提供基于TD-LTE的新一代4G专网无线技术解决方案。施用频段为1.4G/1.8G。信道带宽20MHz，上/下行峰值速率：50Mbps/100Mbps。单基站半径覆盖达5~10公里范围。可在300公里/小时高速行驶中保持正常通行。可以提供语音、视频通话以及语音和视频的多媒体调度；关键设备、场景的视频监控；应急通讯；环境监控和报警；工业控制节点的数据采集及控制等各类行业物联网应用等定制化的业务。目前系统已实施的成功案例包括：南京青奥会老山赛场视频监控、克拉玛依智慧油田建设、无锡市智慧城市建设。某型号产品已被国家安全局列装。

产品概述HXGN17-12型箱型固定式环网高压开关设备（以下简称环网柜），是.. 6-10kV三相交流.. 50Hz的环网供电和终端供电系统户内成套配电装置。主要适用于厂矿、住宅小区、高层建筑、学校等配电场所，作为接受和分配电能之用。本环网柜满足国家标准.. GB3906《3~35kV交流金属封闭开关设备》和国际标准.. IEC298《交流金属封闭开关设备和控制》的要求，并且具有两部提出的“五防”联锁功能。 使用环境条件● 海拔不超过1000m，（超过 1000m时按国标修正）；● 周围空气温度：上限+40℃，下限-25℃；● 相对湿度：日平均值不大于95%，月平均值不大于90%（+25℃）；● 没有火灾、爆炸危险、严重污染、化学腐蚀及剧烈振动场所。..

本书结合作者对图像处理,分析和三维重建等进行的研究和工作,对从数码相机拍摄的建筑物图像中以参数化建模的方法恢复建筑物的三维几何结构进行了论述和探讨.

项目成果/简介:本发明公开了一种二维码的风险预警方法,其特征是按如下步骤进行:1,生成溯源码;2,生成前缀码;3生成Y位验证码;4将溯源码,前缀码和Y位验证码存入防伪数据库中,并将溯源码和前缀码进行合并后利用条码生成器生成初始二维码;将Y位验证码嵌入初始二维码的中间位置,从而形成二维码.本发明能够快速,稳定的生成大量具有高防伪性,难以被仿造的二维码,从而有效保证二维码的唯一性,防止被复制或者重复使用.

涉及一种基于平面扫描三维成像的人体安检系统及方法，该系统的安检门框架内装有平面扫描驱动单元的扫描臂，扫描臂前后两侧分别装有扫描单元的毫米波收发天线阵列，安检门框架两侧分别装有毫米波收发机，扫描臂上端连接平面扫描驱动单元的驱动机构，控制单元连接扫描单元和平面扫描驱动单元，以使毫米波收发天线阵列进行平面扫描；控制单元连接数据采集单元，用于控制所述数据采集单元采集处理来自扫描单元的检测信号；图像处理单元连接数据采集单元，用于根据采集数据和采集数据的空间位置信息合成三维全息图像，并由显示器显示所述三维全息图像。

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).