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一种可控大长径比纳米探针的制备装置与制备方法
本发明提供一种可控大长径比纳米探针的制备装置,通过设置 腐蚀稳压电路、腐蚀电压切断电路、探针浸没判断电路,与单片机配 合实现对腐蚀过程中的腐蚀电压、探针浸没深度、探针提升速度等重 要参数的精确控制,能够制备大长径比、可控长径比、耐磨损、可回 收、成本低的纳米探针。本发明还提供一种可控大长径比纳米探针的 制备方法,采用探针浸入指定深度后不再停留腐蚀,而是一直不断提 起探针,从而形成针尖长、针尖曲率半径平滑变化、长径比大的新型 纳米探针,具有不易磨损、可回收再利用、使用成本低等显著优点, 并通过对腐蚀电
华中科技大学 2021-01-12
一种基于原子力显微镜的多功能组合探针系统
本发明公开了一种基于原子力显微镜的多功能组合探针系统。该系统能在各种设定的工作环境中通过程序控制原位切换具有不同功能的探针,从而在同一实验区域原位实现微观摩擦磨损实验、表面形貌扫描、晶体结构演变探测和摩擦能量耗散测量等功能。该系统在原位切换探针时,无需破坏工作环境,有效避免外界环境对样品表面的污染。
西南交通大学 2016-10-19
一种可控大长径比纳米探针的制备装置与制备方法
本发明提供一种可控大长径比纳米探针的制备装置,通过设置腐蚀稳压电路、腐蚀电压切断电路、探针浸没判断电路,与单片机配合实现对腐蚀过程中的腐蚀电压、探针浸没深度、探针提升速度等重要参数的精确控制,能够制备大长径比、可控长径比、耐磨损、可回收、成本低的纳米探针。本发明还提供一种可控大长径比纳米探针的制备方法,采用探针浸入指定深度后不再停留腐蚀,而是一直不断提起探针,从而形成针尖长、针尖曲率半径平滑变化、长径比大的新型纳米探针,具有不易磨损、可回收再利用、使用成本低等显著优点,并通过对腐蚀电压、探针浸没深度
华中科技大学 2021-04-14
Au-DNA探针、金属离子快检试纸条及其制备方法和应用
本发明公开一种Au‑DNA探针、金属离子快检试纸条及其制备方法和应用,探针包括识别链和底物链杂交形成的杂交双链和金纳米颗粒,识别链包括DNAzyme链、延长链和端巯基,延长链与C DNA的序列互补,DNAzyme链具有金属离子识别结构,底物链具有金属离子切割位点,底物链一端修饰有端巯基,金纳米颗粒连接端巯基。试纸条的反应膜上喷涂有C DNA和捕获底物链的T DNA。使用基于AuNPs的红色为信号输出方式,实现对金属离子灵敏、快速的检测,且检测具有低检测限、宽线性响应范围和较好的选择性与稳定性,本发明制备简单、方便快捷并采用易得的原料合成,成本较低,可实现对Na<supgt;+</supgt;的快速检测,且小型便携,具有开发潜力和应用背景。
南京工业大学 2021-01-12
定制高精度探针台 实验室半导体材料测量仪器
您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 实验室半导体材料测量仪器定制高精度实验台 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 作为北京高科技企业,锦正茂科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务,对内承接科研生产任务,对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换,形成了科学管理的现代化经营模式,专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备(液氮、液氦)制冷机系统集成 ,定制 ,高低温真空磁场发生系统,Helmholtz线圈(全套解决方案),电磁铁(全系列支持定制),螺线管,电子枪(高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm),高低温磁场真空探针台,霍尔测试系统,电输运测量解决方案,磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全,性能可靠,至今已有近10余年的历史,是国内(较早)生产探针台,电输运,电磁铁的厂家之一。 锦正茂始终秉承“诚信、合作、创造、共赢”的经营理念,将现代化管理技术引入到产品生产与管理中,通过新的军民融合平台建设,形成具有一定市场竞争优势的高科技企业;其次,公司逐步形成以现代化高科技产业化带动企业价值增张的商业模式,坚持“与时俱进,科技创*”的思路,彰显业务的核心优势,共创*的战略制高点。 公司目前拥有各类技术人员30余名,其中产品研发工程师10余名(高级工程师4名)、工艺工程师3名、检测工程师2名,售后服务工程师3名。已形成完整的设计、生产、安装、调试、维修及相关配套服务的专业化的人才队伍。    
北京锦正茂科技有限公司 2022-09-16
低成本高稳定氮化物荧光材料的制备
最近以来,LED照明以其节能环保等优点,获得了大规模的应用。以氮化物结构陶瓷相关材料(如AlN,Si3N4)为寄出的氧氮化物荧光粉在保持了高温、化学和力学稳定性的基础上,还具有较为优异的光转换性能,赢得了越来越广泛的关注。其中, 有潜力应用在紫外激发的白光LED上的Eu2+掺杂AlN蓝色荧光粉不仅具有较高的光量子效率,而且与常用的热淬灭严重的BaMgAl10O17:Eu2+ (BAM)相比,具有很高的热稳定性。但是,目前报道的Eu2+掺杂AlN蓝色荧光粉的制备方法(如Dierre B, Yuan X L, Inoue K等, J. Am. Ceram Soc, 2009, 92 (6):1272-1275;Hirosaki N, Xie R J, Inoue K等,Appl. Phys. Lett. , 2007, 91(6): 061101)都是采用高纯度氮化物粉体在高温下通过固相反应合成,要求2050℃的高温下,10个大气压的氮气压力,保温4个小时以上获得,粉体还要在保护环境中球磨粉碎由于高温产生的团聚,成本及其高昂,且颗粒尺寸控制困难。探索能够得到高纯度、粒径均匀可控、发光性能好的荧光粉且成本低的合成方法,对于这类新型材料的研究、应用都具有重要意义。 目前, AlN的合成方法主要有以下几种: 铝粉直接氮化法、碳热还原法、气相还原氮化法、裂解法、等离子体法、电弧熔炼法、自蔓延高温合成法、微波合成法,其中前两种方法已经应用于工业化大规模生产。比较而言,铝粉直接氮化法为强放热反应,反应不易控制,反应过程中放出的大量热易使铝形成融块,造成反应不完全,难以制备高纯度、细粒度的产品;碳热还原法制备的氮化铝粉末纯度高、性能稳定、粉末粒度细小均匀、成形和烧结性能良好,但是因为反应物中必须加入稍过量的碳以保证反应完全,这种方法难以避免碳的残留;而气相还原氮化法制得的AlN纯度高、粉末粒度细小均匀并且大大减少了碳的残留。而在制备氮化铝前驱体时溶胶-凝胶法又以成分易分布均匀、颗粒细小胜过固相混合法。我们首次利用柠檬酸做络合剂,通过溶胶凝胶法制备Eu2O3和Al2O3均匀混合的反应前驱体,结合气相还原氮化法的方法来合成AlN:Eu2+荧光粉,如下图。这种制备方法成本低,且具有很强的普适性,可应用于合成其他高纯氮化物应该材料。 该方法解决了生产氮化物荧光材料中需要高纯氮化物作为起始粉料成本高等劣势,利用价格低廉,原料易得的氧化物作为原料,合成出所需的氮化物荧光材料。而且此方法反应活性高,低温下得到颗粒大小均匀,发光稳定可控的发光材料,节约后处理成本。
电子科技大学 2021-04-10
一种基于细胞荧光图像的药物筛选方法
本发明提供一种基于细胞荧光图像的药物活性组分筛选方法,通过控制荧光倒置显微镜上的高精度可控电动平台精确走位,应用荧光探针特异性标记细胞、细胞显微图像自动获取、荧光图像识别及数据生成,通过分析图像信息来获取心肌细胞保护作用的相关指标筛选和评价活性组分。本发明能够在活细胞内通过标记线粒体荧光强度来测量心肌细胞的活力状态从而对活性物质的保护效果进行评估,并能够对细胞的形态结构和分布进行实时监测,具有快速、经济、高通量的特征,可在定量筛选评价心血管疾病治疗药物中的应用。
浙江大学 2021-04-11
低成本高稳定氮化物荧光材料的制备
最近以来,LED照明以其节能环保等优点,获得了大规模的应用。以氮化物结构陶瓷相关材料(如AlN,Si3N4)为寄出的氧氮化物荧光粉在保持了高温、化学和力学稳定性的基础上,还具有较为优异的光转换性能,赢得了越来越广泛的关注。其中, 有潜力应用在紫外激发的白光LED上的Eu2+掺杂AlN蓝色荧光粉不仅具有较高的光量子效率,而且与常用的热淬灭严重的BaMgAl10O17:Eu2+ (BAM)相比,具有很高的热稳定性。但是,目前报道的Eu2+掺杂AlN蓝色荧光粉的制备方法(如Dierre B, Yuan X L, Inoue K等, J. Am. Ceram Soc, 2009, 92 (6):1272-1275;Hirosaki N, Xie R J, Inoue K等,Appl. Phys. Lett. , 2007, 91(6): 061101)都是采用高纯度氮化物粉体在高温下通过固相反应合成,要求2050℃的高温下,10个大气压的氮气压力,保温4个小时以上获得,粉体还要在保护环境中球磨粉碎由于高温产生的团聚,成本及其高昂,且颗粒尺寸控制困难。探索能够得到高纯度、粒径均匀可控、发光性能
电子科技大学 2021-04-10
新型纳米晶荧光材料及其应用技术(技术)
成果简介: 北京理工大学材料学院纳米光子学材料与技术实验室在致力于开发性能优异、绿色、实用的纳米晶发光材料研究。在国家“973”计划项目和自然基金项 目的支持下,研制出一种基于铜铟硫(CuInS2)和铜铟硒(CuInSe2)的新型、 绿色、低毒荧光纳米晶材料,已在白光照明、发光二极管、生物标记、太阳能电池等领域获得重要的应用,相关的材料制备和应用技术已申请了专利。 本项目所制备的新型纳米晶荧光材料性能优异,波长可在 500-900 nm 之间 调控,荧光量子产率超过 50%,可作为荧
北京理工大学 2021-04-14
一种荧光粉胶的涂覆方法
本发明公开了一种荧光粉胶的涂覆方法,属于 LED 封装领域,其采用压印方式对 LED 芯片进行荧光粉胶涂覆,包括 S1 将 LED 芯片固定在封装基板上;S2 将荧光粉胶涂覆在所述 LED 芯片上或者所述压印块的端面上,将所述压印块与所述 LED 芯片通过压印方式贴合一起;S3 待荧光粉胶在所述压印块和所述 LED 芯片之间稳定成形后,对所述荧光粉胶进行固化处理获得荧光粉层,实现荧光粉胶的涂覆。本发明方法操作简单,成本低,可灵活控制荧光粉胶形貌,从而提升LED封装光色一致性,其封装成本低,可大规模应用在工业中进行LED封装。
华中科技大学 2021-04-13
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