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白云石生产轻质碳酸镁,轻质氧化镁, 阻燃剂 用氢氧化镁
轻质碳酸镁，轻质氧化镁，阻燃剂型氢氧化镁等镁盐系列产品是重要的无机盐产品，不仅用途广泛，而且用量很大，是当前备受重视的商业产品之一。过去生产这些产品一般是以制盐业后的苦卤水及纯碱或碳铵为原料生产，由于原材料价格较高，生产能力受到成本的限制，为满足市场的需要，一些科研人员和生产商家们开始研究以白云石为原料来生产这些产品，经过几年的努力攻关，已经开发成立了多级碳化法，由白云石来制备轻质碳酸镁等镁系列产品。产品主要用于橡胶，陶瓷，耐火材料，耐火坩埚，油漆，造纸，医药，玻璃，染料，塑料，日用化妆品，无机新型阻燃剂氢氧化镁大量用于橡胶，塑料生产中，它们还用于现代工业中作为高效排烟脱硫剂广泛使用，作为阻燃剂使用，氢氧化镁具有降低，抑烟阻燃等多种功能，而受到用户的欢迎。上述产品由于原料来源方便，价格低廉，生产中无或低“三废”排放，产品用途广泛，用量大，应用功效高等特点，因而具有十分美好的应用前景。
武汉工程大学
2021-04-11
一氧化碳气体报警器，一氧化碳气体报警器
产品详细介绍一氧化碳气体报警器济南中诚专业生产厂家，【TEL：0531-88883789 联系人：李经理】，一氧化碳进入人体之后
会和血液中的血红蛋白结合，进而使血红蛋白不能与氧气结合，从而引起机体组织出现缺氧，导致
人体窒息死亡，因此一氧化碳具有毒性，一氧化碳气体报警器RBK-6000型产品广泛应用于炼焦、炼铁、锻冶、铸造和
热处理的生产等工业等存在一氧化碳气体的危险场所。固定式是由两部组成的,一部分是RBK-6000
型气体报警控制器,一部分是RBT-6000的一氧化碳浓度报警器,探测器与控制器之间采用三芯屏蔽电
缆或ZRRVV三芯电缆连接，探测器和控制器上都有接线端子。一氧化碳气体报警器RBK-6000型控制器高端的人性化设计
，主机采用了壁挂式箱体设计，面板状态直接显示，安装简单，操作方便。一氧化碳泄漏检测仪探
测器采用工业专用防爆装置，进口气敏传感器检测灵敏度使用寿命长。
济南中诚仪器仪表有限公司生产的液化气泄露检测仪液化气气体报警器证书齐全,有公安部及
消防部颁发的型式认可证书,防爆合格证,ISO-9000认证等,一氧化碳浓度超标检测仪销往全国各地
，十年的生产经验和高端的科研队伍是各行各业厂家值得信赖的产品，愿广大消费者前来采购。
一氧化碳气体报警器产品特点：
RBK-6000使用高速CPU处理器，能够快速精确地处理系统任务，保证系统的可靠性。
LCD液晶屏幕，可实时显示探测器的浓度、状态。
使用485通讯协议，可靠性高。
4组可编程的继电器，无源常开、常闭触点，触点容量240V5A
采用模块化结构设计，便于系统维护。
可通过计算机实现本地监控及远程监控，探测器运行状态数据可永久存储。
实现可燃与毒性气体探测器的混合配置。
选购配件
备电电源转化模块。
中继器模块
联动控制模块
执行器
一氧化碳气体报警器技术参数：
与RBT-6000气体探测器配套使用
工作电压：AC220V±10%
使用温度：-20℃～60℃
使用湿度：≤95%RH
LCD液晶屏幕显示：ppm/%LEL
报警系统：声光报警
报警音量：≥75dB
传输距离：≤2000m
外形尺寸：370mm(L)×305mm(W)×90mm(H)
重量：≤4.5kg
济南中诚仪器仪表有限公司
联系人：李经理
电话：0531-88883789
手机：13969050081
邮箱：sdzclar01@163.com
QQ：1245851641
济南中诚仪器仪表有限公司
2021-08-23
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-02-01
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-04-11
CDTE薄膜的表面腐蚀及用此法制备CDTE太阳电池
CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池，属于半导体器件加工领域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去离子水的混合液作为腐蚀液，其中，NaAc作为缓冲剂，以保持溶液的pH值不变，使反应更稳定，通过CdTe和硝酸发生反应生成富碲层；清洗吹干后，沉积含Cu或不含Cu背接触层，最后沉积背电极以制备CdTe太阳电池。沉积背接触材料，可增加pn结附近的载流子浓度，降低肖特基势垒高度，避免直接沉积Cu形成比较复杂的CuxTe结构。采用这种方法腐蚀并制备CdTe太阳电池，可显著提高太阳电池的性能，并保证器件性能的稳定性和重复性。
四川大学
2021-04-11
两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法，工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理；钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内，在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃～850℃后即刻停止加热，使其随炉冷却至500℃～600℃保温3分钟～5分钟，然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100％，结晶性能好，表面均方根粗糙度较低，而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。
四川大学
2021-04-11
压电薄膜基声表面波煤矿瓦斯传感器关键技术
声表面波瓦斯传感器具有体积小、灵敏度高、工作稳定、生产成本低、易于集成化和无线化等独特优点，能够有效解决热催化式瓦斯传感器的零点漂移、定期维护难和维护费用高等问题，并且能弥补光学瓦斯传感器的占用空间大、传感占距长和传感分析复杂等不足，能有效提高煤矿瓦斯检测和预警技术，保证煤矿安全。成果获 2012 西安市科学技术奖三等奖；获批国家实用新型专利 1 项。
西安科技大学
2021-04-13
一种Fe2O3纳米薄膜卷曲管的制备方法
本发明属于纳米薄膜材料制备技术领域，涉及一种Fe2O3纳米薄膜卷曲管的制备方法，利用电子束沉积镀膜技术和纳米膜卷曲技术，先制备单质Fe的纳米膜卷曲管结构，然后在空气气氛下退火得到Fe2O3纳米膜卷曲管；其制备工艺简单，操作方便，原理科学，无污染，环境友好，能够有效控制卷曲管的管壁厚度，制备的纳米膜卷曲管长度能达到几百微米。本发明在新能源、气敏、催化、等领域具有重要用途。
青岛大学
2021-04-13
一种基于金属纳尖阵电极的电调透射光薄膜
本发明公开了一种基于金属纳尖阵电极的电调透射光薄膜，其包括：由纳米尺度间隔的纳尖高密度排布构成的一层纳米厚度的金属纳尖阵阴极和一层纳米厚度的平面阳极，该阳极由透光的纳米厚度的金属氧化物导电膜制成，阴阳电极间填充有由纳米厚度的透明光学介质材料制成的电隔离膜；在加电态下，金属纳尖阵阴极上可自由移动的电子被电极间所激励的电场驱控，向纳尖顶聚集，纳尖底部及相邻尖端间的平坦区域上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数自由电
华中科技大学
2021-04-14
一种双路电控纳线簇电极的电调光透射薄膜
本发明公开了一种双路电控纳线簇电极的电调光透射薄膜，其包括：由纳米尺度间隔的纳线簇高密度排布构成的图案化公共电极以及分布在其上端和下端的顶面阴极和底面金属纳膜阴极，顶面阴极和图案化公共电极均由透光的纳米厚度的同材质膜制成，底面金属纳膜阴极由纳米厚度的金属膜制成；顶面阴极和图案化公共电极以及图案化公共电极与底面金属纳膜阴极间均填充有纳米厚度的同材质光学介质材料。本发明双路电控纳线簇电极的电调光透射薄膜，可对入射光
华中科技大学
2021-04-14