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一种Sn掺杂CrO2薄膜及其制备方法
小试阶段/n磁性半金属CrO2薄膜在自旋电子器件中有广阔的应用前景,然而,其化学性质不够稳定,即使在室温下也容易转化为Cr2O3。本发明采用SnI4和CrO3作为前驱物,通过化学气相沉积(CVD)成功制备出Sn掺杂CrO2薄膜,使薄膜的热稳定性大大提升,从而解决了CrO2薄膜稳定性的问题。
武汉科技大学 2021-01-12
氧化物薄膜晶体管材料及其器件
本项目主要研究和开发高迁移率透明氧化物半导体薄膜,重点研究掺锌氧化铟(IZO)透明氧化物半导体薄膜;筛选合适的介质层材料,研 究和制备优质致密的透明介质层薄膜;研究制备掺钨氧化铟(IWO)高 迁移率 TCO 薄膜,使其与 TOS 薄膜具有良好的电接触特性;研究制 备采用上述透明导电氧化物电极、透明氧化物半导体沟道层和透明介 质层构成的全透明 TFT,研究 TFT 的尺寸和各种工艺技术对 I-V 特
复旦大学 2021-01-12
化合物薄膜太阳能电池及其制备方法
化合物薄膜太阳能电池及其制备方法,属于半导体光电材料与薄膜太阳能电池制备领域,解决现有化合物薄膜太阳能电池中所需材料在地壳中含量较少、价格昂贵、对人体有毒的问题。本发明的化合物薄膜太阳能电池,包括衬底及透明电极层、N 型缓冲层、P 型吸收层和背电极层,P 型吸收层材料为 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4;本发明的制备方法包括沉积透明电极层步骤、沉积 N 型缓冲层步骤、沉积 P 型吸收层步骤、沉积电极层
华中科技大学 2021-04-14
高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
本项目共包括10项授权专利,其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术,同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等,共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术,获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求,摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。(1)建成了我国第一条大尺寸磁
电子科技大学 2021-04-14
一种可寻址电调光反射率薄膜
本发明公开了一种可寻址电调光反射率薄膜。包括阴极,阳极阵列,以及设置在阴极和阳极阵列间的介电层;阳极阵列由 M×N 元阵列分布的阳极单元构成,阳极单元由规则排列且相互连通的多个子电极构成,可寻址电调光反射率薄膜被划分为 M×N 元阵列分布的电调光反射率单元,阳极单元与电调光反射率单元一一对应,构成电调光反射率单元的阳极,所有电调光反射率单元共用阴极;通过阳极单元和阴极对电调光反射率单元执行独立加电操作,进而通过调变加
华中科技大学 2021-04-14
硅薄膜太阳电池集成组件的制备技术
本发明涉及一种硅薄膜太阳电池集成组件,它的结构和制备技术,特别是具有氧化锌(ZnO)背反射电极的硅薄膜太阳电池集成组件及其制备技术。而ZnO背反射电极是硅薄膜太阳电池陷光结构的重要组成部分,可大幅提高电池效率。它涉及硅薄膜太阳电池集成组件的关键工艺——子电池内联集成技术,属于新型能源中薄膜太阳电池的技术领域。本发明采用掩膜蒸镀金属电极,结合湿法腐蚀ZnO的方法,实现具有ZnO背反射电极的硅薄膜太阳电池子电池的内联集成技术,最终获得硅薄膜太阳电池集成组件。该方法简单、成品率高、成本低,有利展示硅薄膜太
南开大学 2021-04-14
光降解塑料和生物降解塑料薄膜
项目简介: 随着石油化学
西华大学 2021-04-14
一种用于薄膜复合的同步驱动对辊装置
本发明提供一种用于薄膜复合的同步驱动对辊装置,包括主动辊组件,其具有一可转动的主动辊,该主动辊组件固定安装在一安装板上,其一端与一驱动组件联接,用以提供驱动力带动该主动辊转动;浮辊组件,其具有一可转动的浮辊,该浮辊与所述主动辊呈有间隙地相对布置,两辊的中心轴线平行;齿轮组件,其包括外啮合的呈同步转动的两齿轮,该两齿轮分别通过轴端同步带轮上的同步带与主动辊和浮辊相连,实现两辊的同步转动;在驱动组件驱动下,所述主动辊转动,驱动所述齿轮组件的两齿轮转动,从而带动所述浮辊与该主动辊同步转动,实现对两辊间的薄膜的驱动或复合。本发明方便调节,可稳定完成多层薄膜的复合和输送,保证薄膜复合的均匀性。
华中科技大学 2021-04-11
石墨烯和金属网孔复合膜柔性透明电极
1、主要功能及应用领域 透明电极在太阳能电池、有机发光二极管、触摸屏等光电器件中具有重要的应用价值,目前应用最多的用氧化铟锡(ITO)为制造的透明电极,但ITO存在脆性大,无法弯曲,近年来随着光电器件对透明电极需求的增加,铟的价格也大幅提高。由于石墨烯产业化后的预期成本低,成为柔性透明电极的主要材料之一,但在实际中由于大面积石墨烯总会存在一定的缺陷,影响了其导电率,本项目结合石墨烯和纳米金属网孔的优势制备出石墨烯和金属网孔复合膜柔性透明电极。 2、特色与先进性技术指标 特色:利用低成本、无污染的溶胶在透明基底形成网状模板,利用模板制作金属网格;通过转移石墨烯在金属网格上制作一种石墨烯/金属网格复合电极。其复合电极表现出优异的光电特性。通过结合单层石墨烯的高透光性和金属网格的导电性,有效地弥补了化学气相沉积法(CVD)-石墨烯多晶结构的缺陷和金属网格不利于制作依赖垂直电流传输器件的的缺点,从而提高透明复合电极的光电特性。 图1 制备的石墨烯及拉曼图,可以看到非常清楚的2D峰,右图为金属网孔的显微图。 3.技术指标 复合电极:面电阻为 21.2 、透光率为92%(在550nm波长测得),下图表明其宽带的透射光谱特性。 图2 复合电极的透过率 将复合电极制作在PET基底上,使其可以表现出优异的机械柔软性。在将透明电极从正向到反向弯曲,其弯曲角度从-150o达到150o时,其电导率也只下降3.4%,反复弯折100次,电导率几乎没有什么变化。 4、产业化的关键性问题 高性能的透明电极在许多光电器件是必不可少的,例如触摸屏、光伏电池、有机发光二极管等。目前商业上,由于氧化铟锡(ITO)薄膜的高光学透过率、低面电阻和成熟的制造工艺,在作为透明电极方面已广泛地应用在各种光电器件中。但铟是稀有金属,在地壳中的分布量比较小且分散,主要以微量存在于锡石和闪锌矿中,且随着液晶显示器和触摸屏等产品的普及,因此铟的价格在急剧上涨。此外,氧化铟锡透明电极缺乏柔韧性,不易弯曲,化学稳定性差,不适合应用于柔性透明电极。 传统上制备金属网采用光刻法及蚀刻工艺。但是,通过采用光刻法制备的金属网格不仅成本较大、工艺复杂、效率低,而且在制备的工艺条件、设备要求也较高。 本实验采用了低成本高效率的方法制备金属网格,再通过CVD法生长大面积石墨烯并转移在金属网格上。实验过程中工艺简单、成本低、效率高,并可制备大面积-高质量的透明电极。
电子科技大学 2021-04-10
石墨烯和金属网孔复合膜柔性透明电极
透明电极在太阳能电池、有机发光二极管、触摸屏等光电器件中具有重要的应用价值,目前应用最多的用氧化铟锡(ITO)为制造的透明电极,但ITO存在脆性大,无法弯曲,近年来随着光电器件对透明电极需求的增加,铟的价格也大幅提高。由于石墨烯产业化后的预期成本低,成为柔性透明电极的主要材料之一,但在实际中由于大面积石墨烯总会存在一定的缺陷,影响了其导电率,本项目结合石墨烯和纳米金属网孔的优势制备出石墨烯和金属网孔复合膜柔性透明电极。
电子科技大学 2021-04-10
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