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太赫兹液晶材料与波片
本发明提供一种在太赫兹频段具有大双折射的液晶泪晶材料，该液晶材料具有目前THz 频段内最大的双折射率，兼具宽温液晶相(-15~1500 C) 和低粘度的特点，能够实现低工作电压、快速响应、紧凑型THz 调制器件的制备。
南京大学
2021-04-14
爆轰波结构观测实验系统
本系统可通过实验方式，观测爆轰波传播过程中内部结构，记录内部横波碰撞、反射、消失及再生成过程，直观显示爆轰波横波与纵波结构。横波是爆轰自持机理中不可缺少的因素，实际爆轰具有三维结构，横波在极径方向上的传播与发展可能导致各处横波强度不同。侧壁与端面胞格结果是爆轰三维结构在不同截 面处的几何体现，端面烟膜可直观显示爆轰纵向波结构。本系统可选取合适方式记录管道中不同位置横波结构，与对应的纵向波结构对比分析。同时，还可改变边界条件，研究爆轰波在圆管及环形隧道中的传播特性。另外，预混气体被点燃后能否形成爆轰波直接关系到爆轰实验是否成功，而爆轰实验中预混气被点燃至形成爆轰波需经过一定时间。本系统可加速爆轰波形成过程，提高实验效率。还可根据需求测定爆轰波传播速度、压力等参数，描述爆轰传播行为，对实验结果数字化，可定量分析爆轰的不稳定性。为燃烧学、爆轰机理、爆炸事故预防等多方面应用提供理论支撑。
北京科技大学
2021-04-13
功率MOS器件设计和制备技术
功率DMOS是一类重要的新型功率器件，具控制电路简单、开关频率高、可靠性好等优点，因此广泛应用于开关电源、汽车电子、DC/DC转换等领域，市场需求巨大，目前在功率分立器件领域占据了最大的市场份额。本团队在功率DMOS器件的研究方面有丰富的技术积累，开展了大量前沿性研究和产业化研究，目前本团队在功率DMOS领域累计授权发明专利超过50项，能够量产的产品型号近百种。
电子科技大学
2021-04-10
全固态太赫兹前端关键器件
针对太赫兹高分辨雷达和通信系统应用需求，研究了常温固态太赫兹连续波发射和接收的总体方案和实现技术，研究了太赫兹平面肖特基势垒二极管非线性模型的精确模型，提出了太赫兹高效倍频电路和低损耗分谐波接收电路的拓扑结构，掌握了太赫兹倍频器和分谐波混频器的优化方法，解决了固态太赫兹关键技术的工艺难题，突破太赫兹连续波发射和接收的关键技术，打破国外技术封锁，提高自主创新能力，形成自主知识产权，相关技术水平达到国际先进，为我国太赫兹技术的发展和太赫兹系统的应用奠定技术基础，提供技术支撑。
电子科技大学
2021-04-10
微电子器件高效冷却技术
小试阶段/n通过发展被动式和主动式冷却技术能实现典型移动装备和电子器件的空间冷却需求，具体包括热压/风压自然换热冷却、相变热管换热冷却等被动式技术，半导体热电制冷冷却、喷射冷却和合成射流冷却等主动式冷却技术,获省自然科学一等奖。成果市场前景：有散热需求，就有应用前景。
武汉大学
2021-01-12
电子器件的高效散热技术
随着微电子技术的发展，电子器件的热流密度越来越高，散热已成为其技术发展的主要障碍之一。本项目采用直接液体浸没的沸腾换热方式，开发了高效沸腾换热微结构面，可极大幅度提高散热性能，在电子器件温度低于其正常操作上限温度85oC的条件下，散热热流密度可达150W/cm2以上。沸腾强化换热技术往往在微重力条件下由于气泡难以脱离导致性能恶化而无法应用。近期在微重力条件的实验表明该技术即使在微重力条件下，依然能充分利用热毛细现象进行强化换热，显著提高换热性能。因此，该技术可应用于地面和空间的电子器件高效散热。
西安交通大学
2021-04-11
节水灌溉器件的快速开发技术
滴灌是节水效率最高并能实现水肥自动灌溉的精准农业灌溉技术，在蔬菜、花卉、棉花、果树等种植中广泛应用。滴灌系统的灌水器在使用时容易发生堵塞一直是国际上的难题。本技术针对这一难题，提出了灌水器基于迷宫流道流动特性的抗堵设计和一体化开发方法，开发了具有自主版权的专用设计软件。应用该软件与快速成形技术开发出系列化的新型灌水器，使开发周期显著缩短，单循环开发时间由原来的3～5个月缩短到3～5天，而开发成本由5万元左右降低到2千元以下。相关研究成果获得国家技术发明二等奖。
西安交通大学
2021-04-11
新型存储器件及集成研究
已有样品/n面向存储器领域国际发展前沿和国家重大需求，长期紧密合作，系统深入研究了新型存储器机理、器件材料与结构体系、性能调控规律、可靠性表征和集成技术。取得了局域氧化还原主导的阻变模型、阻变存储器三维集成、电荷俘获存储器材料和结构体系优化及可靠性表征等系列原创性科技成果，获得了国内外同行的广泛引用和高度评价。获得了具有自主产权的新型存储器件及集成解决方案，主要发明专利和技术研究成果转移到国内知名集成电路制造企业。
中国科学院大学
2021-01-12
高迁移率沟道MOS 器件
已有样品/nCMOS 研究团队创新性地在high-k/InGaAs 界面插入极薄外延InP 层， 将high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之间。通过采用多硫化氨[(NH4)2Sx]对InP 进行表面钝化处理并结合低温原子层高k 介质沉积技术，有效抑制了在介质沉积以及金属化后退火过程中的表面氧化和磷原子脱附效应，成功将high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中国科学院大学
2021-01-12
高速光收发器件与模块
可以量产/n该项目带宽宽，可以覆盖Ku以下所有频段，并向Ka频段发展；线性度高，模拟通信不失真；动态范围大，激光输出功率高，相对强度噪声低。可靠性高，全金属化耦合焊接，提高了可靠性和寿命。市场预期：该项目产品主要应用领域是通信，目前国内市场需求大于300亿人民币。随着国家宽带战略的实施和物联网的发展，未来5-10年将以大于30%/年的速度递增。到2020年将大于1000亿元人民币。
中国科学院大学
2021-01-12