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基于软件无线电的反无人机系统
本项目主要针对“轻、慢、小”型无人机，研发便携式轻小型反无人机防御系统，该系统包含定位跟踪雷达、定向干扰/诱捕模块、电源等。可以实现对小型无人机的准确定位和跟踪，做到先发现，先行动，为进一步对无人机目标的诱捕、摧毁或者有效干扰降低其准确性提供可靠的位置信息。同时也可以实现对隐身无人机目标的发现跟踪，并对其进行诱捕、摧毁或者有效干扰等反制行动。
西安电子科技大学
2021-04-14
一种带有扩展USB接口的购电卡
本实用新型涉及一种带有扩展USB接口的购电卡，包括设在基片上的触点和USB接口以及嵌入到基片内的集成电路、转换器、微控制单元和USB接口电路，触点与集成电路相连接，微控制单元分别与USB接口电路和集成电路相连接，DC/DC转换器的输入端与USB接口相连、其输出端分别与USB接口电路、微控制单元和集成电路相连，该购电卡通过USB接口与计算机相连接，集成电路通过USB接口电路与计算机进行通信。
华北电力大学
2022-07-20
基于电碳量化关系的关键技术及应用
一、项目分类
关键核心技术突破
二、技术分析
关键技术1：基于能源大数据的电网源流路径电气剖分技术
电力网络源流路径电气剖分技术是一种基于系统确定运行方式下源流计算结果的网络分析方法。利用电气剖分方法，可以定量地求出任一线路上的源流具体是从系统中的何处、以何路径传输而来。基于电气剖分理论可以分析出实际电网源流耦合信息，并以此为依据制定相应的控制策略。
基于不同发电类型的发电厂碳排模型和不同时间断面下的电网潮流分析数据，通过电力网络源流路径电气剖分方法，可面向不同电压等级区域电网，支持包含源网荷储的配网模型导入，实现对电网中源荷资源碳流足迹的实时追踪，基于电网的碳流追踪技术可掌握电网碳流动态分布情况，通过对电网碳分布-电分布时空耦合影响机理的研究，可实现电网碳分布与电分布间交互影响的有效分析，最终掌握电网电碳分布情况、碳排流动情况以及碳排分摊比例，从而提升对不同区域电网内碳流的态势感知能力，助力区域电网实现双碳目标。
关键技术2：基于用户侧能碳因子的电力基因技术
电力基因技术，是对各种不同的电力特征数据进行采集分析，获取系统基因组的准确画像，利用人工智能、大数据分析等技术手段进行电力基因检测和诊断，通过控制手段进行电力基因调控，从而挖掘出深度应用价值的技术。电力基因数据包含时间特征（天-时级、分-秒级、毫-微秒级）、空间特征（线路拓扑、节点分布及设备位置）和能量特征（电压、电流、功率、频率）信息，可以对一个研究对象进行电力基因数据提取，并建立基于电力基因数据的电路模型，开展多样化定制化的电碳协同服务应用。
用户的电碳因子可能受到多种因素的影响，包括用户对用能设备的控制，如开关动作、调节指令等；用户对系统和设备的运行方式的改变，如运行模式、调控策略等；用户受到研究对象自然条件的影响，如温度、湿度、台风等；用户受到电网或社会环境的影响，如政治、经济、文化、科技、心理等因素。对供电大楼内不同部门不同班组的用户进行精细的能碳画像，有助于加强用能科学管理，强化用能监督，制定和实施低碳节能措施，为供电公司开展低碳节能技术改造和节能减排工作提供强有力的决策支持。
东南大学
2022-07-26
一种 Ag 基电触头的制造方法
本发明公开了一种 Ag 基电触头的制造方法，利用激光选区熔化 法 ， 首 先 使 用 4 × 10<sup>5</sup>W/m<sup>2</sup> ～ 10 × 10<sup>5</sup>W/m<sup>2</sup>的激光，在触桥表面预制 20μm～50 μm 的 Ag2O 过渡层，再在过渡层表面打印出 Ag 基电触头三维结构。 本发明利用
华中科技大学
2021-04-14
一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。
东南大学
2021-04-11
碲化镉薄膜太阳电池的产业化制造技术
本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
金属和合金纳米粒子组装薄膜材料的气相制备技术
纳米粒子由于具有非常小的颗粒尺寸和大的比表面积，通常显示出许多不同于常规块体材料的电、磁、光和化学特性，在现代工业、国防和高技术发展中充当着重要的角色。随着科学技术的迅速发展，对材料性能的要求也越来越高，因此寻找一种可替代液相法的真空气相法来获得表面清洁纳米粒子的制备技术是开发具有优异性能新型纳米结构材料的迫切要求。特别是纳米粒子组装复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优越性，成为一个重要的前沿研究热点，它有望将“传统功能材料”通过“纳米复合化”达到进一步提高和拓展材料性能的目的。
厦门大学
2021-01-12
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
一种超硬非晶碳薄膜的制备装置和工艺
项目为一种超硬的非晶四面体碳（ta-c）薄膜的制备装置和工艺，该薄膜具有极好的物理化学特性，在碳基薄膜中，是目前国际上公认的SP3键含量最高，超过85%，特性最接近天然金刚石的薄膜，硬度达到HV≥85Gpa，可见光和红外光透明，透光率达97%，吸收紫外光，达98%，薄膜均匀性好，薄膜平整度达0.2nm，摩擦系数≤0.08，电阻率达（1012Ω·cm），击穿电压3.5×106，（），热导率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蚀作用极好。 该项目可用于高精度专有刀具、模具和摩擦滑动部件，提高使用寿命，减小摩擦，如手术和美容刀具、丝锥、PCB钻、拉丝模、冲压模具、压缩机滑块，滑动环等；用于视窗、镜片和传感器表面，可防止划伤，增强散热，利于红外光传递，等；用于激光透镜，可提高损伤阈值；用于射线辐射测量传感器，可抗射线辐射损伤，提高测量的灵敏度。
西安交通大学
2021-04-11