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PF-1氟离子选择性电极
产品详细介绍技术指标：1.测定范围：10ˉ1至10ˉ6 (mol/dm32.溶液温度：5-45度3．绝缘电阻：≥1×1011 ∩4．电极内阻：≤1M∩5.零电位：0-1PF(由氟电极与饱和甘汞电极组成电极对)PREFIX = O 使用维护及注意事项:1. 氟离子选择电极在测定试样与标准溶液时,应用磁力搅拌器,并使试样与标准溶液搅拌速度相等.2. 氟离子选择电极使用时在去离子水中与饱和甘汞电极组成电池,电动势达±320mv后才能正常使用.3. 氟离子选择电极在测定时, 试样和标准溶液应在同一温度4.在测量时,电极用蒸馏水清洗后,应用滤纸擦干后进行测试,以防止引起测量误差.5.在测量试样较多浓度相差较大时,建议用二支氟离子选择电极,以免引起误差.6. 氟标准液建议存放在清洗后的聚乙稀塑料瓶中,对使用的容量瓶,移液管,玻璃容器应及时清洗.7. 氟电极在使用完毕后建议用去离子水清洗至±320mv后干放,这样可以延长电极使用寿命,并且可以不影响下一次测量.备注:PF-1氟离子电极有两种接头,直插式和Q9螺旋式.
上海越磁电子科技有限公司
2021-08-23
基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC
华中科技大学
2021-04-14
基于液态金属电极的可植入式微泵
项目组于2013年首次发现PDMS在微尺度下的电子输运现象,并将此现象结合液态金属电极提出基于液态金属的微电渗泵,并在实验室内获得成功.该项新技术大大减小目前微泵的尺寸以及驱动电压,并有效控制微泵的制作成本和复杂度.该微泵可以对多种流体进行有效的微观无损控制,可以用于长期性植入式微量给药。
中国科学院大学
2021-04-10
新型纳米复合W-氧化物电极材料
W-氧化物电极材料（通常氧化物种类为ThO2,CeO2及La2O3等，含量为2%重量百分比）广泛应用于惰性气体保护电弧焊和等离子体焊接、切割、喷涂、熔炼等工业领域。在使用过程中，电极材料担负发射电子，维持电弧稳定燃烧的作用，同时还承受高能离子轰击和高烧蚀等恶劣服役条件。正是由于其重要地位，电极材料被誉为电弧等离子体发生器的"心脏"。采用先进特殊工艺开发的新
西安交通大学
2021-01-12
一种逆向渗流式生物电极系统
本实用新型公开一种逆向渗流式生物电极系统。该系统由布水器、电极模块与电极生物三部分组成。其中电极模块包括钛基层、导电胶层与石墨层三部分，钛基层与石墨层通过导电胶层紧密结合。使用时，基质首先利用布水器进入钛基层，之后通过钛基层的孔洞蔓延至石墨层，最后通过石墨层本身的渗透特性被附着的电极生物利用。本实用新型通过逆转基质流动方向，使得基质由生物膜的内层向外层扩散，增强了基质与生物之间的接触，减少生物死区，强化了生物电极对污染物的去除性能以及对能源的回收效果。
浙江大学
2021-04-13
有机电极材料电化学反应机理
在β-酮胺的氨基位修饰蒽醌，引入π-π及p-π电子共轭效应，蒽醌基团同时增加分子的刚性位阻效应，提高了过渡态α-C自由基聚合或发生副反应的活化能，有效提高了自由基中间体的稳定性。该有机物电极的分子结构及自由基中间体的结构如图1所示。β-酮胺还原后的中间体在π-π和p-π联合电子共轭效应及自由基两侧的侧芳香基团位阻效应的协同作用下，形成了稳定的α-C
南方科技大学
2021-04-14
一种基于共栅ｃａｓｃｏｄｅ低噪声放大器的增益调节结构
本发明公开了一种基于共栅ｃａｓｃｏｄｅ低噪声放大器的增益调节结构，包括粗调和细调两种模式，粗调模式通过减少ｃａｓｃｏｄｅ管ＮＭ２跨导的同时并联额外负载电阻的方式，减少从ｃａｓｃｏｄｅ管ＮＭ２源极看进去的等效负载阻抗来调节增益，细调模式通过并联额外负载电阻的方式，减少从ｃａｓｃｏｄｅ管ＮＭ２源极看进去的等效负载阻抗来调节增益。本发明采用细调通过使用耦合电容，构造了虚拟地，调节范围更大；另外由于到电源隔直电容的作用，细调支路几乎没有直流电流流过，同时粗调级将原ｃａｓｃｏｄｅ管中的部分电流抽取过来为己所用
东南大学
2021-04-14
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10
纳米晶太阳能电池复合多孔电极膜
项目以改善NPC太阳能电池的光伏性能为最终目的，采用模板组装技术制备高质量的NPC电池用有序大/介孔复合电极膜，该法既简化了制备工艺，又可对薄膜的质量进行控制。该研究推动了NPC太阳能电池的产业化进程，同时该技术符合国家能源可持续发展的需要，在改善日益严重的能源危机及环境污染有非常重要的现实意义。
天津城建大学
2021-04-11