拥有阀门设计专利：201020137611.8. 自主研发设计高压遥控气阀采用不锈钢针阀，可承受更大的压力，实现高精度调节。拥有阀门设计专利，专利号：201020137611.8，可从通风柜正面拆卸，便于检修和保养。 主体：优质铜材 涂层：高亮度环氧树脂涂层，耐腐蚀，防紫外线辐射 PP旋转把手：耐腐蚀，人体工学设计，手感合适 合金旋钮把手：高亮度环氧树脂涂层，耐腐蚀，手感舒适

不锈钢涡凹气浮机

产品名称：单瓶气瓶柜 产品型号：BA401 外部尺寸：H1900*W560*D450mm 内部尺寸：H1627*W530*D345mm 重量：63kg 开门方式：手动 门型：单门 锁具：天地锁 容量：可存储1只气瓶（气瓶φ250mm以内) 颜色：黄色（环氧树酯喷涂）

演示性能： 在不稳定状态条件下，影响氧气转移的因素 吸收系数KS和氧化能力R的测量 影响KS和R的因素：     水温     气流     水深  扩散器的布置  水的成分   描述： ARMFIELD的曝气装置包含一个带搅动桨的开口料缸。在电动机的驱动下，空气通过一个控制阀和流量计（带有过滤器和消声装置）进入可变换位置的缸内扩散器。有各种各样的扩散器。一个氧电极和溶解氧测量计用来测量缸内水中的溶解氧含量，水温也可以通过此测量计读出。此测量计靠内部电池工作，可以独立于设备进行实地测量。 该设备包含一个底座和背板，底座上有4颗橡胶螺钉，用于固定设备。一个24.5L的丙烯酸玻璃水缸组装在底座上，在水缸前面是一个深度刻度尺，缸的地步有一个排水龙头。缸的盖子有部分可以移动，用来注水。在盖子固定的部分，组装有搅动马达，搅动棒和固定温度探针、氧传感器和曝气管的定位夹。 氧含量/温度测量计固定在背板上，并与相应的传感器用线连接。 3个扩散器，曝气管、单空气出口、三空气出口。均可以单独的与曝气管组装使用。 可变速的搅动桨可以在缸内产生不同程度的湍流。 技术参数 泵：膜片式 水箱：24.5L 流量计范围：1-12L/Min 氧气/温度：-5——199% DO2 测量范围： -5——25% DO2            -5——19.99mg/L 氧探针长度：300mm 搅拌桨：直流并励电动机控        制的可变速搅拌 化学药品要求：硫酸钠，氯化   钴（不供应）   订购规格：  一个曝气装置允许对扩散空气系统的氧气转移特性研究。  一个24.5L的水缸，带可变速马达驱动的搅动桨，空气在泵的驱动下通过阀和流量计到达扩散器。  在供货中包含曝气管、单空气出口、三空气出口三种扩散器。  一个电池供电的溶解氧测量计同时也可以对水温进行直接读数。   服务要求 电力供应： W10-A：220-240V/单相/50HZ W10-B ：120V/单相/60HZW10-G ：220V/单相/60HZ 水供应 ： 最初的盛满和实验室排放   尺寸：高：750mm 长：500mm 宽：600mm   运输规格： 体积： 0.7立方米 毛重： 100公斤

本发明公开了一种粗糙粘结界面粗糙度的临界值计算方法，包含步骤如下：(1)将一种材料的粘结界面处理平整光滑，然后制作两种材料粘结在一起的轴向受拉试件；(2)测定平整光滑界面状态下两种材料粘结界面的轴向抗拉强度σj；(3)测量两种粘结材料的轴向抗拉强度σ1和σ2，选择两种材料中轴向抗拉强度最小者作为临界值σmin；(4)确定粗糙粘结界面局部凸凹部分的平均间距d；(5)建立粗糙界面的粘结强度σj,c与σj、粗糙界面局部凸凹高差平均值h及粗糙界面局部凸凹部分的间距平均值d的关系；(6)令σmin＝σj,c，求得界面局部凸凹部分的高度临界值hmin；(7)如果实测值h大于hmin，则不会发生粗糙粘结界面剥离破坏，如果实测值h小于hmin，则会发生粗糙粘结界面剥离破坏。

本发明公开了一种同质包套热等静压成形方法，该方法采用热 等静压(HIP)/激光选区熔化(SLM)3D 打印复合工艺。本发明提出采用 SLM 成形出同质包套来解决传统方法成形复杂形状异质包套生产周期 长、制造成本高、包套除去过程繁琐、连接界面发生扩散反应污染制 件等问题。同时将同质包套内侧表面(在热等静压中与粉末相接处的面) 设计成梯度多孔渐变结构，使得热等静压后连接界面处组织呈现出梯 度变化结构，从而克服了因 SLM

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

本发明提供了一种复杂结构耦合损耗因子的预示方法，将系统切割成连续耦合的子系统，并对子系统在耦合边上的边界条件进行近似，分别建立耦合子系统的有限元模型，施加边界条件，并对结构有限元模型进行模态分析，提取模态数据，利用两个子系统耦合边的应力模态振型和位移模态振型计算模态相互作用的功，利用双模态方程法预示结构的耦合损耗因子。本发明结合了有限元法和双模态方程法预示复杂结构的耦合损耗因子，使用有限元法得到耦合边处的位移和应力模态振型、子系统的固有频率和模态质量，通过计算耦合子系统的相互作用功，再结合双模态方程法得到耦合损耗因子，能够准确且高效地预示复杂结构的耦合损耗因子。

煤是一种廉价的、使用量最大的、短期内无法替代的能源。随着机械化采煤技术的普及，煤炭在开采过程中的块煤率降低，粉煤、末煤率却高达 40~60% 以上。粉煤与块煤的价格相差甚远，如不加以合理利用，会给煤炭企业带来较大的经济损失。西安科技大学化学与化工学院周安宁教授带领的科研团队针对这一现状及粉煤热解加工利用难题，成功开发了新型粉煤成型技术及连续式梯级热解 - 活化耦合多联产移动床（自有专利技术），在实现粉煤热解加工利用的同时，多联产兰炭（或高附加值的活性炭）和氢气。相关的研究成果已申请发明专利 2 项，发表论文 10 余篇。目前该成果已进入中试开发阶段。

新能源转换和储存技术是当今世界解决目前化石能源危机和环境污染问题的核心途径。廉价的电解水产氢催化剂和高容量的储能材料成为大规模推广此类新能源技术的关键。对于电解水产氢而言，贵金属铂基催化剂的产氢活性最好，但其资源有限，无法推广使用。相比而言，非贵金属钼基材料以其特殊的理化性质表现出优异的分解水制氢活性，但存在导电性低及材料团聚问题，这导致材料活性位点暴露少和稳定性差等问题。为了解决这些挑战性问题，近日，北京大学工学院研发团队提出了一种具有强耦合作用钼基金属杂化材料的制备新策略提升电催化产氢性能，并发现强耦合材料对于储钠展现了优异的容量、倍率和稳定性。