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脑室基底神经核模型XM-613
XM-613脑室基底神经核模型
XM-613脑室基底神经核模型示脑室的前角、后角、下角、第三脑室、中央水管等结构，基底核示豆状核，尾状核体、尾状核头、尾状核尾及脊侧丘脑等结构。
尺寸：9×10×8.5cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-654C脑干神经核团
XM-654C脑干神经核团
XM-654C脑干神经核团显示脑干神经核团及传导。
尺寸：放大，30×30×52cm
材质：塑料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
脑干神经核团XM-654C
XM-654C脑干神经核团
XM-654C脑干神经核团显示脑干神经核团及传导。
尺寸：放大，30×30×52cm
材质：塑料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-613脑室基底神经核模型
XM-613脑室基底神经核模型
XM-613脑室基底神经核模型示脑室的前角、后角、下角、第三脑室、中央水管等结构，基底核示豆状核，尾状核体、尾状核头、尾状核尾及脊侧丘脑等结构。
尺寸：9×10×8.5cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
熔体静电纺丝中的震荡拔河效应
国家自然科学基金项目。熔体静电纺丝不需要溶剂，比溶液静电纺丝环境友好、成本低、效率高，越来越受到国际科学界和工业界的重视，但是其纤维直径偏大，成了制约其发展的瓶颈。借鉴工业上已成功的振动力场降低粘度的方法，本课题拟引入震荡电场力，通过大量实验和介观模拟深入考察熔体静电纺丝过程中的震荡拔河效应－电场力的震荡幅度、频率、波形以及射流上电荷性质对纤维直径、高分子线团解缠、分子链取向及运动轨迹的影响规律。研究结果将对深刻理解静电纺丝过程中的分子链运动规律等基础物理现象、获得大批量高性能的纳米级纤维制备方法、开创纳米纤维大规模应用的新时代具有十分重要的意义。目前该项目在研。
北京化工大学
2021-02-01
基于电磁涡流效应的应急车窗爆破系统
本发明公开的基于电磁涡流效应的应急车窗爆破系统，包括电源、延时开关、高频逆变器、四个线圈组及四周固定于车的内壁与外壁之间的车窗，车窗上具有孔，孔内镶嵌有圆台状铁芯，每个圆台状铁芯与一个线圈组对应，线圈组由线圈一和线圈二串联构成，延时开关的一端连接电源正极，电源负极与延时开关的另一端分别与高频逆变器的两个输入端连接，四个线圈组并联后两端分别与高频逆变器的两个输出端连接。本发明采用电磁涡流效应在短时内加热圆台状铁芯，使其膨胀从而实现破窗，采用延时开关可避免破窗后圆台状铁芯温度继续升高带来的危险，且圆台状铁芯隐藏于车窗边沿处，可防止过热导致乘客烫伤；本发明的应急车窗爆破系统，使用方便、破窗快捷。
浙江大学
2021-04-11
单分子场效应晶体管
通过施加栅压形成有效的双电层静电场，以此构建出石墨烯基单分子场效应晶体管。具体从电化学窗口以及正负栅压下双电层的对称性等方面考虑，筛选了一种阴阳离子尺寸匹配的离子液体（DEME-TFSI）；这种离子液体栅的双电层厚度约为0.75 nm，能够在较小的栅压范围内产生强的静电场，从而有效地调控分子的能级。由于离子液体的凝固点较低 (~180 K)，可以实现较大温度范围内连续的栅压调控。
北京大学
2021-04-11
非线性霍尔效应理论上取得进展
线性霍尔效应需要破缺时间反演才能观测到；非线性霍尔效应需要破缺空间反演才能被观察到。 最近有多个实验小组报道了具有时间反演的非线性霍尔效应的观测结果，包括MIT的 Pablo组和Gedik组的双层WTe2实验 (并列一作为马琼，徐苏扬，沈汇涛)，Cornell 的Mak & Shan实验组的多层WTe2实验等。 南科大卢海舟课题组和北京大学教授谢心澄也发表了相关理论 Physical Review Letters 121, 266601 (2018)。这篇文章中他们回答了一个实验关心的问题，什么样的能带特征可以对应强非线性霍尔信号？他们发现可以用二维狄拉克模型描述的倾斜的能带反交叉点或者拓扑反带的位置都会带来比较强的非线性霍尔信号。此外，他们的理论还和Cornell的实验的角度依赖关系进行了对比。 这种新奇的非线性霍尔效应的研究才刚刚开始。实验和理论研究证明无序是反常霍尔效应主要来源。非线性霍尔效应从第一阶就强烈依赖无序，高阶效应更是Berry曲率和无序错综复杂作用的结果，无序对非线性霍尔效应的贡献将是一个重要的题目。
南方科技大学
2021-04-13
抗总剂量效应存储单元电路
本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路，全部由 PMOS管构成，包括：第一、第二 PMOS 管，第三、第四 PMOS 管和第五、第六 PMOS 管；第一、第二 PMOS 管为上拉管，第三、第四 PMOS管为读出访问管，第五、第六 PMOS 管为写入访问管。本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固，具有较小的存储单元面积，可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。
华中科技大学
2021-04-14
光频段反常多普勒效应的实验验证
在负折射率材料中，由于介质折射率为负，多普勒频移在相对运动使波源和 接收器之间的距离增加时蓝移，距离减小时红移，因此称为反常多普勒效应。这 一违反物理常识的效应最早由前苏联物理学家 Veselago 在 1968 年理论预言，但 一直未得到直接的实验证实，只有在 GHz 和音频段的间接测量实验报道。因为多 普勒效应现象早已被广泛应用于工农业生产、医疗卫生、科技国防等等社会生活 的许多方面，可以预见，反常多普勒效应的存在将会对这些应用领域带来根本性 的影响。另一方面，目前虽然在很多人工合成材料中观察到
上海理工大学
2021-01-12