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中国科技成果转化百强高校出炉！
6月29日，《中国科技成果转化2021年度报告（高等院校与科研院所篇）》在京发布。《报告》显示，我国科技成果转化活动持续活跃，2020年，3554家高校院所以转让、许可、作价投资和技术开发、咨询、服务方式转化科技成果的合同项数以及合同金额均有增长。其中，转化科技成果超过1亿元的高校院所数量为261家。
中国科技成果转化2021年度报告
2022-07-01
高导热宽频强吸收吸波弹性体材料
高导热宽频强吸收吸波弹性体材料通过将氮化硼、石墨烯等二维纳米材料进行高效剥离、与纳米铁氧体颗粒杂化、采用高效均匀的混合搅拌和高精度的压延成型工艺制备而成，具有导热吸波性能、力学性能好、硬度低等特点，其导热系数大于3wm-1k-1， 吸收频宽（RL<-10dB）高达 5GHz，最小反射损耗低于-50dB，达国内先进水平。
华南理工大学
2023-05-08
多管分散强冷制备半固态金属坯料的装置
一种多管分散强冷制备半固态金属坯料的装置，它包括水冷管套、冷 却铜管、中间包和铸模，其特征是水冷管套内连有若干根冷却铜管，冷却 铜管上端连接中间包，下端连接铸模，冷却铜管直径为 8~25mm，长度为 300~1200mm。 本实用新型的优点： （1）制作简单，投资少； （2）金属液体冷却过程中不会产生二次氧化； （3）操作使用方便。
南昌大学
2021-04-14
苏州亿思强机电设备有限公司
苏州亿思强机电设备有限公司是一家新型的专业化的机电产品和安全用品的供应商，有着长期服务于外企的丰富经验，主要致力于国内外企业一体化需求供应，为客户提供全面的维护解决方案，在中国的分销行业中，我们以最全面的供应商为基础，成为客户单一的机电和安全用品的供应渠道！
苏州亿思强机电设备有限公司
2021-01-15
惠州市强达电子工业有限公司
惠州市强达电子工业有限公司（以下简称“强达”）是致力于高分子新材料以及树脂的研究开发、生产及经营的国家高新技术企业。强达拥有现代化的工业园区、国家级的研发中心、分析检测中心和完善的 中试车间，致力于为客户提供应用综合解决方案，做行业领航者，做国际品牌。
惠州市强达电子工业有限公司
2021-11-02
一种便于研究植物根系生长的水培装置
本实用新型公开一种便于研究植物根系生长的水培装置，包括水培杯以及培养碗；水培杯为双层圆柱形结构，且在水培杯的侧壁夹层中设置可拆装的遮光板，以真实模拟植物根系生长条件，水培杯内还设置有根系限位管；所述培养碗的周边设置有凸沿，凸沿的直径大于水培杯的直径，以方便将培养碗沿搭在水培杯的杯口上，所述培养碗的侧壁上设置有栅条，培养碗的底部设置有网格布及吸水纸，可将植株种子种植在网格布上，根系通过网格布网孔向下延伸，可以在种子时期就种植，方便对植株根系的固定，当需要测量植物根系长度时，直接取出培养碗即可，而不会对植株造成任何损坏，且通过根系限位管给根系限位，更有助于实验测量。
青岛农业大学
2021-04-13
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
有机气敏薄膜生长调控与敏感机理研究
本项目属复合材料与传感器研究领域。主要针对气体传感器特异性响应与识别机理、气体信息与电信号转换机制以及薄膜表面/界面效应等基础科学问题开展了深入研究，提出并发展了有机纳米复合气敏材料新领域，为有机/无机纳米薄膜组装与结构调控提供了新途径，同时建立了传感器微观响应模型，对发展新型复合薄膜气体传感器具有重要的科学意义。发表SCI论文71篇，SCI他引905次，均为正面引用，研究成果受到敏感材料与传感器领域研究者的广泛关注与认可。本项目申请国家发明专利49项，授权29项，研制出了灵敏度高、响应快（<
电子科技大学
2021-04-14
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14