抗总剂量效应存储单元电路

人工智能

本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路，全部由 PMOS

管构成，包括：第一、第二 PMOS 管，第三、第四 PMOS 管和第五、

第六 PMOS 管；第一、第二 PMOS 管为上拉管，第三、第四 PMOS

管为读出访问管，第五、第六 PMOS 管为写入访问管。本发明的抗总

剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固，具有较小的存

储单元面积，可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。

试用