学自2007年开始就对电子封装材料制备技术开始研究，目前已经开发出AlN/Al、SiC/Al系列电子封装材料制备技术。涉及原位合成、无压浸渗、热压烧结等多种制备方法。本项成果为一种原位合成AlN/Al电子封装材料技术，目前此项技术已获批国家发明专利1项。
西安科技大学
2021-04-11